SFH612A / SFH655A
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出
特点
高隔离测试电压5300 V
RMS
标准塑料DIP- 4封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
1
C
2
i179057
4
C
3
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
BSI IEC60950 IEC60065
E
e3
订购信息
部分
SFH612A
SFH655A
SFH655A-X009
备注
CTR > 200 ％ ， DIP- 4
CTR > 600 ％ ， DIP- 4
CTR > 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
Pb
无铅
描述
该SFH612A和SFH655A光学耦合
隔离器与一个砷化镓红外发光二极管和一个
硅光电复合探测器。开关可
实现，同时保持隔离的高度
之间的驱动和负载电路。这些光耦合器
plers可以用来代替簧片和水银继电器
具有寿命长，高速开关和优势
消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
从25° C减免线性
功耗
P
DISS
t
p
≥
10
s
测试条件
符号
V
RM
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
1.33
100
单位
V
mA
A
毫瓦/°C的
mW
文档编号83667
修订版1.4 ， 10月26日04
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1
SFH612A / SFH655A
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
收集器（负载）电流
从25° C减免线性
功耗
P
DISS
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
价值
55
6.0
125
2.00
150
单位
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
耦合器
参数
从25° C减免线性
总功耗
T = 1.0秒
之间的隔离测试电压
输入和输出，气候累计。对
IEC 60068-1 ：1988
爬电距离
净空
相比漏电起痕指数累计。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，部分
1:06-84
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
P
合计
V
ISO
测试条件
符号
价值
3.33
250
5300
单位
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.15
0.02
14
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
CE
= 100
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 40 V
V
CE
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
55
6.0
12
13.5
400
典型值。
最大
单位
V
V
nA
pF
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2
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SFH612A / SFH655A
威世半导体
1.2
IF = 1.0毫安， VCE = 2.0 V
归一化CTR
120
100
80
I C （毫安）
IF = 10毫安
1.0
60
40
20
如果= 5毫安
IF = 1毫安
IF = 0.5毫安
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.8
0.6
–40
isfh612a_03
0
–20
0
20
40
60
80
100
isfh612a_06
温度TA （ ° C）
VCEsat晶体管（ V）
图3.归点击率与温度的关系
图6.集电极电流与集电极 - 发射极饱和
电压
1.80
1.60
1.40
归一化CTR
ICEO （ nA的）
104
I
F
= 1.0毫安， VCE = 2.0 V，
103
102
10
1.0
0.1
0
isfh612a_07
100 °C
75 °C
50 °C
25 °C
0 °C
–25 °C
–25 °C
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
0.01
0.1
1.0
正向电流IF （MA ）
10
100
10
20
30
V (V)
CE
40
50
60
isfh612a_04
图4.归CTR与正向电流
图7.集电极发射极暗电流与集电极 - 发射极
电压过温
1000.0
IF = 10毫安
如果= 5毫安
IF = 2毫安
IC （MA ）
时间切换，
s
10 3
IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V （ SFH612A ）
IF = 1.5毫安
100.0
10.0
IF = 0.5毫安
1.0
IF = 1毫安
10 2 T
on
花花公子
素养
TFALL
0.1
0
isfh612a_05
1
2
3
4
5
VCE （ V）
6
7
8
9
10
isfh612a_08
10
102
103
负载电阻RL （欧姆）
104
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.开关时间与负载电阻
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SFH612A / SFH655A
威世半导体
10
IC = 10 mA时， VCE = 2.0 V（ SFH655A ）
时间切换，
s
10 2
TFALL
花花公子
吨
100
10 2
isfh612a_09
素养
10 3
负载电阻RL （ Ω ）
10 4
图9.开关时间与负载电阻
I
F
V
CC
IF
VO
V
OUT
t
R
t
ON
t
关闭
90%
10%
tF
R
E
电路1
isfh612a_10
波形1
图10.开关时间测试电路和波形
V
CC
I
F
R
L
V
CE
10%
90%
t
R
t
ON
输入
脉冲
产量
脉冲
t
F
t
关闭
电路2
isfh612a_11
波形2
图11.开关时间测试电路和波形
