晶体振荡器
高频晶体振荡器
SG -636系列
产品号码（请参考第1页）
Q33 6 3 6 X X X X X X X 0 0
一个小贴片，使高密度安装。
通用设备，带有内置的耐热圆柱形的AT切割
晶体，并允许几乎相同的温度条件下进行焊接
作为贴片IC 。
低电流消耗输出使能功能（ OE ）或待机
函数（ST） 。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
符号
f
0
SG-636PTF
2.21675 MHz至
41.0000 MHz的
特定网络阳离子
SG-636PH
SG-636SCE/PCE
41.0001
兆赫
to
2.21675 MHz至
70.0000
兆赫
40.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
3.3 V ±0.3 V
-55 ° C至+100°C
-20 ° C至+ 70°C
C： ± 100 ×10
-6
SG-636PDE
2.21675MHz到
40.0000MHz
2.5 V ±0.25 V
备注
请参阅第31页"Frequency range"
电源
马克斯。电源电压V
DD
-GND
电压
工作电压
V
DD
温度
储存温度
T
英镑
范围
工作温度
T
OPR
频率稳定度
f/f
0
消耗电流
垂耳
禁止输出电流
I
OE
税
输出电压
输出负载条件
CMOS电平
（扇出）
TTL电平
CMOS电平
TTL电平
t
w
/t
V
OH
V
OL
C
L
N
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
TOSC
fa
S.R.
5.0 V ±0.5 V
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
5毫安最大。
3毫安最大。
mA（最大值） 17 。
mA（最大值） 10 。
45 ％至55％的
mA（最大值） 35 。
mA（最大值） 20 。
mA（最大值） 9 。
5毫安最大。
—
40％至60％的
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
50 pF的最大值。
10 TTL最大。
20 pF的最大值。 （
≤
55兆赫）
15 pF的最大（ > 55兆赫）
45 ％至55％的
空载条件
OE = GND ， ST = GND 2 μA（最大值） 。 （ SCE ）
CMOS负载： 1/2 V
DD
水平
TTL负载： 1.4 V电平
I
OH
= -8毫安（ PTF ） / -4毫安（ PH / SCE / PCE / PDE ）
I
OL
= 16 MA（ PTF ） / 4 MA（ PH / SCE / PCE / PDE ）
30 pF的最大值。
—
15 pF的最大值。
C
L
＆ LT ;
15 pF的
_
5 LSTTL最大。
输出启用/禁用输入电压
输出上升时间
输出下降时间
CMOS电平
TTL电平
CMOS电平
TTL电平
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
7 ns（最大值） 。
5 ns（最大值） 。
7 ns（最大值） 。
5 ns（最大值） 。
4 ms以下。
—
5 ns（最大值） 。
—
5 ns（最大值） 。
0.8 V
DD
分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
OE ， ST （ SCE ）
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
TTL负载： 2.4 V → 0.4 V
振荡启动时间
老化
耐冲击性
最大10 ms 。
±5 x 10
-6
/年最大。
4 ms以下。
最低工作电压的时间是■解读
TA = + 25 ° C，V
DD
= 5.0 V / 3.3 V / 2.5 V ，第一年
三滴在硬板750毫米或激发试验
与29400米/ s的
2
×0.3毫秒（1/2） 3个方向的正弦波
±20 x 10
-6
马克斯。
注意： 除非另有说明，在上表中示出的特性（规格）的基础上，在额定工作温度和电压条件。
需要外部旁路电容。
外形尺寸
10.5最大。
#4
#3
（单位：毫米）
推荐焊接模式
1.3
（单位：毫米）
号
5.8最大。
1
2
3
4
引脚端子
OE或ST
GND
OUT
V
DD
ê 18.4320C
PTF9352A
#1
#2
5.0
0.05分钟。
0.5
5.08
注。
OE引脚（ PTF ， PH ，四氯乙烯，偏微分方程， PTW ， PHW ， PCW ）
OE引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
OE引脚 - "L" ：输出为高阻态。
2.7 MAX 。
(1.0)
3.6
(1.0)
5.08
金属可以在该产品的顶部或底部暴露出来。
这不会影响任何质量，可靠性或电气规格。
ST引脚（ SCE）的
ST引脚（ STW ， SHW ， SCW ）
ST引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
ST引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
ST引脚 - "L" ：输出为高阻抗，振荡停止。
ST引脚 - "L" ：输出为低电平（弱上拉 - 下） ，振荡停止。
41
4.6
2.1
晶体振荡器
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
V
DD-
GND
电源
工作电压
V
DD
电压
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
f/f
0
频率稳定度
I
OP
消耗电流
I
OE
禁止输出电流
I
ST
待机电流
税
CMOS电平
TTL电平
TW / T
V
OH
输出电压
V
OL
输出负载条件下（扇出）
OUTPUT ENABLE
CMOS电平
禁止输入电压
TTL电平
CMOS电平
CL
V
IH
V
IL
t
TLH
输出上升时间
TTL电平
CMOS电平
输出下降时间
TTL电平
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
振荡启动时间
老化
耐冲击性
SG-636PHG
SG-636PCG/SCG
2.21675 MHz至33.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
4.5 V至5.5 V
2.7 V至3.6 V
-55
°C
+100
°C
-20
°C
+70
