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先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 10
A
（最大值） @ V
DS
= -250V
低R
DS （ ON）
: 0.549
（典型值）。
1
2
3
SFS9644
BV
DSS
= -250 V
R
DS （ ON）
= 0.8
I
D
= -4.9 A
TO-220F
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25 C)
连续漏电流（T
C
=100 C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25 C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
o
2
O
1
O
1
O
3
O
o
o
价值
-250
-4.9
-3.8
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / C
o
-20
+ 30
_
150
-4.9
4.0
-4.8
40
0.32
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
特征
结到外壳
结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
3.13
62.5
单位
o
C / W
版本B
1999仙童半导体公司
SFS9644
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
-250
--
-2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-0.22
--
--
--
--
--
--
5.2
175
65
14
21
47
18
45
8.7
23.4
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
0.8
--
265
100
40
50
105
45
58
--
--
nC
ns
A
pF
V
o
P沟道
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=-250A
参见图7
V
DS
=-5V,I
D
=-250A
V
GS
=-30V
V
GS
=30V
V
DS
=-250V
V
DS
=-200V,T
C
=125 C
V
GS
=-10V,I
D
=-2.5A
V
DS
=-40V,I
D
=-2.5A
4
O
4
O
o
V / C I
D
=-250A
V
nA
1205 1565
V
GS
=0V,V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=-125V,I
D
=-8.6A,
R
G
=9.1
见图13
4
5
OO
V
DS
=-200V,V
GS
=-10V,
I
D
=-8.6A
参见图6 &图12
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
210
1.82
-4.9
-20
-5.0
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
= 25℃ ，我
S
=-4.9A,V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-8.6A
di
F
/dt=100A/s
4
O
o
o
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2
O
L = 10MH ，我
AS
= -4.9A ，V
DD
= -50V ，R
G
=27
*
，起始物为
J
=25
o
C
_
_
_
3
O
I
SD
＆ LT ;
-8.6A ， di / dt的
＆ LT ;
450A / μs的，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25
o
C
_
4
O
脉冲测试：脉冲宽度= 250
s,
占空比
＆ LT ;
2%
5
O
基本上是独立工作温度
P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
SFS9644
如图2传输特性
[A]
-I
D
，漏电流
[A]
上图：
1
10
-I
D
，漏电流
- 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
下图： - 4.5 V
10
1
150
o
C
10
0
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
- 55
o
C
2. V = -40 V
DS
3. 250
s脉冲测试
0
10
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
-1
10
-1
10
0
1
10
10
-1
2
4
6
8
10
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
图3.导通电阻与漏电流
2.0
[A]
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
-I
DR
，反向漏电流
10
1
1.5
V = -10 V
GS
1.0
10
0
150
o
C
25
o
C
10
-1
0.5
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. 250
s脉冲测试
0.5
V = -20 V
GS
0.0
0
7
14
21
28
@注： T = 25
o
C
J
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
C
国际空间站
= C
gs
+ C ( C
ds
=短路）
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
2500
[ pF的]
-V
GS
，栅源电压
2000
C
国际空间站
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= -50 V
V = -125 V
DS
V
DS
= -200 V
电容
1500
C
OSS
1000
C
RSS
500
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. F = 1 MHz的
5
@注： I = -8.6一
D
0
0
10
20
30
40
50
0
10
0
1
10
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
SFS9644
漏源击穿电压
P沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
[A]
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
-bv ， （归一化）
DSS
1.0
-I
D
，漏电流
1.1
10
1
150
o
C
10
0
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
- 55
o
C
2. V = -40 V
DS
3. 250
s脉冲测试
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = -250
A
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
-75
10
-1
2
4
6
8
10
T
J
，结温[
o
C]
-V
GS
，栅源电压[V]
[A]
图9.最大。安全工作区
10
2
图10.最大。漏电流与外壳温度
6
-I
D
，漏电流
[A]
-I
D
，漏电流
0.1毫秒
1毫秒
10毫秒
DC
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
5
10
1
4
3
10
0
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
2
1
10
-1
10
0
10
1
0
25
50
75
100
o
125
150
-V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
10
- 1
0.02
0.01
单脉冲
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=3.13
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
o
P
.
DM
t
1.
t
2.
Z
θ
JC
(t) ,
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
P沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SFS9644
“电流调节器”
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
-10V
V
DS
V
GS
DUT
-3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
-10V
V
OUT
90%
t
on
t
关闭
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
t
D（上）
V
in
10%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
t
p
I
D
V
DD
时间
V
DS
(t)
R
G
DUT
-10V
t
p
C
V
DD
I
D
(t)
I
AS
BV
DSS
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