固态器件， INC 。
SFT3904A2
系列
双超小型封装
200毫安40伏
双NPN晶体管
产品特点：
高速开关晶体管
多个器件减少电路板空间
高功率耗散高达600毫瓦/设备
替代2N3904AU
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
PNP提供免费的部件（ SFT3906A2 ）
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFT3904A2
__ __
│ └
SCRE
效果图创作
2/
__
=商业
│
TX = TX水平
│
TXV = TXV水平
│
S =个级别。
│
└
包
GW =鸥翼
最大额定值
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
继续集电极电流
功耗@ TC = 25°C
工作&储存温度
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
热门& TSTG
R
θJC
40
60
6
200
600
-65到+200
0.29
伏
伏
伏
毫安
mW
C
° C /毫瓦
最大热阻
（结点到外壳）
鸥翼（ GW ）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0034 B
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT3904A2
系列
符号
民
最大
单位
电气特性
4/
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流正向电流传输比
*
I
C
= 1毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
VCE = 30 V ， Vbe的= - 3.0 V
VCB = 30 V
VEB = 3.0 V
V
CE
= 1.0V ，我
C
- 0.1毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 1.0毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 100毫安
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
40
60
6
––
––
––
40
70
100
60
30
––
––
0.65
––
300
––
––
––
––
––
––
100
––
––
––
––
50
50
50
––
––
300
––
––
0.2
0.3
0.85
0.95
––
4.0
8.0
35
35
200
50
400
5.0
伏
伏
伏
nA
nA
nA
H
FE
集电极 - 发射极饱和电压*
基地 - 发射极饱和电压*
频率转换
输出电容
输入电容
导通延迟时间
上升时间
切换时间
贮存时间
下降时间
小信号电流增益
中（f = 1 kHz）的
噪声系数
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA下
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
V
CE
= 0.5V ， F = 1MHz的
VCC = 3V ， IC = 10毫安
IB1 = 1mA时， IB2 = -1mA
VBE （关闭） = 0.5 V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安
f
T
c
ob
c
ib
td
tr
ts
tf
h
fe
NF
伏
伏
兆赫
pF
pF
秒
IC = 100微安，的Vce = 5 V ，卢比= 1.0千欧， F = 1千赫
db
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格和供货情况联系
工厂。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性
@25C.
引脚分配
销2
3脚
引脚4
Base1
Emitter1
Collector2
可用型号：
SFT3904A2GW
包
GW
销1
Collector1
5脚
Base2
引脚6
Emitter2
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT3904A2
系列
双超小型封装
800毫安75伏特
双NPN晶体管
产品特点：
高速开关晶体管
多个器件减少电路板空间
高功率耗散高达600毫瓦/设备
替代2N3904AU
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
PNP提供免费的部件（ SFT3906A2 ）
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFT3904A2
__ __
│ └
SCRE
效果图创作
2/
__
=商业
│
TX = TX水平
│
TXV = TXV水平
│
S =个级别。
│
└
包
GW =鸥翼
最大额定值
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
继续集电极电流
功耗@ TC = 25°C
工作&储存温度
V
首席执行官
V
CBO
V
CBO
I
C
P
D
热门& TSTG
R
θJC
40
60
6
200
600
-65到+200
0.29
伏
伏
伏
毫安
mW
C
° C /毫瓦
最大热阻
（结点到外壳）
鸥翼（ GW ）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TR0034一
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFT3904A2
系列
符号
民
最大
单位
电气特性
4/
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流正向电流传输比
*
I
C
= 1毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
VCE = 30 V ， Vbe的= - 3.0 V
VCB = 30 V
VEB = 3.0 V
V
CE
= 1.0V ，我
C
- 0.1毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 1.0毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 1.0V ，我
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA下
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
V
CE
= 0.5V ， F = 1MHz的
VCC = 3V ， IC = 10毫安
IB1 = 1mA时， IB2 = -1mA
VBE （关闭） = 0.5 V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
40
60
6
––
––
––
40
70
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60
30
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––
0.65
––
300
––
––
––
––
––
––
100
––
––
––
––
50
50
50
––
––
300
––
––
0.2
0.3
0.85
0.95
––
4.0
8.0
35
35
200
50
400
5.0
伏
伏
伏
nA
nA
nA
H
FE
集电极 - 发射极饱和电压*
基地 - 发射极饱和电压*
频率转换
输出电容
输入电容
导通延迟时间
上升时间
切换时间
贮存时间
下降时间
小信号电流增益
中（f = 1 kHz）的
噪声系数
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
c
ob
c
ib
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NF
伏
伏
兆赫
pF
pF
秒
IC = 100微安，的Vce = 5 V ，卢比= 1.0千欧， F = 1千赫
db
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％
1 /有关订购信息，价格和供货情况联系
工厂。
每MIL -PRF - 19500 2 /筛选
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性
@25C.
引脚分配
销2
3脚
引脚4
Base1
Emitter1
Collector2
可用型号：
SFT3904A2GW
包
GW
销1
Collector1
5脚
Base2
引脚6
Emitter2
QQ：2881677436 复制