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
mA（最大值） 25 。
mA（最大值） 12 。
mA（最大值） 20 。
mA（最大值） 10 。
—
50
A
马克斯。
—
45 ％至55％的
40％至60％的
—
2.4 V最小。
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
—
V
DD
-0.4 V最大。
—
—
0.4 V最大。
0.4 V最大。
—
25 pF的
2.0 V分钟。
70 % V
DD
分钟。
0.8 V最大。
20 % V
DD
马克斯。
—
3.4 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
1.2 ns（最大值） 。
—
—
2.4 ns（最大值） 。
—
—
—
3.4 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
1.2 ns（最大值） 。
—
—
2.4 ns（最大值） 。
—
—
12 ms以下。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
SG-636PTG
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
-20
°C
+70
°C
空载条件
OE = GND （ P * G）
ST = GND （ SCG ）
50 % V
DD
， CL = 25 pF的
1.4 V级， CL = 25 pF的
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
OE ， ST
OE ， ST
20％至80 ％的V
DD
， CL
≤
25 pF的
0.8至2.0V的CL
≤
25 pF的
0.4 V至2.4 V CL
≤
25 pF的
80 ％至20 ％的V
DD
CL
≤
25 pF的
2.0 V至0.8 V CL
≤
25 pF的
2.4 V至0.4 V CL
≤
25 pF的
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
V
DD
= 5.0 V / 3.3 V ，第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
V
DD-
GND
电源
工作电压
V
DD
电压
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
f/f0
频率稳定度
I
OP
消耗电流
I
OE
禁止输出电流
I
ST
待机电流
税
TW / T
V
OH
V
OL
输出电压
输出负载条件下（扇出）
CL
输出使能禁止输入电压
V
IH
V
IL
输出上升时间
t
TLH
输出下降时间
t
THL
振荡启动时间
老化
耐冲击性
t
OSC
fa
S.R.
SG-636PTW/STW
SG-636PHW/SHW
SG-636PCW/SCW
32.0001 MHz至135.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
5.0 V
±
0.5 V
3.3 V
±
0.3 V
-55
°C
+100
°C
-20
°C
+70
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
mA（最大值） 45 。
28毫安最大。
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 16 。
50
A
马克斯。
40％至60％的
—
—
45 ％至55％的
—
—
—
40％至60％的
40％至60％的
—
45 ％至55％的
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
15 pF的
—
—
5 TTL + 15 pF的
—
—
25 pF的
—
—
—
15 pF的
15 pF的
—
25 pF的
—
—
50 pF的
—
2.0 V分钟。
70 % V
DD
分钟。
0.8 V最大。
20 % V
DD
马克斯。
2.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
2.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
空载条件
OE = GND （ P * W）
ST = GND （S * W）
TTL负载： 1.4 V， CL =最大值。
TTL负载： 1.4 V， 5TTL + 15 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = MAX 。
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = 25 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
I
OH
= -16毫安（ * TW / HW ） / - 8毫安（ * CW）
I
OL
= 16 MA（ * TW / HW） / 8毫安（ * CW）
fo
≤
135兆赫
fo
≤
90兆赫
fo
≤
66.6667 MHz的
fo
≤
135兆赫
fo
≤
90兆赫
fo
≤
66.6667MHz
OE ， ST
OE ， ST
TTL负载： 0.8 V → 2.0 V， CL =最大值。
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V ， CL =最大值。
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 50 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 15 pF的
TTL负载： 2.0 V → 0.8 V， CL =最大值。
TTL负载： 2.4 V → 0.4V ， CL =最大值。
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 50 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 15 pF的
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
VDD = 5.0 V / 3.3 V ，第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
42
晶体振荡器
高频晶体振荡器
SG -636系列
