日前，Vishay
SFH6943
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOT223 / 10 ，四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠， 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率， 150 ％的典型，在我
F
= 1毫安，
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压： 1768 V
RMS
机构认证
UL文件＃ E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针，一个显
积蓄着的空间相比，四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 10
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 10
CTR 160 - 500 ％ ， SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
文档编号83688
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
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1
SFH6943
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
＆ LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前，Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度，浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
≥
4
≥
4
175
≥
10
11
≥
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
民
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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威世半导体
103
IF = 1毫安，
VCC = 5 V ，
吨， TR ，花花公子， TT = F （ RL ）
吨关闭
tf
25
ICE = 1 （VCE ， IF）的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
isfh6943_09
0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸（毫米）
10°
7°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
7°
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 （ 0.51 ）分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
i178044
.024 (.61)
.026 (.66)
.216 (5.49)
.296 (7.52)
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOT223 / 10 ，四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠， 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率， 150 ％的典型，在我
F
= 1毫安，
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压： 1768 V
RMS
机构认证
UL文件＃ E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针，一个显
积蓄着的空间相比，四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 10
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 10
CTR 160 - 500 ％ ， SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
文档编号83688
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威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
＆ LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前，Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度，浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
≥
4
≥
4
175
≥
10
11
≥
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
民
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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威世半导体
103
IF = 1毫安，
VCC = 5 V ，
吨， TR ，花花公子， TT = F （ RL ）
吨关闭
tf
25
ICE = 1 （VCE ， IF）的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
isfh6943_09
0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸（毫米）
10°
7°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
7°
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 （ 0.51 ）分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
i178044
.024 (.61)
.026 (.66)
.216 (5.49)
.296 (7.52)
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOT223 / 10 ，四
通道
特点
在SOT223 / 10套餐晶体管光耦
年底可堆叠， 1.27毫米间距
低电流输入
非常高的点击率， 150 ％的典型，在我
F
= 1毫安，
V
CE
= 5 V
良好的CTR线性对战正向电流
未成年人CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
=70 V
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A1
A2
COM 。 C3
A4
A5
10 E1
9 E2
8 COM 。
7 E3
6 E4
i179077
隔离测试电压： 1768 V
RMS
机构认证
UL文件＃ E76222系统代码V
CSA 93751
应用
电信
SMT
PCMCIA
仪器仪表
输出。该装置包括四个光电晶体管
作为探测器。每个通道都可以单独控制。
光电耦合器装在一个SOT223 / 10封装。
输入LED的所有阴极和所有collec-
输出晶体管的器是常见的启用
从16引脚引脚数量减少到10针，一个显
积蓄着的空间相比，四个通道
电单独隔离。
订购信息
部分
SFH6943-2
SFH6943-3
SFH6943-4
备注
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 10
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 10
CTR 160 - 500 ％ ， SMD- 10
描述
该SFH6943是一个四通道小型光耦合器suit-
能够为高密度封装的PCB应用。它
有一个最低的1768 V
RMS
隔离从输入到
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
P
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3
5
100
10
单位
V
mA
mA
mW
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威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
＆ LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
日前，Vishay
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度，浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
≥
4
≥
4
175
≥
10
11
≥
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
民
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
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103
IF = 1毫安，
VCC = 5 V ，
吨， TR ，花花公子， TT = F （ RL ）
吨关闭
tf
25
ICE = 1 （VCE ， IF）的
20
10
15
我CE / MA
T /美国
T ON
101
tr
10
5
100
10
2
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0
10 3
RL / OHM
10 4
10 5
isfh6943_10
10
-2
-1
10
V CE / V
10
0
1
10
10
2
图。 9
图。 10晶体管输出特性
包装尺寸以英寸（毫米）
10°
7°
.016 (.41)
.043
(1.09)
.200 ± .005
(5.80 ± .13)
.018 (.46)
.063 ± .004
(1.60 ± .10)
.256 ± .004
(6.50 ± .10)
0.004 (.10)
0.138 ± .004
马克斯。
(3.51 ± .10)
.01 (.25) R
0.020 ± .004
(.51 ± .10)
10°
0°–7°
.035
(.90)
.002 +.002
–.001
(.05 +.05
–.03)
0.010R
7°
(.25)
45°
.276 ± .008
(7.01 ± .20)
0.020 （ 0.51 ）分。
R .005(.13)
ISO方法A
.010 (.25)
.053 (1.35)
.050 (1.27)
.040 (1.02)
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.024 (.61)
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