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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第500页 > SFH6343T
日前，Vishay
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，晶体管输出
特点
表面贴装
工业标准SOIC- 8封装
兼容红外汽相回流焊和
波峰焊工艺
隔离测试电压， 3000 V
RMS
非常高的共模瞬变抗扰度：
15000 V/
s
在V
CM
= 1500 V保证
(SFH6343)
高速： 1.0 Mb / s的
TTL兼容
保证交流和直流性能温度
TURE ： 0 ° C至70℃
集电极开路输出
引脚兼容安捷伦（惠普）光电耦合器
- SFH6315T ， HCPL0500
- SFH6316T ， HCPL0501
- SFH6343T ， HCPL0453
NC
1
A
2
C
3
NC
4
SFH6315/6
8
V
CC
7
BV
B
6
C
5
E
SFH6343
NC
1
A
2
C
3
NC
4
i179069
8
V
CC
7
NC
6
C
5
E
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码Y
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
光检测器和一个高速晶体管。照片
检测器从所述晶体管结隔离
减少米勒电容的影响。集电极开路
输出功能可以让电路设计者调整
当用不同的逻辑接口的负载条件
如TTL ， CMOS等系统
因为SFH6343T对法拉第屏蔽
检测器芯片，它也可以拒绝，并尽量减少高
输入到输出共模瞬变电压。
没有基连接，从而进一步降低了
进入包装箱电位电噪声。
该SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T是封装
年龄在行业标准的SOIC- 8封装，并
适合于表面安装。
应用
线接收器
逻辑接地隔离
模拟信号接地隔离
取代脉冲变压器
订购信息
部分
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
备注
CTR > 5.0 ％ ， SOIC- 8
CTR > 15 ％ ， SOIC- 8
CTR > 19 ％ ， SOIC- 8
有关更多的订单信息，请参阅第期权
描述
该SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T ，高速
光电耦合器，每个由砷化镓铝红外
发光二极管，光学耦合与集成
需要注意的是产品仅适用于磁带和卷轴。
文档编号83677
修订版1.3 ， 11月20日03
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1
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
T
AMB
≤
70 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3.0
25
1.0
45
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
电源电压
输出电压
输出电流
功耗
T
AMB
≤
70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
I
O
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
100
单位
V
V
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器（参照
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74)
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 ° C，R
ISOL
（注2 ）
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C,
R
ISOL
（注2 ）
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
T = 10秒以内，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
测试条件
符号
V
ISO
价值
3000
单位
V
RMS
2
≥
4.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
-55到+150
-55到+100
100
260
°C
°C
°C
°C
mm
mm
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2
文档编号83677
修订版1.3 ， 11月20日03
日前，Vishay
电气特性
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
在推荐的温度（T
AMB
= 0℃至70℃ ），除非另有说明。见注6，所有典型值在T
AMB
= 25 °.