产品号码（请参考第1页）
Q33 6 3 6 X X X X X X X 0 0
一个小贴片，使高密度安装。
通用设备，带有内置的耐热圆柱形的AT切割
晶体，并允许几乎相同的温度条件下进行焊接
作为贴片IC 。
低电流消耗输出使能功能（ OE ）或待机
函数（ST） 。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
符号
f
0
SG-636PTF
2.21675 MHz至
41.0000 MHz的
特定网络阳离子
SG-636PH
SG-636SCE/PCE
41.0001
兆赫
to
2.21675 MHz至
70.0000
兆赫
40.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
3.3 V ±0.3 V
-55 ° C至+100°C
-20 ° C至+ 70°C
C： ± 100 ×10
-6
SG-636PDE
2.21675MHz到
40.0000MHz
2.5 V ±0.25 V
备注
请参阅第31页"Frequency range"
电源
马克斯。电源电压V
DD
-GND
电压
工作电压
V
DD
温度
储存温度
T
英镑
范围
工作温度
T
OPR
频率稳定度
f/f
0
消耗电流
垂耳
禁止输出电流
I
OE
税
输出电压
输出负载条件
CMOS电平
（扇出）
TTL电平
CMOS电平
TTL电平
t
w
/t
V
OH
V
OL
C
L
N
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
TOSC
fa
S.R.
5.0 V ±0.5 V
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
5毫安最大。
3毫安最大。
mA（最大值） 17 。
mA（最大值） 10 。
45 ％至55％的
mA（最大值） 35 。
mA（最大值） 20 。
mA（最大值） 9 。
5毫安最大。
—
40％至60％的
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
50 pF的最大值。
10 TTL最大。
20 pF的最大值。 （
≤
55兆赫）
15 pF的最大（ > 55兆赫）
45 ％至55％的
空载条件
OE = GND ， ST = GND 2 μA（最大值） 。 （ SCE ）
CMOS负载： 1/2 V
DD
水平
TTL负载： 1.4 V电平
I
OH
= -8毫安（ PTF ） / -4毫安（ PH / SCE / PCE / PDE ）
I
OL
= 16 MA（ PTF ） / 4 MA（ PH / SCE / PCE / PDE ）
30 pF的最大值。
—
15 pF的最大值。
C
L
＆ LT ;
15 pF的
_
5 LSTTL最大。
输出启用/禁用输入电压
输出上升时间
输出下降时间
CMOS电平
TTL电平
CMOS电平
TTL电平
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
7 ns（最大值） 。
5 ns（最大值） 。
7 ns（最大值） 。
5 ns（最大值） 。
4 ms以下。
—
5 ns（最大值） 。
—
5 ns（最大值） 。
0.8 V
DD
分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
OE ， ST （ SCE ）
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
TTL负载： 2.4 V → 0.4 V
振荡启动时间
老化
耐冲击性
最大10 ms 。
±5 x 10
-6
/年最大。
4 ms以下。
最低工作电压的时间是■解读
TA = + 25 ° C，V
DD
= 5.0 V / 3.3 V / 2.5 V ，第一年
三滴在硬板750毫米或激发试验
与29400米/ s的
2
×0.3毫秒（1/2） 3个方向的正弦波
±20 x 10
-6
马克斯。
注意： 除非另有说明，在上表中示出的特性（规格）的基础上，在额定工作温度和电压条件。
需要外部旁路电容。
外形尺寸
10.5最大。
#4
#3
（单位：毫米）
推荐焊接模式
1.3
（单位：毫米）
号
5.8最大。
1
2
3
4
引脚端子
OE或ST
GND
OUT
V
DD
ê 18.4320C
PTF9352A
#1
#2
5.0
0.05分钟。
0.5
5.08
注。
OE引脚（ PTF ， PH ，四氯乙烯，偏微分方程， PTW ， PHW ， PCW ）
OE引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
OE引脚 - "L" ：输出为高阻态。
2.7 MAX 。
(1.0)
3.6
(1.0)
5.08
金属可以在该产品的顶部或底部暴露出来。
这不会影响任何质量，可靠性或电气规格。
ST引脚（ SCE）的
ST引脚（ STW ， SHW ， SCW ）
ST引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
ST引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
ST引脚 - "L" ：输出为高阻抗，振荡停止。
ST引脚 - "L" ：输出为低电平（弱上拉 - 下） ，振荡停止。
41
4.6
2.1
晶体振荡器
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
V
DD-
GND
电源
工作电压
V
DD
电压
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
f/f
0
频率稳定度
I
OP
消耗电流
I
OE
禁止输出电流
I
ST
待机电流
税
CMOS电平
TTL电平
TW / T
V
OH
输出电压
V
OL
输出负载条件下（扇出）
OUTPUT ENABLE
CMOS电平
禁止输入电压
TTL电平
CMOS电平
CL
V
IH
V
IL
t
TLH
输出上升时间
TTL电平
CMOS电平
输出下降时间
TTL电平
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
振荡启动时间
老化
耐冲击性
SG-636PHG
SG-636PCG/SCG
2.21675 MHz至33.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
4.5 V至5.5 V
2.7 V至3.6 V
-55
°C
+100
°C
-20
°C
+70