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威世半导体
光电耦合器，光电复合输出
特点
高隔离测试电压5300 V
RMS
标准塑料DIP- 4封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
1
C
2
i179057
4
C
3
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
BSI IEC60950 IEC60065
E
e3
订购信息
部分
SFH612A
SFH655A
SFH655A-X009
备注
CTR > 200 ％ ， DIP- 4
CTR > 600 ％ ， DIP- 4
CTR > 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
Pb
无铅
描述
该SFH612A和SFH655A光学耦合
隔离器与一个砷化镓红外发光二极管和一个
硅光电复合探测器。开关可
实现，同时保持隔离的高度
之间的驱动和负载电路。这些光耦合器
plers可以用来代替簧片和水银继电器
具有寿命长，高速开关和优势
消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
从25° C减免线性
功耗
P
DISS
t
p
≥
10
s
测试条件
符号
V
RM
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
1.33
100
单位
V
mA
A
毫瓦/°C的
mW
文档编号83667
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SFH612A / SFH655A
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
收集器（负载）电流
从25° C减免线性
功耗
P
DISS
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
价值
55
6.0
125
2.00
150
单位
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
耦合器
参数
从25° C减免线性
总功耗
T = 1.0秒
之间的隔离测试电压
输入和输出，气候累计。对
IEC 60068-1 ：1988
爬电距离
净空
相比漏电起痕指数累计。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，部分
1:06-84
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
P
合计
V
ISO
测试条件
符号
价值
3.33
250
5300
单位
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.15
0.02
14
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
CE
= 100
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 40 V
V
CE
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
55
6.0
12
13.5
400
典型值。
最大
单位
V
V
nA
pF
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2
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SFH612A / SFH655A
威世半导体
1.2
IF = 1.0毫安， VCE = 2.0 V
归一化CTR
120
100
80
I C （毫安）
IF = 10毫安
1.0
60
40
20
如果= 5毫安
IF = 1毫安
IF = 0.5毫安
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.8
0.6
–40
isfh612a_03
0
–20
0
20
40
60
80
100
isfh612a_06
温度TA （ ° C）
VCEsat晶体管（ V）
图3.归点击率与温度的关系
图6.集电极电流与集电极 - 发射极饱和
电压
1.80
1.60
1.40
归一化CTR
ICEO （ nA的）
104
I
F
= 1.0毫安， VCE = 2.0 V，
103
102
10
1.0
0.1
0
isfh612a_07
100 °C
75 °C
50 °C
25 °C
0 °C
–25 °C
–25 °C
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
0.01
0.1
1.0
正向电流IF （MA ）
10
100
10
20
30
V (V)
CE
40
50
60
isfh612a_04
图4.归CTR与正向电流
图7.集电极发射极暗电流与集电极 - 发射极
电压过温
1000.0
IF = 10毫安
如果= 5毫安
IF = 2毫安
IC （MA ）
时间切换，
s
10 3
IC = 2.0 mA时， VCC = 10 V （ SFH612A ）
IF = 1.5毫安
100.0
10.0
IF = 0.5毫安
1.0
IF = 1毫安
10 2 T
on
花花公子
素养
TFALL
0.1
0
isfh612a_05
1
2
3
4
5
VCE （ V）
6
7
8
9
10
isfh612a_08
10
102
103
负载电阻RL （欧姆）
104
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.开关时间与负载电阻
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SFH612A / SFH655A
威世半导体
10
IC = 10 mA时， VCE = 2.0 V（ SFH655A ）
时间切换，
s
10 2
TFALL
花花公子
吨
100
10 2
isfh612a_09
素养
10 3
负载电阻RL （ Ω ）
10 4
图9.开关时间与负载电阻
I
F
V
CC
IF
VO
V
OUT
t
R
t
ON
t
关闭
90%
10%
tF
R
E
电路1
isfh612a_10
波形1
图10.开关时间测试电路和波形
V
CC
I
F
R
L
V
CE
10%
90%
t
R
t
ON
输入
脉冲
产量
脉冲
t
F
t
关闭
电路2
isfh612a_11
波形2
图11.开关时间测试电路和波形
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