订购数量： ENA1169A
SFT1202
三洋半导体
数据表
SFT1202
应用
NPN外延平面硅晶体管
高压开关的应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，逆变器
采用FBET的， MBIT过程
低集电极 - 发射极饱和电压
高允许功耗
特点
电流容量大
高速开关
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
条件
评级
180
180
150
7
2
3
400
单位
V
V
V
V
A
A
mA
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7518-003
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7003-003
SFT1202-E
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
SFT1202-TL-E
7.0
5.5
0.8
1.6
0.6
1
2
3
7.5
1
0.5
0.6
2
0.8
1.2
3
0 0.2
1.2
2.5
0.85
0.7
5.5
7.0
0.85
0.5
1.2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP
2.3
2.3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP -FA
2.3
2.3
产品&包装信息
封装： TP
JEITA ， JEDEC ： SC- 64 ， TO- 251
最小包装数量： 500个/包。
封装： TP -FA
JEITA ， JEDEC ： SC- 63 ， TO- 252
最小包装数量： 700个/卷。
记号
（ TP ， TP -FA ）
T1202
LOT号
包装类型（ TP - FA ） ： TL
电气连接
2,4
1
TL
3
http://www.sanyosemi.com/en/network/
80812 TKIM / 73008EA TIIM TC- 00001478号A1169-1 / 9
SFT1202
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
1
15
150
-
-55到+150
单位
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
VCB = 80V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC =百毫安
VCE = 10V ， IC = 300毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1A ， IB =百毫安
IC = 0.5A ， IB = 50毫安
IC = 1A ， IB =百毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 100μA ， RBE = 0Ω
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
180
180
150
7
50
1460
70
200
140
12
110
65
0.85
165
100
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
1
1
560
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
IB1
产量
IB2
RB
RL
50Ω
+
100μF
VBE = --5V
+
470μF
VCC=75V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 0.5A
订购信息
设备
SFT1202-E
SFT1202-TL-E
包
TP
TP -FA
航运
500pcs./bag
700pcs./reel
备忘录
无铅
第A1169-2 / 9
QQ：2881677436 复制