参数
输入正向电压
输入反向电流
输入电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
V
R
= 3.0 V
F = 1.0兆赫，V
F
= 0 V
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
F
I
R
C
IN
V
F
/T
AMB
民
典型值。
1.6
1.6
0.5
75
-1.7
最大
1.8
1.9
10
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低电平电源
当前
逻辑高电源
当前
逻辑低输出
电压
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
=打开，V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15 V
部分
符号
I
CCL
I
CCH
I
CCH
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 1.1毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 0.8毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 3.0毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 2.4毫安，
逻辑高电平输出。
当前
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
SFH6315T
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
V
OL
V
OL
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH
民
典型值。
200
0.001
0.001
0.15
0.15
0.15
0.15
0.003
0.01
1.0
2.0
0.4
0.5
0.4
0.5
0.5
1.0
50
最大
单位
A
A
A
V
V
V
V
A
A
A
耦合器
参数
电容（输入输出） 。见注6 。
测试条件
F = 1.0 MHz的
符号
C
我-O
民
典型值。
0.4
最大
单位
pF
电流传输比
参数
见注1和6
测试条件
部分
SFH6315T
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
民
7
5
19
15
典型值。
16
17
35
36
最大
50
单位
%
%
电流传输比V
O
= 0.4 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.5 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.4 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.5 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
50
%
%
文档编号83677
修订版1.3 ， 11月20日03
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3
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
日前，Vishay
10 ％占空比
1/f<100
s
1
脉冲
发电机
ZO = 50
TR = 5纳秒
IF
2
8
7
RL
3
IF =监控
Rm
isfh6315t_01
+5 V
IF
0
VO
5V
6
5
0.1
F
VO
C L = 15pF的
1.5 V
的TPH1
TPLH
1.5 V
VOL
4
切换时间图1.测试电路
开关特性
在推荐的温度（T
AMB
= 0℃） ，V
CC
= 5.0 V，I
F
= 16毫安除非另有规定。所有典型值，T
AMB
= 25 °C
参数
传播延迟时间为逻辑低时输出
见图。 1和注4和5
测试条件
R
L
= 4.1 K
部分
SFH6315T
SFH6315T
符号
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
0.5
0.5
0.25
0.25
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
1.5
2.0
0.8
1.0
1.5
2.0
0.8
1.0
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
R
L
= 1.9 K
传播延迟时间为逻辑高时的输出
见图。 1和注4和5
SFH6316T
SFH6343T
SFH6315T
SFH6315T
R
L
= 4.1 K
R
L
=1.9 K
R
L
= 1.9 K
SFH6316T
SFH6343T
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4
文档编号83677
修订版1.3 ， 11月20日03
日前，Vishay
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬变
免疫力在逻辑高电平
产量
见图。 2 ，并指出3,4和5
测试条件
R
L
= 4.1 kΩ的，我
F
= 0 mA时，
V
CM
= 10 V
P-P
部分
SFH6315T
符号
|厘米
H
|
民
典型值。
1.0
最大
单位
KV / μs的
R
L
= 1.9 kΩ的，我
F
= 0 mA时，
V
CM
= 1500 V
P-P
共模瞬变
免疫力在逻辑低电平
产量
见图。 2 ，并指出3,4和5
SFH6316T
SFH6343T
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
15
1.0
30
1.0
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
R
L
= 4.1 kΩ的，我
F
= 16毫安，
V
CM
= 10 V
P-P
R
L
= 1.9 K
,
I
F
= 16毫安，
V
CM
= 10 V
P-P
R
L
= 1.9 K
,
I
F
= 16毫安，
V
CM
= 1500 V
P-P
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
|厘米
L
|
|厘米
L
|
15
1.0
30
KV / μs的
KV / μs的
在1 ％的电流传输率等于输出集电极电流I的比值（
O
）向前行LED的输入电流（I
F
） 100次
2.设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2 ，3和4短接在一起，并且销5 ， 6 ，7和8短接在一起。
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
CM
/ dt的上的共同的前缘
脉冲模式（V
CM
