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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1268页 > SFT1443
订购数量： ENA1896
SFT1443
三洋半导体
数据表
SFT1443
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS （ ON） 1 = 180米
Ω
（典型值）。
4V DRIVE
输入电容西塞= 490pF （典型值）。
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
9
36
1
19
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7518-004
6.5
5.0
1.5
4
2.3
0.5
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7003-004
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
1
0.5
0.6
2
0.8
1.2
3
0吨 0.2
1.2
0.6
1
2
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： TP
2.5
0.85
0.7
5.5
7.0
0.85
0.5
1.2
2.3
2.3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： TP -FA
2.3
2.3
产品&包装信息
封装： TP
JEITA ， JEDEC ： SC- 64 ， TO- 251 ， SOT- 553 ， DPAK
最小包装数量： 500个/包。
产品&包装信息电气连接
封装： TP -FA
JEITA ， JEDEC ： SC- 63 ， TO- 252 ， SOT- 428 ， DPAK
最小包装数量： 700个/卷。
2,4
标记（ TP ， TP -FA ）
T1443
LOT号
包装类型（ TP - FA ） ： TL
1
TL
3
http://semicon.sanyo.com/en/network
D1510PA TKIM TC- 00002450号A1896-1 / 4
SFT1443
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 100V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4.5A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 1.5A ， VGS = 4.5V
ID = 1.5A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 9A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 9A
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 9A
IS = 9A ， VGS = 0V
评级
民
100
1
±10
1.5
4
180
195
205
490
34
19
8
10
34
24
9.8
1.8
1.6
1.03
1.2
225
275
290
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=50V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=4.5A
RL=11.1Ω
VOUT
P.G
SFT1443
50Ω
S
9
8
7
ID - VDS
Tc=-25
°
C
10
.
0V
8.0
V
10
ID - VGS
VDS=10V
4.5
6.0
V
V
4.0V
9
8
漏极电流ID -
V
漏极电流ID -
6
5
4
3
2
16
7
6
5
4
.0
3.5V
0
VGS=2.5V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IT16177
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
°
3.5
1
1
TC =
7
3.0V
2
C
--25
°
C
4.0
3
5
°
C
4.5
漏极至源极电压VDS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
IT16178
第A1896-2 / 4
SFT1443
450
RDS （ ON） - VGS
Tc=25
°
C
ID=1.5A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
RDS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
400
350
3.0A
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
3.0
I D =
,
.0V
=10
V GS
=4
GS
V
=1
I
V，D
.0
.5A
VG
=
S
=1
ID
V,
4.5
.5A
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
|
y
fs
|
- ID
IT16179
10
7
5
3
2
外壳温度，TC -
°
C
IT16180
IS - VSD
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
VDS=10V
VGS=0V
25
°
C
0.01
7
5
3
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT16182
漏极电流ID -
100
7
10
IT16181
1000
7
5
7
0.001
SW时间 - ID
TD （关闭）
西塞，科斯，的Crss - VDS
西塞
二极管的正向电压， VSD - V
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
VDD=50V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
Tc=7
5
°
--25
°
C
5
°
C
TC = --2
75
°
C
源出电流，是 - 个
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
C
25
°
C
f=1MHz
3
2
tf
10
7
5
3
2
1.0
0.1
TD （上）
tr
100
7
5
3
2
10
科斯
CRSS
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
漏极电流ID -
10
9
5 7 100
IT16183
0
5
10
15
20
25
30
IT16184
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
100
7
5
3
2
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=50V
ID=9A
漏极电流ID -
IDP = 36A （ PW≤10μs ）
ID=9A
DC
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
μ
10
ms
OPE
RAT
离子
s
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
10
0
μ
s
1m
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
10
0m
s
0.01
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
IT16185
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT16186
第A1896-3 / 4
SFT1443
1.2
PD - TA
允许功耗， PD - 含
25
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
1.0
20
19
0.8
15
0.6
10
0.4
0.2
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT16187
外壳温度，TC -
°C
IT16188
注意使用情况：由于SFT1443是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或
