6N137 / SFH6741 / 42 /50/ 51/52
威世半导体
高速光耦， 10万桶
特点
10千伏/微秒， 5千伏/ μs的CMR的性能选择，
100
V / μs的
高速10MBd的典型
+ 5
V
CMOS兼容
保证AC和DC性能比温
perature ： - 40 + 100 ℃的温度。范围
纯锡引线
符合IEC60068-2-42 （ SO
2
）和
IEC60068-2-43 （H
2
S）的要求
低输入电流能力： 5毫安
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
单通道
双通道
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VE
VO
GND
18921-3
A1
1
C1
C2
A2
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VO1
VO2
GND
SFH6745T ， SFH6746T ， SFH6747T
SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA公告
5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
强化绝缘等级
每IEC60950 2.10.5.1
VDE
可通过选项1
体管的输出，从而提供较少的泄漏相比，一个
开路集电极肖特基钳位晶体管输出。
对于单信道类型，使能引脚功能
7允许探测器被选通。内部屏蔽
提供了保证共模瞬变
5千伏免疫力/ μs的时间SFH6741和SFH6751
10 KV / μs的时间SFH6742和SFH6752 。该
使用0.1
F
旁路电容之间的连接
销5,8的建议。
订购信息
部分
6N137
6N137-X006
备注
100
V / μs的，
单路， DIP- 8
100
V / μs的，
单路， DIP - 8 400万
（选项6 ）
100
V / μs的，
单通道， SMD - 8 （选项7 ）
5千伏/微秒，单声道， DIP- 8
5千伏/微秒，单声道， DIP - 8 400万（选件
6)
5千伏/微秒，单声道， SMD - 8 （选项7 ）
10 KV / μs的，单通道， DIP- 8
10 KV / μs的，单通道， DIP - 8 400万
（选项6 ）
10 KV / μs的，单通道， SMD - 8 （选项7 ）
100
V / μs的，
双通道， DIP- 8
100
V / μs的，
双通道， DIP - 8 400万（选件
6)
100
V / μs的，
双通道， SMD - 8 （选项7 ）
5千伏/微秒，双通道， DIP- 8
应用
微处理器系统接口
PLC ， ATE输入/输出隔离
电脑外设接口
数字现场总线隔离： CC -Link的， DeviceNet的，
PROFIBUS， SDS
高速A / D和D / A转换
AC等离子显示面板电平转换
多道数据传送
数字控制电源
消除接地环路
6N137-X007
SFH6741
SFH6741-X006
SFH6741-X007
SFH6742
SFH6742-X006
SFH6742-X007
SFH6750
SFH6750-X006
SFH6750-X007
SFH6751
描述
该6N137 ， SFH674x和SFH675x是单信
利用高效的输入NEL 10万桶光电耦合器
LED加上集成光学光电二极管集成电路
探测器。检测器有一个开漏NMOS-转录
文档编号82584
修订版1.8 ， 13 - 8 - 04
www.vishay.com
1
6N137 / SFH6741 / 42 /50/ 51/52
威世半导体
部分
SFH6751-X006
SFH6751-X007
SFH6752
SFH6752-X006
SFH6752-X007
备注
5千伏/微秒，双通道， DIP - 8 400万（选件
6)
5千伏/微秒，双通道， SMD - 8 （选项7 ）
10 KV / μs的，双通道， DIP- 8
10 KV / μs的，双通道， DIP - 8 400万（选件
6)
10 KV / μs的，双通道， SMD - 8 （选项7 ）
真值表（正逻辑）
LED
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
启用
H
H
L
L
NC
NC
产量
L
H
H
H
L
H
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
平均正向电流
1)
平均正向电流
2)
反向输入电压
使能输入电压
1)
使能输入电流
1)
浪涌电流
1)
2)
测试条件
符号
I
F
I
F
V
R
V
E
I
E
价值
20
15
5
V
CC
+ 0.5
V
5
200
单位
mA
mA
V
V
mA
mA
t = 100
s
I
FSM
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
产量
参数
电源电压
输出电流
输出电压
输出功率耗散
1)
每通道输出功率耗散
2)
1)
2)
测试条件
最长1分钟。
符号
V
CC
I
O
V
O
P
DISS
P
DISS
价值
7
50
7
85
60
单位
V
mA
V
mW
mW
包装：单DIP - 8
包装：双DIP - 8
耦合器
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
1)
焊锡溢流温度
2)
绝缘测试电压
1)
2)
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
价值
- 55至+ 150
- 40至+ 100
260
260
单位
°C
°C
°C
°C
V
RMS
持续10秒。
1分钟
T = 1.0秒。
V
ISO
5300
封装形式：DIP - 8通孔
封装形式：DIP - 8 SMD
www.vishay.com
2
文档编号82584
修订版1.8 ， 13 - 8 - 04
6N137 / SFH6741 / 42 /50/ 51/52
威世半导体
推荐工作条件
参数
工作温度
电源电压
输入电流低的水平
输入电流的高级别
逻辑高电平使能电压
逻辑低电压启动
输出上拉电阻
扇出
R
L
= 1 k
测试条件
符号