），以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
> 2.0 V） 。在逻辑的共模瞬态抗扰度
低级别的最大可容忍（负）的dV
CM
/ dt的对共模信号脉冲的后沿（Ⅴ
CM
以保证输出
将保持在逻辑低状态，即，V
O
> 0.8V） 。
4. 1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
5. 4.1 kΩ的负载表示0.36毫安1 LSTTL机组负荷和6.1 kΩ的上拉电阻。
6. A 0.1
f
旁路电容器，连接销5和8之间，推荐。
1
IF
2
3
4
VCC
+
isfh6315t_02
8
7
6
0.1
F
5
+5 V
VCM
0 V 10%
90%
tr
90%
10%
tf
RL
VO
A
B
VO
交换机AT A ： IF = 0毫安
5V
VCM
–
VO
脉冲发生器
在交换机B： IF = 16毫安
VOL
瞬态抗扰度和典型波形图2.测试电路
文档编号83677
修订版1.3 ， 11月20日03
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5
N
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
高速光电耦合器
包装尺寸以英寸（毫米）
SFH6315T/6T
SFH6315/6
特点
表面贴装
工业标准SOIC- 8封装
兼容红外汽相回流焊和
波峰焊工艺
隔离电压， 2500 V
RMS
非常高的共模瞬变抗扰度：
15000 V / μs的在V
CM
= 1500 V保证（ SFH6343T ）
高速： 1 Mb / s的
TTL兼容
保证交流和直流性能超过
温度： 0 ° C至70℃
集电极开路输出
引脚兼容于HP光电耦合器
SFH6315T—HCPL0500
SFH6316T—HCPL0501
SFH6343T—HCPL0453
可在磁带和卷轴（后缀T）
应用
线路接收器
逻辑接地隔离
模拟信号接地隔离
更换脉冲变压器
EW
NC
1
A
2
8
V
CC
7
基地V
B
6
C
5
E
.120±.002
(3.05±.05)
.240
(6.10)
销1
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 （ 1.27 ）典型值。
.021 (.53)
K
3
NC
4
SFH6343T
SFH6343
C .154±.002
L
(3.91±.05)
.016
(.41)
NC
1
A
2
K
3
NC
4
8
V
CC
7
NC
6
C
5
E
.015±.002
(.38±.05)
40°
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
.008 (.20)
5 °最大。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
R.010
（ 0.25 ）最高。
公差：
±
0.005 （除非另有说明）
描述
该SFH6315T / 16T / 43T ，高速光电耦合器，每个
由GaAlAs的红外发光二极管的，光学
再加上一个集成的光电检测器和高
高速晶体管。光电检测器是分离的结
从晶体管，以减少米勒电容效应。
集电极开路输出功能可以让电路设计 -
ERS时使用的接口调整负载条件
不同的逻辑系统，如TTL ， CMOS等。
因为SFH6343T对法拉第屏蔽
检测器芯片，它也可以拒绝，并尽量减少高投入
输出共模瞬变电压。没有
基连接，从而进一步降低了电势的电
噪音进入包。
该SFH6315T / 16T / 43T包装行业标
准SOIC-8封装，并适用于表面
安装。
绝对最大额定值
发射器（ GaAlAs的）
反向电压................................................ ........... 3 V
直流正向电流............................................... 0.25毫安
正向电流浪涌............................................... .1
tp≤1
s,
300脉冲/秒。
总功率耗散（T
A
≤70°C)
........................ 45毫瓦
绝对最大额定值
（续）
检测器（硅光电二极管+晶体管）
电源电压................................................ ............- 0.5到30伏
输出电压................................................ ..........- 0.5
≥20
V
输出电流................................................ ...................... 8毫安
总功率耗散（T
A
≤70°C)...................................
100毫瓦
包
绝缘测试电压
发射器与检测器之间............................. 2500 VAC
RMS
（参照气候DIN 40046 ，第2部分11月74）
污染度（ DIN VDE0110 ） ............................................ 2 .....
爬电................................................. ........................... ≥4毫米
通关................................................. ........................... ≥4毫米
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分....................................... 175
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 ° C，R
ISOL
（注2 ） ............................. ≥10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
= 100℃ ，R
ISOL
（注2 ） ............................ ≥10
11
存储温度范围.............................. -55 ° C至+ 150°C
环境温度范围............................. -55 ° C至+ 100°C
结温................................................ .......... 100℃
焊接温度（T = 10秒最大） ............................. 260℃
浸焊：距离飞机座位
≥1.5
mm
规格如有变更。
半导体集团
4–44
10.95
本文档是从FrameMaker 4.0.3创建
电气特性
在推荐的温度（T
A
= 0℃至70℃ ），除非另有说明。见注6 。
*所有
在T典型值
A
=25°C.
