初步
固态器件， INC 。
SFT8600/4
1安培
1000伏
NPN晶体管
CLCC-4
14005期路*圣塔菲泉，钙90670
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
设计师的数据表
产品特点：
BVCER到1000伏
极低的饱和电压
非常低的漏
高增益为20 mA至250毫安
金共晶芯片粘接
在JEDEC 2N5010-15系列卓越的性能
高速交换TF = 0.4 ：■ TYP
最大额定值
集电极 - 发射极电压
( R
BE
= 1KS ）
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25
o
C
@ T
A
= 25
o
C
减免上述@ T
C
= 25
o
C
工作和存储温度
热阻，
结到外壳
结到环境
电气特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mADC ）
(I
C
= 20 ： ADC ，R
BE
= 1KS ）
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 20 ： ADC ）
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 20 ： ADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 800VDC ）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J,
T
STJ
R
2JC
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
价值
400
1000
1000
6
1
100
1.0
0.4
5.7
-65到+200
175
440
民
400
1000
1000
6
-
最大
-
-
-
10
单位
伏
伏
伏
安培
mA
W
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C / W
单位
V
V
V
:A
数据表＃ ： TR0003B
SFT8600/4
电气特性
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 400V
DC
)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4V
DC
)
直流电流增益*
(I
C
= 5毫安
DC ，
V
CE
= 5V
DC
)
(I
C
= 10毫安
DC ，
V
CE
= 5V
DC
)
(I
C
= 100毫安
DC ，
V
CE
= 5V
DC
)
(I
C
= 250毫安
DC ，
V
CE
= 5V
DC
)
集电极 - 发射极饱和电压*
(I
C
= 20mA下
DC ，
I
B
= 2毫安
DC
)
(I
C
= 100毫安
DC ，
I
B
= 10毫安
DC
)
基射极饱和电压*
(I
C
= 20mA下
DC ，
I
B
= 2毫安
DC
)
(I
C
= 100毫安
DC ，
I
B
= 10毫安
DC
)
电流增益带宽积
(I
C
= 100毫安
DC ，
V
CE
= 10V
DC ，
F = 10MHz时）
输出电容
(V
CB
= 20V
DC ，
I
E
= 0A
DC ，
F = 1.0MHz的）
延迟时间
(V
CC
= 125V
DC
,
上升时间
I
C
= 100毫安
DC ，
I
B1
= 20mA下
DC ，
贮存时间
I
B2
= 40毫安
DC
)
下降时间
*脉冲测试：脉冲宽度= 300
:
S，占空比= 2 ％
初步
14005期路*圣塔菲泉，钙90670
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
固态器件， INC 。
民
-
-
30
40
20
15
符号
I
首席执行官
I
EBO
的hFE
最大
10
1
单位
:
A
:
A
200
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SET）
fT
C
ob
t
d
t
r
t
s
t
f
0.3
0.5
V
DC
V
DC
兆赫
pf
纳秒
纳秒
：秒
纳秒
-
8
-
-
0.8
1.0
-
15
50
150
3
800
案例外形： CLCC - 4
引脚1 ：收藏家
引脚2 ：发射器
3脚：基本
引脚4 ：N / C
QQ：2880707522 复制
