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先进的功率MOSFET

特点

n

雪崩坚固的技术

n

坚固的门栅氧化层技术

n

较低的输入电容

n

改进的栅极电荷

n

扩展安全工作区

n

低漏电流： 10

A

（最大值） @ V

DS

= -100V

n

低

DS （ ON）

: 0.912

（典型值）。

SFM9110

BV

DSS

= -100 V

R

DS （ ON）

= 1.2

I

D

= -1.0 A

SOT-223

2

1

3

1.门2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

A

=25 C)

连续漏电流（T

A

=70 C)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

A

=25 C) *

线性降额因子*

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

o

2

O

1

O

1

O

3

O

o

o

价值

-100

-1.0

-0.7

1

O

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / C

o

-8.0

±30

53

-1.0

0.25

-6.5

2.52

0.02

- 55 + 150

o

C

300

热阻

符号

R

θJA

特征

结到环境*

典型值。

--

马克斯。

50

单位

o

C / W

*

当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）。

版本B

SFM9110

电气特性

(T

C

=25

o

C除非另有说明）

符号

BV

DSS

ΔBV / ΔT

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

分钟。典型值。马克斯。单位

-100

--

-2.0

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

-0.1

--

--

--

--

--

--

1.3

260

50

17

10

20

25

12

9

1.5

4.3

--

--

-4.0

-100

100

-10

-100

1.2

--

335

80

25

30

50

60

35

10

--

--

nC

ns

pF

A

S

V

o

P沟道

功率MOSFET

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=-250A

参见图7

V

DS

=-5V,I

D

=-250A

V

GS

=-20V

V

GS

=20V

V

DS

=-100V

V

DS

=-80V,T

C

=125 C

V

GS

=-10V,I

D

=-0.5A

V

DS

=-40V,I

D

=-0.5A

4

O

4

O

o

V / C I

D

=-250A

V

nA

V

GS

=0V,V

DS

= -25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=-50V,I

D

=-3.6A,

R

G

=24

见图13

V

DS

=-80V,V

GS

=-10V,

I

D

=-3.6A

参见图6 &图12

4

5

OO

4

5

OO

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

1

O

4

O

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

100

0.35

-1.0

-8.0

-3.8

--

--

A

V

ns

C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

= 25℃ ，我

S

=-1.0A,V

GS

=0V

T

J

= 25℃ ，我

F

=-3.6A

di

F

/dt=100A/s

4

O

o

o

注意事项;

1

O

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

2

L = 80mH ， I = -1.0A ，V = -25V ， R = 27Ω

*

，开始T = 25

o

C

O

AS

DD

G

J

3

_

_

_

O

I

SD

＆ LT ;

-3.6A ， di / dt的

＆ LT ;

300A / μs的，V

DD

＆ LT ;

BV

DSS

，起始物为

J

=25

o

C

4

_

O

脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比

＆ LT ;

2%

5

O

基本上是独立工作温度

P沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

1

1

0

上图：

V

GS

-1 V

5

-1 V

0

- 8.0 V

- 7.0 V

- 6.0 V

- 5.5 V

- 5.0 V

下图： - 4.5 V

SFM9110

如图2传输特性

1

1

0

1

0

0

-I

D

，漏电流[ A]

-I

D

，漏电流[ A]

1

0

0

1 0

o

C

5

2

o

C

5

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 V =-0V

.

DS

4

3 2 0

S·P升（E T） s

. 5

美国东部

6

8

1

0

1

-1

0

1

-1

0

1

0

0

@Nts ：

oe

1 2 0

S·P升（E T） s

. 5

美国东部

2 T = 2

o

C

.

C

5

1

1

0

- 5

o

C

5

1

-1

0

2

4

-V

DS

，漏源电压[V]

-V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

5

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

-I

DR

，反向漏电流[ A]

1

1

0

R

DS （ ON）

, [

]

漏源导通电阻

4

3

V =-0V

1

GS

1

0

0

1 0

o

C

5

2

o

C

5

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 2 0

S·P升（E T） s

. 5

美国东部

20

.

25

.

30

.

35

.

40

.

2

1

V =-0V

2

GS

0

0

2

4

6

8

@ N T： T = 2

o

C

oe

J

5

1

0

1

2

1

4

1

-1

0

05

.

10

.

15

.

-I

D

，漏电流[ A]

-V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

50

0

C = C + C（ C = SOTD ）

ISS GS GD

ds

H·R ê

C =C +C

OSS DS GD

C =C

RSS GD

C

国际空间站

30

0

图6.栅极电荷与栅源电压

-V

GS

，栅源电压[V]

40

0

1

0

电容[ pF的]

V =-0V

2

DS

V =-0V

5

DS

V =-0V

8

DS

20

0

C

OSS

10

0

C

RSS

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 F = 1MZ

.

H

5

@Nts ： I = 36A

oe

D

-.

0

0

2

4

6

8

1

0

0

0

1

0

1

1

0

-V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

SFM9110

图7.击穿电压与温度的关系

12

.

25

.

P沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

-bv

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

20

.

11

.

15

.

10

.

10

.

@Nts ：

oe

1 V =-0V

.

GS

1

2 I = - 。一

.

D

18

-0

5

-5

2

0

2

5

5

0

7

5

10

0

15

2

10

5

15

7

09

.

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 I = - 5

A

.

D

20

-0

5

-5

2

0

2

5

5

0

7

5

10

0

15

2

10

5

15

7

05

.

08

.

-5

7

00

.

-5

7

T

J

，结温[

o

C]

T

J

，结温[

o

C]

图9.最大。安全工作区

-I

D

，漏电流[ A]

1

2

0

Oeaini钛阂

prto HS RA

我L M T d设定B R

DS （ ON）

s IIE

图10.最大。漏电流与外壳温度

12

.

-I

D

，漏电流[ A]

1

2

0

1

1

0

00 m

.1 s

01m

. s

1m

s

1 m

0 s

@Nts ：

oe

1 T = 2

o

C

.

C

5

2 T = 1 0

o

C

.

J

5

3 SNL PLE

。 IGE美国

1

-2

0

1

0

0

1

1

0

D

C

09

.

1

0

0

06

.

1

-1

0

03

.

00

.

2

5

5

0

7

5

10

0

o

15

2

10

5

-V

DS

，漏源电压[V]

T

c

，外壳温度[C]

图11.热响应

热响应

10

2

D=0.5

10

1

0.2

0.1

0.05

@注意事项：

1. Z

θ

J·C

(t)=50

o

C / W最大。

2.占空比，D = T

1

/t

2

3. T

J·M

-T

C

=P

D M

*Z

θ

J·C

(t)

P

.

DM

t

1.

t

2.

Z

JC

(t) ,

0.02

10

0

0.01

单脉冲

θ

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

10

- 1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

P沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

SFM9110

“电流调节器”

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

-10V

V

DS

V

GS

DUT

-3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

-10V

V

OUT

90%

t

on

t

关闭

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

t

D（上）

V

in

10%

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

E

AS

= ---- L

L

I

AS2

--------------------

2

BV

DSS

-- V

DD

t

p

I

D

V

DD

时间

V

DS

(t)

R

G

DUT

-10V

t

p

C

V

DD

I

AS

BV

DSS

I

D

(t)

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