参数
输入正向
电压
输入反向
当前
输入电容
温度
对COEF网络cient
正向电压
逻辑低电平电源
当前
逻辑高电源
当前
逻辑低输出
电压
对称
BOL
V
F
1.6
1.9
I
R
C
IN
0.5
10
A
pF
毫伏/°C的
V
R
=3 V
F = 1MHz时， V
F
=0 V
I
F
= 16毫安
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
1.8
V
单位
测试条件
T
A
=25°C
I
F
= 16毫安
记
75
–1.7
VF
----------
TA
I
CCL
I
CCH
100
A
1
2
A
I
F
= 16 mA时， V
O
=打开，V
CC
=15 V
T
A
=25°C
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
=15 V
T
A
=25°C
I
O
= 1.1毫安
I
O
-0.8毫安
T
A
=25°C
I
O
= 3.0毫安
I
O
= 2.4毫安
T
A
=25°C
V
O
=V
CC
=5.5 V
V
O
=V
CC
=15.0 V
V
O
=V
CC
=15.0 V
I
F
= 0毫安
I
F
= 16毫安，
V
CC
=4.5 V
0.001
V
OL
SFH6315T
0.15
0.4
V
0.5
SFH6316T
SFH6343T
逻辑高电平输出。
当前
I
OH
0.4
0.15
0.5
0.003
0.01
0.5
1
50
A
V
T
A
=25°C
T
A
=0–70°C
晶体管直流
电流增益
电容
（输入输出）
电流传输镭
TIO
h
FE
C
我-O
CTR
SFH6315T
7
5
SFH6316T
SFH6343T
19
15
150
V
O
= 5 V，I
O
-3毫安
pF
F = 1 MHz的
6
0.4
16
17
35
36
50
%
T
A
=25°C
V
O
=0.4 V
V
O
=0.5 V
I
F
= 16毫安，
V
CC
=4.5 V
1, 6
50
%
T
A
=25°C
V
O
=0.4 V
V
O
=0.5 V
切换时间图1.测试电路
I
F
0
V
O
1.5 V
t
PHL
t
PLH
5V
脉冲
发电机
Z
O
=50
TR = 5纳秒
I
F
10 ％占空比
1/f<100
s
1
2
3
I
F
=监测
R
m
8
7
R
L
+5 V
1.5 V
V
OL
6
5
0.1
F
V
O
C
L
=15pF
4
SFH6315T/6316T/6343T
半导体集团
4–45
交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= 0℃至70℃ ），V
CC
= 5 V，I
F
= 16毫安除非另有规定。
*所有的典型值，T
A
=25°C.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平时输出
对称
BOL
t
PHL
设备
SFH6315T
分钟。
TYP 。 *
0.5
马克斯。
1.5
2.0
SFH6316T
SFH6343T
传播延迟时间
到输出逻辑高电平
t
PLH
SFH6315T
0.25
0.8
1.0
0.5
1.5
2.0
SFH6316T
SFH6343T
共模瞬变
免疫力的逻辑高
电平输出
|厘米
H
|
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
15
0.5
0.8
1.0
1
1
30
KV / μs的
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
R
L
=1.9 K
I
F
= 0毫安
T
A
=25°C
V
CM
=10 V
P-P
2
I
F
= 0毫安
T
A
=25°C
V
CM
=1500 V
P-P
I
F
= 16毫安
T
A
=25°C
V
CM
=10 V
P-P
2
SFH6343T
15
30
R
L
=1.9 K
I
F
= 16毫安
T
A
=25°C
V
CM
=1500 V
P-P
3, 4, 5
3, 4, 5
s
T
A
=25°C
T
A
=25°C
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
1
4, 5
s
T
A
=25°C
R
L
=1.9 K
单位
测试条件
T
A
=25°C
R
L
=4.1 K
1
4, 5
图。
记
共模瞬变
免疫力处于逻辑低电平
电平输出
|厘米
L
|
SFH6315T
SFH6316T
1
1
KV / μs的
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
笔记
1.
2.
3.
