固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT502和SFT504
系列
5 AMP
200伏
高速
NPN晶体管
产品特点：
耐辐射
快速开关
高频率， 50MHz的典型
BVCEO 150伏民
高线性增益
极低的泄漏和饱和度
200 ° C工作温度
金共晶芯片粘接
专为配套使用带有SFT501和
SFT503
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFT502 __ __
SFT504 __ __
| + SCRE
效果图创作
2/
__
=不是屏幕
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S
= S级
+
包
3/
__
- TO-5
1/
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
继续集电极电流
基极电流
功耗
@ TC = 50℃
减免上述50℃
工作&储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
热门& TSTG
结到外壳
R
θJC
价值
150
200
7
5
1
10
66.6
-65到+200
15
单位
伏
伏
伏
安培
安培
W
毫瓦/℃
C
摄氏度/ W
最大热阻
TO-5
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
B176H
数据表＃ ： TR0041C
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
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SFT502和SFT504
系列
电气特性
4/
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 截止电流
集电极 - 截止电流
发射器 - 截止电流
直流电流增益*
SFT502
I
C
= 50毫安
I
C
= 200A
I
E
= 200A
V
CE
= 100 V
V
CB
= 100 V
V
EB
= 6 V
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 2.5A
V
CE
= 5V ，我
C
= 5A
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 2.5A
V
CE
= 5V ，我
C
= 5A
I
C
= 2.5A ，我
B
= 250毫安
I
C
= 5.0A ，我
B
= 500毫安
I
C
= 2.5A ，我
B
= 250毫安
I
C
= 5.0A ，我
B
= 500毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.5A ， F = 10MHz时
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
V
BE
= 10V ，我
C
= 0A ， F = 1MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
民
150
200
7
––
––
––
20
30
20
50
50
40
––
––
––
––
70
––
––
––
––
––
––
典型值
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
最大
––
––
––
1
500
500
––
––
––
––
––
––
0.75
1.5
1.3
1.5
––
225
900
50
250
900
300
单位
伏
伏
伏
A
nA
nA
SFT504
h
FE
––
集电极 - 发射极饱和电压*
基地 - 发射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
c
ob
C
ib
t
d
伏
伏
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
CC
= 50V,
I
C
= 5A,
I
B1
= I
B2
= 0.5A
t
r
t
S
t
f
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格和可用性，请联系工厂。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性@ 25C 。
可用型号：
SFT502
SFT504
包
TO-5
引脚分配
销1
辐射源
销2
BASE
引脚3 （案例）
集热器
QQ：2880707522 复制
