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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第300页 > SFH640-2
SFH 640
PHOTOTRANSISTOR
5.3千伏三重奏
高BV
CER
电压
光电耦合器
特点
CTR在我
F
= 10 mA时， V
CE
=10 V
SFH640-1 ， 40-80 ％
SFH640-2 ， 63-125 ％
SFH640-3 * ， 100-200 ％
良好的CTR线性度与正向电流
低CTR退化
非常高的集电极 - 发射极击穿电压
年龄， BV
CER
=300 V
隔离测试电压： 5300 VAC
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
光电晶体管光耦合器
与基地连接6引脚DIP封装
场效应稳定：三重奏
+
V
VDE 0884可通过选项1
美国保险商实验室文件＃ E52744
D E
尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极1
阴极2
NC 3
6基地
5收藏家
4发射器
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该SFH 640是非常高的光电耦合器
BVCER ，最低为300伏。其目的是为
电信应用或任何DC应用程序
阳离子需要高阻断电压。该
SFH640是H11D1一个“比”替代。
*此组耗材不能总是由于存在保证
以不可预见的收益率差。
+
三重奏
–
TR
ansparent
IO
n
S
hield
最大额定值
(T
A
=25
°
C)
辐射源
反向电压................................................ ................................... 6 V
直流正向电流............................................... ........................ 60毫安
正向电流浪涌（TP
≤
10
S） ................................................ .. 2.5 A
总功率耗散............................................... ................ 100毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. .................. 300 V
集电极 - 基极电压.............................................. ....................... 300 V
发射极 - 基极电压.............................................. ............................ 7 V
集电极电流................................................ ........................... 50毫安
浪涌集电极电流（ TP
≤
1毫秒） ..............................百毫安
总功率耗散............................................... ................ 300毫瓦
包
隔离测试电压（发射极之间
检测器，是指气候DIN 40046第2部分
十一月74 ） .............................................. ........ 5300 VAC
RMS
/ 7500 VAC
PK
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25
°
C
.........................................................................≥
10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
=100
°
C
.......................................................................≥
10
11
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
≥
0.4 mm
爬电距离
.................................................................................................≥
7 mm
净空
.................................................................................................≥
7 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分......................................... .......... 175
存储温度范围-55 ..........................................
°
C至+150
°
C
工作温度范围-55 .......................................
°
C至+100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
。焊接温度（最多10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm) .............................................260
°
C
5–1
特征
(T
A
=25
°
C，除非另有规定编）
符号
辐射源
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
电压
集电极 - 发射极
发射极 - 基
电容
BV
CER
BV
BEO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
300
7
7
8
38
250
V
V
pF
pF
pF
K / W
I
CE
= 1毫安，R
BE
=1 M
I
EB
=10
A
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 5 V ， F = 1兆赫
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6
0.01
25
750
10
1.1
1.5
V
V
A
pF
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
=6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
民
典型值
最大
单位
条件
热阻
包
耦合电容
耦合传输比
SFH 640-1
SFH 640-2
SFH 640-3
饱和电压，集电极 - 发射极
SFH 640-1
SFH 640-2
SFH 640-3
漏电流，集电极 - 发射极
C
C
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
40
13
63
22
100
34
0.6
80
30
125
45
200
70
0.25
0.25
0.25
1
0.4
0.4
0.4
100
pF
%
%
%
I
F
= 10 mA时， V
CE
=10 V
I
F
= 1毫安， V
CE
=10 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
=10 V
I
F
= 1毫安， V
CE
=10 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
=10 V
I
F
= 1毫安， V
CE
=10 V
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
= 3.2毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
± 5毫安
V
CE
= 200 V ，R
BE
=1 M
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
I
CER
V
V
V
nA
图1.开关时间测试，测试电路和波形
I
F
R
L
V
CC
I
C
输入
0
t
PDON
t
on
t
PDOF
td
t
关闭
产量
0
10%
50%
t
r
t
s
t
r
10%
50%
90%
47
90%
开关时间
（典型值）
I
C
= 2 MA（由我调整
F
), R
L
=100
, T
A
=25
°
C，V
CC
=10 V
描述
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
符号
t
ON
t
R
t
关闭
t
F
值
5
2.5
6
5.5
单位
s
s
s
s
SFH640
5–2
图2.电流传输比（典型值）。
V
CE
= 10 V ，T
A
= 25℃时，归一化到
I
F
= 10毫安， NCTR = F （I
F
)
图5.输出特性
（典型值）。
T
A
= 25 ° C，I
CE
= F（V
CE
, I
F
)
图8.允许的损耗二极管
I
F
= F （T
A
)
图3.二极管的正向电压（典型值）。
V
F
= F（我
F
,T
A
)
图6.晶体管电容
（典型值）。
T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz时，C
CE
= F（V
CE
)
C
CB
= F（V
CB
), C
EB
= F（V
EB
)
图9.允许功率耗散
化
P
物联网
= F （T
A
)
图4.输出特性（典型值）。
T
A
= 25 ° C，I
CE
= F（V
CE
, I
B
)
图7.集电极 - 发射极漏
电流（典型值）。
I
F
=0, R
BE
= 1兆瓦，
I
CER
= F（V
CE
)
SFH640
5–3
SFH640