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
mA（最大值） 25 。
mA（最大值） 12 。
mA（最大值） 20 。
mA（最大值） 10 。
—
50
A
马克斯。
—
45 ％至55％的
40％至60％的
—
2.4 V最小。
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
—
V
DD
-0.4 V最大。
—
—
0.4 V最大。
0.4 V最大。
—
25 pF的
2.0 V分钟。
70 % V
DD
分钟。
0.8 V最大。
20 % V
DD
马克斯。
—
3.4 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
1.2 ns（最大值） 。
—
—
2.4 ns（最大值） 。
—
—
—
3.4 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
1.2 ns（最大值） 。
—
—
2.4 ns（最大值） 。
—
—
12 ms以下。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
SG-636PTG
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
-20
°C
+70
°C
空载条件
OE = GND （ P * G）
ST = GND （ SCG ）
50 % V
DD
， CL = 25 pF的
1.4 V级， CL = 25 pF的
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
OE ， ST
OE ， ST
20％至80 ％的V
DD
， CL
≤
25 pF的
0.8至2.0V的CL
≤
25 pF的
0.4 V至2.4 V CL
≤
25 pF的
80 ％至20 ％的V
DD
CL
≤
25 pF的
2.0 V至0.8 V CL
≤
25 pF的
2.4 V至0.4 V CL
≤
25 pF的
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
V
DD
= 5.0 V / 3.3 V ，第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
V
DD-
GND
电源
工作电压
V
DD
电压
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
f/f0
频率稳定度
I
OP
消耗电流
I
OE
禁止输出电流
I
ST
待机电流
税
TW / T
V
OH
V
OL
输出电压
输出负载条件下（扇出）
CL
输出使能禁止输入电压
V
IH
V
IL
输出上升时间
t
TLH
输出下降时间
t
THL
振荡启动时间
老化
耐冲击性
t
OSC
fa
S.R.
SG-636PTW/STW
SG-636PHW/SHW
SG-636PCW/SCW
32.0001 MHz至135.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
5.0 V
±
0.5 V
3.3 V
±
0.3 V
-55
°C
+100
°C
-20
°C
+70
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
mA（最大值） 45 。
28毫安最大。
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 16 。
50
A
马克斯。
40％至60％的
—
—
45 ％至55％的
—
—
—
40％至60％的
40％至60％的
—
45 ％至55％的
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
15 pF的
—
—
5 TTL + 15 pF的
—
—
25 pF的
—
—
—
15 pF的
15 pF的
—
25 pF的
—
—
50 pF的
—
2.0 V分钟。
70 % V
DD
分钟。
0.8 V最大。
20 % V
DD
马克斯。
2.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
2.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
空载条件
OE = GND （ P * W）
ST = GND （S * W）
TTL负载： 1.4 V， CL =最大值。
TTL负载： 1.4 V， 5TTL + 15 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = MAX 。
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = 25 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
I
OH
= -16毫安（ * TW / HW ） / - 8毫安（ * CW）
I
OL
= 16 MA（ * TW / HW） / 8毫安（ * CW）
fo
≤
135兆赫
fo
≤
90兆赫
fo
≤
66.6667 MHz的
fo
≤
135兆赫
fo
≤
90兆赫
fo
≤
66.6667MHz
OE ， ST
OE ， ST
TTL负载： 0.8 V → 2.0 V， CL =最大值。
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V ， CL =最大值。
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 50 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 15 pF的
TTL负载： 2.0 V → 0.8 V， CL =最大值。
TTL负载： 2.4 V → 0.4V ， CL =最大值。
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 50 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 15 pF的
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
VDD = 5.0 V / 3.3 V ，第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
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