T
AMB
V
cc
I
FL
I
FH
V
EH
V
EL
R
L
N
民
- 40
4.5
0
5
2.0
0.0
330
典型值。
最大
100
5.5
250
15
V
CC
0.8
4K
5
单位
°C
V
A
mA
V
V
-
电气特性
T
AMB
= 25 ℃，并
V
cc
= 5.5
V,
除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
反向电流
输入电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 4.5
V
F = 1MHz时，
V
F
= 0
V
符号
V
F
I
R
C
I
民
1.1
典型值。
1.4
1
55
最大
1.7
单位
V
A
pF
产量
参数
高水平的供应
电流（单
频道）
高水平的供应
电流（双
频道）
低电平电源
当前
高电平输出
当前
低电平输出
电压
输入阈值
当前
高级别启用
当前
低电平使能
当前
高级别启用
电压
低电平使能
电压
测试条件
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 0毫安
符号
I
CCH
民
典型值。
4.1
最大
7.0
单位
mA
V
E
=
V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
I
CCH
I
CCH
3.3
8.2
6.0
14.0
mA
mA
V
E
= 0.5
V,
I
F
= 10毫安
V
E
=
V
CC
, I
F
= 10毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
F
= 250
A
V
E
= 2.0
V,
I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V, V
O
= 5.5
V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2.0
V
V
E
= 0.5
V
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
I
EH
I
EL
V
EH
V
EL
2.0
4.0
3.3
0.002
0.2
2.4
- 0.6
- 0.8
7.0
6.0
1
0.6
5.0
- 1.6
- 1.6
mA
mA
A
V
mA
mA
mA
V
0.8
V
文档编号82584
修订版1.8 ， 13 - 8 - 04
www.vishay.com
3
6N137 / SFH6741 / 42 /50/ 51/52
威世半导体
开关特性
在推荐的温度（T
a
= - 40 + 100 ℃） ，
V
CC
= 5
V,
I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
a
= 25 °C,
V
CC
= 5
V.
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
输出上升时间（10 - 90％）
输出下降时间（ 90 - 10 ％ ）
传播延迟时间
从启用
V
EH
to
V
EL
传播延迟时间
从启用
V
EL
to
V
EH
*
测试条件
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PLH
民
20
典型值。
48
最大
75
*
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
t
PHL
t
PHL
25
50
75
*
100
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
R
L
= 350
,
C
L
= 15 pF的，
V
EL
= 0
V, V
EH
= 3
V
| t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
t
ELH
t
EHL
2.9
8
23
7
12
11
35
40
75ns仅适用于6N137 ，一个JEDEC规范注册
VCC
单通道
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
输入IF
监测
节点
R
M
1
IF
2
3
4
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
5V
RL
0.1
F
绕行
输入IF
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
TPLH
的TPH1
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
VOL
1.5 V
VOH
输出端VO
探头和夹具电容包括C语言
L
18964-1
图1.单通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
www.vishay.com
4
文档编号82584
修订版1.8 ， 13 - 8 - 04
6N137 / SFH6741 / 42 /50/ 51/52
威世半导体
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
18963-1
+5V
双通道
VCC
8
7
6
GND
5
0.1
F
绕行
RL
输出电压V
O
监测
节点
CL = 15 pF的
图2.双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
PULSE GEN 。
ZO = 50
五六= T R = 5纳秒
1
7.5毫安
IF
2
3
4
输入VE
监测
节点
单通道
VCC
8
VE
7
VOUT
6
GND
5
VCC
5V
RL
0.1
F
绕行
输出端VO
监测
节点
C
L
= 15 pF的
输入VE
tEHL
tELH
输出端VO
3V
1.5 V
1.5 V
探头和夹具电容包括C语言
L
18975-1
图3.单通道测试电路吨
EHL
和T
ELH
文档编号82584
修订版1.8 ， 13 - 8 - 04
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