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接， 300 V BV
首席执行官
特点
良好的CTR线性度与正向电流
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
低CTR退化
非常高的集电极 - 发射极击穿电压，
BV
CER
= 300 V
绝缘测试电压： 5300 V
RMS
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
光电晶体管光耦合器6引脚DIP封装基地
连接
描述
该SFH 640是具有非常高的BV光电耦合器
CER
, a
最低为300 V它的目的是为电信
应用程序或任何DC应用需要高的阻挡
电压。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH640-1
SFH640-2
SFH640-3
SFH640-2X007
SFH640-3X007
SFH640-3X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
产量
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
300
300
7.0
50
100
300
单位
V
mA
A
mW
V
V
V
mA
mA
mW
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
CBO
V
EBO
I
C
t
p
≤
10毫秒
I
C
P
DISS
文档编号： 83682
修订版1.3 ， 01日-12月05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
SFH640
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接， 300 V BV
首席执行官
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间，指
气候DIN 40046第2部分11月74
绝缘电阻
发射极之间的绝缘厚度
和检测器
爬电距离
间隙距离
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
CTI
T
英镑
T
AMB
T
SLD
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
5300/7500
≥
10
12
≥
10
11
≥
0.4
≥
7
≥
7
175
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
V
RMS
/V
PK
Ω
Ω
mm
mm
mm
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极发射极击穿
电压
电压发射基地
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
耦合电容
饱和电压集电极
辐射源
集电极 - 发射极漏
当前
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.0毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
= 3.2毫安
I
F
= 10 mA时，我
C
= 5.0毫安
V
CE
= 200 V,
R
BE
= 1.0 MΩ
SFH640-1
SFH640-2
SFH640-3
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
I
CER
0.6
0.25
0.25
0.25
1.0
0.4
0.4
0.4
100
pF
V
V
V
nA
I
CE
= 1.0毫安，
R
BE
= 1.0 MΩ
I
EB
= 10 A
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
BV
CER
BV
BEO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
300
7.0
7.0
8.0
38
250
V
V
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
V
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
1.1
1.5
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83682
修订版1.3 ， 01日-12月05
SFH640
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接， 300 V BV
首席执行官
电流传输比
参数
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
电流传输比
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
部分
SFH640-1
SFH640-1
SFH640-2
SFH640-2
SFH640-3
SFH640-3
符号
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
分钟。
40
13
63
22
100
34
70
45
200
30
125
典型值。
马克斯。
80
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
5.0
2.5
6.0
5.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
100
80
60
VCC
IC
VCE = 10 V1
归一
如果= 10 mA时，
NCTR = F（ IF）的
NCTR
IF
RL
50
30
10
47
Ω
0
10-4
isfh640_01a
10-3
I
F
/A
10-2
10-1
isfh640_02
图。 1 - 开关时间测量测试电路和波形
图。 3 - 电流传输比（典型值）。
1.2
V
I/
F
输入脉冲
VF = F （ IF ， TA ）
1.1
25 C
50 C
75 C
10%
90%
tr
吨
tf
吨关闭
输出脉冲
1.0
0.9
10
-1
5
10
0
5
10
1
I
F
5毫安10
2
isfh640_01b
isfh640_03
图。 2 - 开关时间测量测试电路和波形
图。 4 - 二极管正向电压（ Ttyp ）
文档编号： 83682
修订版1.3 ， 01日-12月05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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3
SFH640
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
与基地连接， 300 V BV
首席执行官
20
17.5
15
I
CE
/ MA
12.5
10
7.5
5
2.5
0
10
-2
isfh640_04
10
-6
ICE = F （ VCE ， IB ）
10
-7
/
B
= 100 A
/
B
= 80 A
/
B
= 60 A
/
B
= 40 A
/
B
= 20 A
10
-1
V
CE
/V
10
0
10
2
10
1
P
合计
/ MW
10
-8
10
-9
IF = 0 ， RBE = 1.0兆瓦，
ICER = F （ VCE ）
10
-10
10
-11
10
-12
0
isfh640_07
25
50
75 100 125 150 175 200
V
CE
/V
图。 5 - 输出特性（典型值）。
图。 8 - 集电极 - 发射极漏电流（典型值）。
30
ICE = F （VCE ， IF）的
25
20
15
10
5
0
10
-2
isfh640_05
100
90
80
/ F = 20毫安
I
F
/ MA
/ F = 16毫安
/ F = 14毫安
/ F = 12毫安
/ F = 10毫安
10
-1
V
CE
/V
10
0
10
1
10
2
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/ C
IF = F （ TA ）
I
CE
/ MA
isfh640_08
图。 6 - 输出特性（典型值）。
图。 9 - 允许损耗二极管
100
90
80
70
C
XX
/ PF
60
50
40
30
20
10
0
10
-2
isfh640_06
CEB
F = 1.0 MHz时，
ICE = F （ VCE ）
建行= F （ VCB ）
CEB = F （ VEB ）
P
合计
/ MW
400
350
300
250
200
150
100
晶体管
PIOT = F （ TA ）
建行
CCE
10
-1
10
0
V
XX
/V
10
1
10
2
50
0
0
isfh640_09
二极管
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
A
/ C
图。 7 - 晶体管的电容（典型值）。
图。 10 - 允许功耗
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4
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文档编号： 83682
修订版1.3 ， 01日-12月05
SFH640
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接， 300 V BV
首席执行官
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 (7.62)
REF 。
0.028 (0.7)
分钟。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
15最大。
18494
文档编号： 83682
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SN74ACT7200L25DV
SBB-2141
SPX1587_07
STD30NF03LT
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