SFH6755T/56T/57T
威世半导体
高速光耦， 10万桶
SOIC -8封装
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
无铅
5千伏/微秒， 100伏/微秒
外部爬电距离> 5毫米
e3
高速10MBd的典型
RoHS指令
+ 5
V
CMOS兼容
柔顺
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
关注
OBSERVE注意事项
对于汉鼎
静电敏感
设备（ESD ）
20050
双通道
A1
C1
C2
A2
18921-7
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
SFH6755T/56T/57T
描述
该SFH675xT系列，是一款双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED cou-
PLED具有集成的光电二极管的光探测器集成电路
器。检测器有一个开漏NMOS- transister
输出，从而提供较少的泄漏相比，开放式
集电极肖特基钳位transister输出。该
内部屏蔽提供了保证共模
5千伏瞬变抗扰度/ μs的时间SFH6756T和
10 KV / μs的时间SFH6757T 。使用0.1 μF的
旁路电容器，连接销5和8之间是
推荐使用。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA
公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
强化绝缘等级
VDE
可用选件1元
IEC60950 2.10.5.1
订购信息
部分
SFH6755T
SFH6756T
SFH6757T
备注
100
V / μs的，
双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
10 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
文档编号81331
1.0版， 26军， 06
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1
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
反向输入电压
浪涌电流
T = 100微秒
测试条件
符号
I
F
V
R
I
FSM
价值
15
5
200
单位
mA
V
mA
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
每通道输出功率耗散
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
价值
7
50
7
60
单位
V
mA
V
mW
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度
绝缘测试电压
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
3000
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
cc
I
FL
I
FH
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
4K
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
-
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2
文档编号81331
1.0版， 26军， 06
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25 ℃，并
V
cc
= 5.5
V,
除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
当前
（单信道）
高水平的供应
当前
（双通道）
低电平电源
当前
（单信道）
低电平电源
当前
（双通道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入阈值
当前
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250 A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
OH
V
OL
I
TH
0.002
0.2
2.4
1
0.6
5.0
A
V
mA
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
民
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
最大
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档编号81331
1.0版， 26军， 06
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3
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
安全性和绝缘等级
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
保温层厚度，钢筋额定
每IEC60950 2.10.5.1
5
4
0.2
CTI
175
5000
560
350
150
165
测试条件
符号
民
典型值。
55/110/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
最大
单位
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
1.7
1.6
V
F
- 正向电压（ V）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I
F
= 10毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 20毫安
7
6
I
R
- 反向电流（ NA）
5
4
3
2
1
1.0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
17610
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
0
- 40 - 20
0
20
40
60
8
0
17613-1
T
am
b
- 环境温度（ ° C）
100
图3.正向
电压
- 环境温度
图5.反向电流与环境温度
1.60
1.55
V
F
- 正向电压（ V）
1.50
1.45
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
0
17611
4.0
I
CCL
- 低电平电源电流（mA ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 40 - 20
V
CC
= 5 V
I
F
= 10毫安
V
CC
= 7 V
I
F
= 10毫安
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
I
F
- 正向电流（mA ）
0
20
40
60
8
0
100
17614
T
am
b
- 环境温度（ ° C）
图4.前进
电压
与正向电流
图6.低电平电源电流与环境温度
文档编号81331
1.0版， 26军， 06
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5
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
威世半导体
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
关注
OBSERVE注意事项
对于汉鼎
静电敏感
设备（ESD ）
20050
特点
15 KV / μs的CMR的性能选择，
5千伏/微秒， 100伏/微秒
外部爬电距离> 5毫米
高速10MBd的典型
双通道
A1
C1
C2
A2
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
V
O1
V
O2
GND
+ 5 V CMOS兼容
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 ° C至+ 100 °C温度范围
纯锡引线
符合IEC 60068-2-42 （ SO
2
）和IEC 60068-2-43 （高
2
S)
需求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
SFH6755T/56T/57T
18921-16
描述
该SFH675xT系列，是一款双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED加上