否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的12月， 2010年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1896-4 / 4
订购数量： ENA1896A
SFT1443
N沟道功率MOSFET
100V ，9A ， 225米
Ω
，单TP / TP -FA
特点
http://onsemi.com
导通电阻RDS （ ON） 1 = 180米
Ω
（典型值）。
无卤合规
输入电容西塞= 490pF （典型值）。
在保护二极管
4V DRIVE
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
100
±20
9
36
1
19
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7518-004
6.5
5.0
1.5
4
2.3
0.5
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7003-004
SFT1443-H
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
SFT1443-TL-H
7.0
5.5
0.8
1.6
7.5
1
0.5
0.6
2
0.8
1.2
3
0 0.2
1.2
0.6
2.5
0.85
0.7
5.5
7.0
0.85
0.5
1.2
1
2
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
TP
2.3
2.3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
TP -FA
2.3
2.3
产品&包装信息
封装： TP
JEITA ， JEDEC ： SC- 64 ， TO- 251
最小包装数量： 500个/包。
封装： TP -FA
JEITA ， JEDEC ： SC- 63 ， TO- 252
最小包装数量： 700个/卷。
2,4
记号
（ TP ， TP -FA ）
包装类型（ TP - FA ） ： TL
T1443
LOT号
TL
电气连接
1
3
半导体元件工业有限责任公司， 2013
七月， 2013
60612 TKIM / D1510PA TKIM TC- 00002450号A1896-1 / 9
SFT1443
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 9A ， VGS = 0V
VDS = 50V ，V GS = 10V ，ID = 9A
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 20V ， F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 100V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 4.5A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 1.5A ， VGS = 4.5V
ID = 1.5A ， VGS = 4V
评级
民
100
1
±10
1.5
4
180
195
205
490
34
19
8
10
34
24
9.8
1.8
1.6
1.03
1.2
225
275
290
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VIN
VDD=50V
10V
0V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID=4.5A
RL=11.1Ω
VOUT
P.G
SFT1443
50Ω
S
订购信息
设备
SFT1443-H
SFT1443-TL-H
包
TP
TP -FA
航运
500pcs./bag
700pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1896-2 / 9
SFT1443
9
8
7
ID - VDS
Tc=-25
°
C
10
.
0V
8.0
V
10
ID - VGS
VDS=10V
V
4.5
6.0
V
4.0V
9
8
漏极电流ID -
V
漏极电流ID -
6
5
4
3
2
16
7
6
5
4
.0
3.5V
0
VGS=2.5V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IT16177
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
°
3.5
1
1
TC =
7
3.0V
2
C
--25
°
C
4.0
3
5
°
C
4.5
漏极至源极电压VDS - V
450
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
450
RDS （ ON） - 锝
IT16178
Tc=25
°
C
ID=1.5A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
400
350
400
350
300
250
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3.0A
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
3.0
I D =
,
.0V
=10
V GS
=4
GS
V
.0
=1
， ID
V
.5A
=
S
VG
.5A
=1
， ID
.5V
4
栅极 - 源极电压VGS - V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
|
y
fs
|
- ID
IT16179
10
7
5
3
2
外壳温度，TC -
°
C
IT16180
IS - VSD
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
VDS=10V
VGS=0V
25
°
C
0.01
7
5
3
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT16182
漏极电流ID -
100
7
10
IT16181
1000
7
5
7
0.001
SW时间 - ID
TD （关闭）
西塞，科斯，的Crss - VDS
西塞
二极管的正向电压， VSD - V
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
VDD=50V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
Tc=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
5
°
C
TC = --2
75
°
C
源出电流，是 - 个
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
f=1MHz
3
2
tf
10
7
5
3
2
1.0
0.1
TD （上）
tr
100
7
5
3
2
10
科斯
CRSS
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
漏极电流ID -
5 7 100
IT16183
0
5
10
15
20
25
30
IT16184
漏极至源极电压VDS - V
第A1896-3 / 9
SFT1443
10
9
VGS - 的Qg
VDS=50V
ID=9A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = 36A （ PW≤10μs ）
ID=9A
DC
o
10
μ
10
ms
每
ATIO
n
s
10
0
1m
s
μ
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
10
0m
s
0.01
0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
1.2
PD - TA
IT16185
25
漏极至源极电压VDS - V
PD - 锝
5 7 100
IT16186
允许功耗， PD - 含
1.0
允许功耗， PD - 含
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
19
0.8
15
0.6
10
0.4
0.2
5
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT16187
外壳温度，TC -
°C
IT16188
第A1896-4 / 9
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