固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFT501 / G和SFT503 / G
系列
5 AMP
200伏
PNP高速
功率晶体管
特点
= BV
首席执行官
150V最小
快速开关
高频率， 80MHz的典型
高线性增益（ SFT503 / G）
低饱和电压和漏
200
o
C操作，金共晶芯片粘接
专为免费使用与
SFT502 / G和SFT504 / G
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFT501 / G
SFT503 / G
TX
TX
筛选
2/
:
_ =不屏蔽
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S
=空间层次
极性：
_ =正常
R
=反转
3/
G
包装：
- CERPACK
1/
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
工作和存储温度
器件总功耗@ T
C
=
100
o
C
减免上述100
o
C
热阻，结到外壳
可用型号：
SFT501/G
SFT503/G
SFT501/GR
SFT503/GR
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
T
J,
T
英镑
P
D
R
θ
JC
CERPACK
价值
200
150
7.0
5.0
1.0
-65到+200
10
0.10
1.8
单位
伏
伏
伏
安培
安培
o
C
W
W/
o
C
o
C / W
引脚分配
CODE
-
R
功能
正常
反向
BASE
集热器
销1
BASE
销2
BASE
辐射源
集电极发射极
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0018C
SFT501 / G和SFT503 / G
系列
电气特性
4/
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 50
mA
)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 200
A)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 200
A)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100 V
DC
)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 100 V
DC
)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6 V
DC
)
直流电流增益*
(V
CE
= 5.0V
DC
)
(SFT501)
(SFT503)
(I
C
= 50毫安
DC
)
(I
C
= 2.5 A
DC
)
(I
C
= 5.0 A
DC
)
(I
C
= 50毫安
DC
)
(I
C
= 2.5 A
DC
)
(I
C
= 5.0 A
DC
)
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
民
150
200
7
-
-
-
最大
-
-
-
500
1
500
单位
V
V
V
nA
A
nA
h
F
E
20
30
20
50
50
40
-
-
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.75
1.5
1.3
1.5
-
225
600
50
250
900
300
V
DC
V
DC
兆赫
pf
pf
ns
ns
ns
ns
集电极 - 发射极饱和
(I
C
= 2.5 A
DC ，
I
B
= 250毫安
DC
)
(I
C
= 5.0 A
DC ，
I
B
= 500毫安
DC
)
电压*
基射极饱和
电压*
(I
C
= 2.5 A
DC ，
I
B
= 250毫安
DC
)
(I
C
= 5.0 A
DC ，
I
B
= 500毫安
DC
)
V
CE （ SAT ）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
C
ib
t
d
t
r
t
s
t
f
电流增益带宽积
(I
C
= 500毫安
DC ，
V
CE
= 5 V
DC ，
F = 10兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 V
DC ，
I
E
= 0 A
DC ，
F = 1.0兆赫）
输入电容
(V
BE
= 10 V
DC ，
I
C
= 0 A
DC ，
F = 1.0兆赫）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格和可用性，请联系工厂。
2 /筛选符合MIL -PRF- 19500 。
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /所有的电气特性@ 25
o
C，除非另有规定ED 。
(V
CC
= 50 V
DC ，
I
C
= 5 A
DC
,
I
B1
= I
B2
= 500毫安
DC
)
QQ：2881677436 复制