集成光学光电二极管集成电路检测器。该探测器
有一个开漏NMOS- transister输出，提供较少
泄漏相比，集电极开路肖特基钳位
transister输出。内部屏蔽提供了保证
5 kV共模瞬态抗扰度/ μs的时间
SFH6756T和15千伏/ μs的时间SFH6757T 。使用一
0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间，
推荐使用。
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
计算机外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的，的DeviceNet ， PROFIBUS ，
SDS
高速A / D和D / A转换
交流电等离子体显示面板的电平移位
复用的数据传输
数字控制电源
消除接地环路
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件编号。 E52744 ，相当于CSA公告5A
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）可用的选项1
订购信息
部分
SFH6755T
SFH6756T
SFH6757T
备注
100 V / μs的，双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
15 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
真值表
（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
741
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
威世半导体
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
(1)
绝对最大额定值
参数
输入
平均正向电流
（单信道）
平均正向电流
（每通道为双通道）
反向输入电压
浪涌电流
输出功率耗散
（单信道）
输出功率耗散
（每通道为双通道）
产量
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
（单信道）
输出功率耗散
（双通道）
耦合器
绝缘测试电压
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
测试条件
符号
价值
单位
I
F
I
F
V
R
T = 100微秒
I
FSM
P
DISS
P
DISS
20
15
5
200
35
25
mA
mA
V
mA
mW
mW
1分钟最大
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
7
50
7
85
60
V
mA
V
mW
mW
T = 1.0秒
V
ISO
T
英镑
T
AMB
4000
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
V
RMS
°C
°C
°C
10秒
焊锡溢流温度
(2)
1分钟
T
SLD
260
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
CC
I
FL
I
FH
R
L
N
分钟。
- 40
4.5
0
5
330
马克斯。
100
5.5
250
15
4K
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
-
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热敏电阻，结发射极对发射极的
热敏电阻，结探测器对发射极的
测试条件
在25℃下
在25℃下
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX
T
JMAX
θ
EE
θ
DE
价值
100
500
125
125
412
133
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
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742
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
热特性
参数
热阻，结发射器登
热阻，结探测器登上
热电阻，发射极结到外壳
测试条件
符号
θ
EB
θ
DB
θ
EC
价值
120
77
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
威世半导体
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
T
B
θ
DB
T
D
θ
DE
θ
DE
θ
ET
T
C
T
E1
T
E2
θ
ET
T
C
θ
EE
θ
EB
θ
EB
20510
T
B
T
B
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
产量
高水平的电源电流
（单信道）
高水平的电源电流
（双通道）
低电平电源电流
（单信道）
低电平电源电流
（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V，I
F
= 250 A
V
E
= 2 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25° C和V
CC
= 5.5 V时，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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743
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
威世半导体
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度disortion
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
马克斯。
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
在推荐的温度（T
A
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
PULSE GEN 。
ZO = 50
Ω
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
GND
V
CC
双通道
V
CC
8
7
6
5
0.1
F
绕行
RL
产量
V
O
监测
节点
输入IF
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
吨PHL
吨PLH
20132
产量
V
O
CL = 15 pF的
图。 1 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（低）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于SFH6755T
(2)
对于SFH6756T
(3)
对于SFH6757T
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15 000
100
5000
15 000
10 000
25 000
10 000
25 000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
IF
双通道
B
1
A
2
V
FF
3
4
GND
V
CM
+
-
脉冲发生器
O = 50
Ω
7
6
5
V
O 0.5
V
V
CC
8
+5
V
RL
0.1
F
绕行
产量
V
O
监测
节点
V
CM 0
V
V
O 5
V
V
CM （峰值）
交换机AT A ： IF = 0毫安
V
O（ MIN 。 ）
开关AT A ： IF = 7.5毫安
V
O（ MAX 。 ）
CMH
威世半导体
CML
20133
图。 2 - 双通道测试电路的共模瞬态抗扰度
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
安全等级 - 功率输出
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
CTI
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
5
4
0.2
175
6000
560
350
150
165
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.7
1.60
V
F
- 前进
电压
(V)
V
F
- 前进
电压
(V)
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
