晶体振荡器
SOJ高频晶体振荡器
SG- 615系列
产品编号（请参见P1 ）
Q33 6 1 5 X X X X X X X 0 0
高密度安装型SMD 。
通用SMD与耐热圆柱AT切晶体单元
并允许几乎相同的焊接温度为SMD芯片。
圆柱AT晶体单元内置，从而保证了高可靠性。
低电流消耗输出使能功能（ OE ）或待机
函数（ST） 。
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
电源
电压
温度
范围
马克斯。电源电压
工作电压
储存温度
工作温度
符号
f
0
V
DD
-GND
V
DD
T
英镑
T
OPR
f/f
0
IOP
I
OE
t
w
/t
V
OH
V
OL
C
L
N
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
特定网络阳离子
SG-615P
SG-615PTJ
SG-615PH
备注
1.0250 MHz至26.0000 MHz的
26.0001 MHz至66.6667 MHz的
请参阅第31页"Frequency range"
频率稳定度
消耗电流
禁止输出电流
税
输出电压
输出负载
条件（扇出）
输出启用/禁用输入电压
输出上升时间
输出下降时间
振荡启动时间
老化
耐冲击性
注意：
0.3 V至7.0 V
5.0
V±0.5 V
-55 ° C至+125°C
-20
°C
to
+
70
°C
(-40
°C
to
+
85
°C
)
B： ± 50×
10
-6
C： ± 100×
10
-6
23毫安最大。
mA（最大值） 35 。
12
mA最大。
28
mA最大。
20
mA最大。
40％至60％的
—
40％至60％的
45 ％至55％的
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
2.4 V最小。
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
50 pF的最大值。
—
50 pF的最大值。
10 TTL最大。
5 TTL最大。
—
2.0
V分钟。
3.5
V分钟。
2.0
V分钟。
0.8
V最大。
1.5
V最大。
0.8
V最大。
—
7 ns（最大值） 。
8 ns（最大值） 。
5 ns（最大值） 。
—
7 ns（最大值） 。
—
8 ns（最大值） 。
—
5 ns（最大值） 。
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
B型有可能高达55 MHz的
空载条件
OE = GND
CMOS负载： 1 / 2V
DD
TTL负载： 1.4 V
I
OH
= -400 μA （P ， PTJ ） / -4毫安（ PH ）
I
OL
= 16 MA（ P） / 8毫安（ PTJ ） / 4 MA（ PH ）
_
C
L
＆ LT ;
15 pF的
I
IH
= 1 μA以下（ OE = V
DD
)
I
IL
= -100 μA敏（ OE = GND ） ， PTJ ：我
IL
= -500 μA最小（ OE = GND）
CMOS负载： 20
%→
80
%
V
DD
TTL负载： 0.4 V
→
2.4 V
CMOS负载： 80
%→
20
%
V
DD
TTL负载： 2.4 V
→
0.4 V
在4.5 V的时间是0秒
TA = 25 ° C，V
DD
= 5 V ，第一年
4 ms以下。
最大10 ms 。
±5 x 10
-6
/年最大。
±20 x 10
-6
马克斯。
三滴上750毫米的硬板
与29400米/ s或激发试验
2
×0.3毫秒X
在3个方向的1 / 2sine波
除非另有说明，在上表中示出的特性（规格）的基础上，在额定工作温度和电压条件。
外部旁路电容。
（单位：毫米）
#3
外形尺寸
#4
推荐焊接模式
（单位：毫米）
1.3
SG - 615P
20.0000M
ê 9352A
#1
#2
14.0最大
号
9.8 MAX 。
1
2
3
4
8.65
引脚端子
OE或ST
GND
OUT
V
DD
4.7 MAX 。
4.06
0.25
0.51
5.08
0.25分钟。
7.62
注。
OE引脚（P ， PTJ ， PH值， PTW ， PHW ， PCW ， PCN ）
OE引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
OE引脚 - "L" ：输出为高阻态。
8.8
ST引脚（ STW ， SHW ， SCW ）
ST引脚 - "H"或"open" ：指定的频率输出。
ST引脚 - "L" ：输出为低电平（弱上拉 - 下） ，振荡停止。
5.08
43
3.0
晶体振荡器
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
V
DD-
GND
电源
工作电压
V
DD
电压
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
频率稳定度
消耗电流
禁止输出电流
待机电流
税
输出电压
输出负载条件下（扇出）
OUTPUT ENABLE
禁止输入电压
输出上升时间
输出下降时间
振荡启动时间
老化
耐冲击性
f/f
0
I
OP
I
OE
I
ST
TW / T
V
OH
V
OL
CL
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
SG-615PCG
SG-615SCG
SG-615PCN
26.0001 MHz至66.6667 MHz的
1.5000 MHz至26.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
2.7 V至3.6 V
3.0 V至3.6 V
-55
°C
+125
°C
-40
°C
+85
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
M :
±100
x 10-6
mA（最大值） 12 。
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 10 。
—
mA（最大值） 15 。
—
50
A
马克斯。
—
45 ％至55％的
VDD -0.4 V MIN 。
2.2 V最小。
0.4 V最大。
