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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第260页 > SFP45N03L
SEMIWELL
半导体
SFP45N03L
逻辑N沟道MOSFET
特点
■
■
■
■
■
■
低R
DS
（上） （ 0.018Ω ） @V
GS
=10V
低栅极电荷（典型17.5nC ）
低的Crss （典型值110pF ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 175 ° C）
符号
●
2.漏
1.门
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有低
与出色的开关性能的栅极电荷，并且坚固耐用
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
TO-220
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
30
45
32.3
180
单位
V
A
A
A
V
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
±
20
220
7.0
75
0.5
- 55 ~ 175
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
2.0
-
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
九月， 2002年修订版0 。
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
1/7
SFP45N03L
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V ，T
C
= 150 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 22.5A
V
GS
= 5 V，I
D
= 22.5A
-
-
30
-
-
-
-
0.03
-
-
-
-
1
10
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
1.0
-
-
-
0.013
0.019
3.0
0.018
0.025
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
880
370
110
1140
480
140
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=24V, V
GS
= 5V ，我
D
=45A
※
参照图12 。
（注4,5）
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 22.5A ，R
G
=50
※
参见图。 13 。
（注4,5）
20
60
45
60
17.5
5.0
7.5
50
130
100
130
23
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 110uH ，我
AS
= 45A ，V
DD
= 15V ，R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=
25°C
3. ISD
≤
45A ， di / dt的
≤
300A / us的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
=45A,V
GS
=0V,dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
35
30
马克斯。
45
180
1.5
-
-
单元。
A
V
ns
nC
2/7
SFP45N03L
图1.在国家特色
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
如图2传输特性
10
2
10
2
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
1
175 C
25 C
-55 C
o
o
o
10
0
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 15V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
-1
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
50
图4.在国家电流与
允许外壳温度
10
2
R
DS （ ON）
,
漏源导通电阻[ mΩ的]
V
GS
= 5V
30
I
DR
，反向漏电流[ A]
40
V
GS
= 10V
10
1
20
10
0
175
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
10
※
注：t
J
= 25
℃
0
0
50
100
150
200
250
300
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
2500
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
2000
10
V
DS
= 15V
V
DS
= 24V
电容[ pF的]
1500
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
8
6
1000
C
国际空间站
C
OSS
4
500
2
※
注：我
D
= 45.0 A
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
DS
，漏源电压[V]
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
3/7
SFP45N03L
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
2.5
图8.导通电阻变化
- 结温
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 22.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
50
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图10.最大漏极电流
与外壳温度
I
D
，漏电流[ A]
10
2
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
40
I
D'
漏电流[ A]
30
10
1
20
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
10
10
0
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
10
-1
10
0
10
1
0
25
50
75
100
125
o
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C'
外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
0
D = 0.5
0 .2
0 .1
※
OTES ：
1. Z
θ
JC
= 2.0
℃
/女男斧头。
(t)
2。D UTY F交流器，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-1
0.0 5
0.02
0.0 1
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q U A再W上的已经P ü LSE 市建局TIO N [ SE C]
4/7
SFP45N03L
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
50K
Ω
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
5V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
1mA
收费
图13.开关时间测试电路波形&
V
DS
R
L
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
5V
脉冲
发电机
R
G
DUT
V
in
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
V
DS
I
D
R
G
L
V
DD
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
I
D
(t)
10V
DUT
V
DD
t
p
V
DS
(t)
时间
5/7
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SFH2430
SG117AK
SIHFU9020-E3
SLIN-12F2A0
S29GL064A10BFIR20
SRAH-02A330
SC2128C-C94D
SD150R08MBC
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