- 40 - 20
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 20毫安
1.55
1.50
1.45
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
I
F
= 1毫安
0
20
40
60
80
100
17611
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
17610
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电压与环境温度
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修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
图。 4 - 正向电压与正向电流
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SFH6755T/56T/57T
威世半导体
高速光耦， 10万桶
SOIC -8封装
特点
10 KV / μs的CMR的性能选择，
无铅
5千伏/微秒， 100伏/微秒
外部爬电距离> 5毫米
e3
高速10MBd的典型
RoHS指令
+ 5
V
CMOS兼容
柔顺
保证交流和直流性能超过
温度： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
关注
OBSERVE注意事项
对于汉鼎
静电敏感
设备（ESD ）
20050
双通道
A1
C1
C2
A2
18921-7
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
SFH6755T/56T/57T
描述
该SFH675xT系列，是一款双通道10兆位
光电耦合器采用高效率的输入LED cou-
PLED具有集成的光电二极管的光探测器集成电路
器。检测器有一个开漏NMOS- transister
输出，从而提供较少的泄漏相比，开放式
集电极肖特基钳位transister输出。该
内部屏蔽提供了保证共模
5千伏瞬变抗扰度/ μs的时间SFH6756T和
10 KV / μs的时间SFH6757T 。使用0.1 μF的
旁路电容器，连接销5和8之间是
推荐使用。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA
公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
强化绝缘等级
VDE
可用选件1元
IEC60950 2.10.5.1
订购信息
部分
SFH6755T
SFH6756T
SFH6757T
备注
100
V / μs的，
双通道， SOIC- 8
5千伏/微秒，双通道， SOIC- 8
10 KV / μs的，双通道， SOIC- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
文档编号81331
1.0版， 26军， 06
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1
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
反向输入电压
浪涌电流
T = 100微秒
测试条件
符号
I
F
V
R
I
FSM
价值
15
5
200
单位
mA
V
mA
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
每通道输出功率耗散
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
价值
7
50
7
60
单位
V
mA
V
mW
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
焊锡溢流温度
绝缘测试电压
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
3000
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 kΩ
测试条件
符号
T
AMB
V
cc
I
FL
I
FH
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
4K
5
单位
°C
V
A
mA
Ω
-
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文档编号81331
1.0版， 26军， 06
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25 ℃，并
V
cc
= 5.5
V,
除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5.0
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
0.01
55
最大
1.7
10
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
当前
（单信道）
高水平的供应
当前
（双通道）
低电平电源
当前
（单信道）
低电平电源
当前
（双通道）
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入阈值
当前
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安
I
CCL
4.0
7.0
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
CCL
I
CCL
3.3
6.5
6.0
12.0
mA
mA
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250 A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
OH
V
OL
I
TH
0.002
0.2
2.4
1
0.6
5.0
A
V
mA
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
民
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
最大
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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3
SFH6755T/56T/57T
威世半导体
安全性和绝缘等级
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
净空
保温层厚度，钢筋额定
每IEC60950 2.10.5.1
5
4
0.2
CTI
175
5000
560
350
150
165
测试条件
符号
民
典型值。
55/110/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
最大
单位
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
1.7
1.6
V
F
- 正向电压（ V）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I
F
= 10毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 20毫安
7
6
I
R
- 反向电流（ NA）
5
4
3
2
1
1.0
- 40 - 20
0
20
40
60
80
17610
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
0
- 40 - 20
0
20
40
60
8
0
17613-1
T
am
b
- 环境温度（ ° C）
100
图3.正向
电压
- 环境温度
图5.反向电流与环境温度
1.60
1.55
V
F
- 正向电压（ V）
1.50
1.45
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
0
17611
4.0
I
CCL
- 低电平电源电流（mA ）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 40 - 20
V
CC
= 5 V
I
F
= 10毫安
V
CC
= 7 V
I
F
= 10毫安
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
I
F
- 正向电流（mA ）
0
20
40
60
8
0
100
17614
T
am
b
- 环境温度（ ° C）
图4.前进
电压
与正向电流
图6.低电平电源电流与环境温度
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