0.4 V最大。
25 pF的
15 pF的
70 % V
DD
分钟。
70 % V
DD
分钟。
20 % V
DD
马克斯。
30 % V
DD
马克斯。
4.0 ns（最大值） 。
7纳秒
4.0 ns（最大值） 。
7纳秒
12 ms以下。
最大10 ms 。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
-20
°C
+70
°C
-40
°C
+85
°C
空载条件
OE = GND （ PCG / PCN ）
ST = GND （ SCG ）
50 % V
DD
， CL = MAX 。
I
OH
= -8毫安
I
OL
= 8毫安
OE ， ST
OE ， ST
20％至80 ％的V
DD
， CL
≤
马克斯。
80 ％至20 ％的V
DD
CL
≤
马克斯。
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
V
DD
= 3.3 V第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
规格（特征）
项
符号
特定网络阳离子
输出频率范围
f
O
马克斯。电源电压
电源
V
DD-
GND
工作电压
电压
V
DD
储存温度
T
英镑
温度
工作温度
T
OPR
范围
频率稳定度
消耗电流
禁止输出电流
待机电流
f/f
0
I
OP
I
OE
I
ST
税
TW / T
输出电压
V
OH
V
OL
输出负载条件下（扇出）
CL
输出使能禁止输入电压
V
IH
V
IL
输出上升时间
t
TLH
输出下降时间
t
THL
振荡启动时间
老化
耐冲击性
t
OSC
fa
S.R.
SG-615PTW/STW
SG-615PHW/SHW
55.0001 MHz至135.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
5.0 V
±
0.5 V
-55
°C
+100
°C
-20
°C
+70
°C
B :
±50
x 10
-6
C :
±100
x 10
-6
—
mA（最大值） 45 。
mA（最大值） 30 。
50
A
马克斯。
40％至60％的
—
45 ％至55％的
—
—
40％至60％的
—
45 ％至55％的
—
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
15 pF的
—
5 TTL + 15 pF的
—
25 pF的
—
—
15 pF的
—
25 pF的
—
50 pF的
—
—
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
2.0 ns（最大值） 。
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
—
4.0ns最大。
2.0 ns（最大值） 。
—
4.0 ns（最大值） 。
—
—
3.0 ns（最大值） 。
—
—
—
4.0ns最大。
最大10 ms 。
±5
x 10
-6
/年最大。
±20
x 10
-6
马克斯。
SG-615PCW/SCW
26.0001 MHz至135.0000 MHz的
3.3 V
±
0.3 V
-40
°C
+85
°C
M :
±100
x 10
-6
28毫安最大。
mA（最大值） 16 。
—
—
40％至60％的
—
45 ％至55％的
备注
请参阅第31页"Frequency range"
拆包后的裸存
请参阅第31页"Frequency range"
-20
°C
+70
°C
-40
°C
+80
°C
空载条件
OE = GND （ P * W）
ST = GND （S * W）
TTL负载： 1.4 V， CL =最大值。
TTL负载： 1.4 V， 5TTL + 15 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = MAX 。
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = 25 pF的， FO
≤
66.6667 MHz的
CMOS负载： 50 ％V
DD
， CL = 25 pF的， FO
≤
40.0兆赫
I
OH
= -16毫安（ * TW / * HW ） / - 8毫安（ * CW）
I
OL
= 16 MA（ * TW / * HW） / 8毫安（ * CW）
fo
≤
135兆赫
fo
≤
90兆赫
fo
≤
66.6667 MHz的
fo
≤
135兆赫
fo
≤
125兆赫
fo
≤
66.6667MHz
fo
≤
40.0兆赫
OE ， ST
OE ， ST
TTL负载： 0.8 V → 2.0 V， CL =最大值。
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V ， CL =最大值。
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = 15 pF的
CMOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
， CL = MAX 。
TTL负载： 2.0 V → 0.8 V， CL =最大值。
TTL负载： 2.4 V → 0.4 V， CL =最大值。
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 25 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = 15 pF的
CMOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
， CL = MAX 。
最低工作电压的时间是0秒
Ta=+25
°C,
VDD = 5.0 V / 3.3 V ，第一年
三滴在硬板750毫米
与29400米/ S2 ×0.3毫秒（1/2）激发试验
在3个方向的正弦波
—
—
—
15 pF的
—
—
30 pF的
0.7 V
DD
分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
4.0ns最大。
—
—
—
3.0 ns（最大值） 。
4.0ns最大。
44
QQ：2881677436 复制