以百分数表示的电流传输比等于输出集电极电流的比率（I
O
）向前行LED的输入电流（I
F
）乘以100 。
设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2 ，3和4短接在一起，并且销5 ， 6 ，7和8短接在一起。
在逻辑高电平共模瞬变抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ dt的上的COM的前缘
共模脉冲（V
CM
），以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
>2.0 V） 。共模瞬态抗扰度
在一个逻辑低电平的最大可容忍（负） dVcm / dt的对共模信号脉冲的后沿（Ⅴ
CM
to
确保输出将保持在逻辑低状态（即V
O
<0.8 V） 。
1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
4.1 kΩ的负载表示0.36毫安1 LSTTL机组负荷和6.1 kΩ的上拉电阻。
A 0.1
f
旁路电容器，连接销5和8之间，推荐。
4.
5.
6.
瞬态抗扰度和典型波形图2.测试电路
V
CM
0 V 10%
90%
tr
90%
10%
tf
A
1
I
F
8
7
6
0.1
F
R
L
+5 V
2
3
4
V
FF
+
V
CM
–
V
O
V
O
在交换机答： IF = 0毫安
5V
B
5
V
O
在交换机B： IF = 16毫安
V
OL
脉冲发生器
SFH6315T/6316T/6343T
半导体集团
4–46
图3. LED的正向电流与正向电压
20
在毫安IF- LED电流
15
75°C
10
0°C
5
0
1.3
25°C
图4.允许正向LED电流与温度
30
I
F
LED电流，单位为mA
1.7
20
10
1.4
1.5
1.6
0
0
20
40
60
80
100
环境温度
°C
VF- LED的正向电压
图5.允许耗散功率与温度。
120
总功率为mW
探测器
图6.输出电流与输出电压
8
IO输出电流，单位为mA
IF = 25毫安
6
4
2
0
0
5
10
VO-输出电压伏特
15
20毫安
15毫安
10毫安
5毫安
100
80
60
40
20
0
0
辐射源
20
40
60
80
环境温度
°C
100
图7.输出电流（高）与温度
10 -6
10 -7
IOH
10 -8
10 -9
10 -10
10 -11
-60
-40
-20
0
20
40
60
环境温度
°C
80
100
图8. NCTR与IF
1.4
1.2
NCTR
1.0
0.8
0.6
0.4
Vcc=5V
Tamb=25°C
SFH6316/43
SFH6315
0.2
.0001
.001
如果以mA
.01
.1
图9. NCTR与温度的关系（ SFH6316T / 43T ）
1.3
1.2
NCTR
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-40
-20
0
20
40
60
温度
°C
80
100
归@ 16毫安
Vcc=5v
V0=0.4V
T=25°C
IF = 10毫安
图10. NCTR与温度的关系（ SFH6315T ）
1.4
1.2
NCTR
归@ 16毫安
Vo=0.4V
VCC=5V
Tamb=25°C
IF = 10毫安
IF = 16毫安
IF = 16毫安
1.0
0.8
0.6
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度
°C
SFH6315T/6316T/6343T
半导体集团
4–47
日前，Vishay
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，晶体管输出
特点
表面贴装
工业标准SOIC- 8封装
兼容红外汽相回流焊和
波峰焊工艺
隔离测试电压， 3000 V
RMS
非常高的共模瞬变抗扰度：
15000 V/
s
在V
CM
= 1500 V保证
(SFH6343)
高速： 1.0 Mb / s的
TTL兼容
保证交流和直流性能温度
TURE ： 0 ° C至70℃
集电极开路输出
引脚兼容安捷伦（惠普）光电耦合器
- SFH6315T ， HCPL0500
- SFH6316T ， HCPL0501
- SFH6343T ， HCPL0453
NC
1
A
2
C
3
NC
4
SFH6315/6
8
V
CC
7
BV
B
6
C
5
E
SFH6343
NC
1
A
2
C
3
NC
4
i179069
8
V
CC
7
NC
6
C
5
E
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码Y
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
光检测器和一个高速晶体管。照片
检测器从所述晶体管结隔离
减少米勒电容的影响。集电极开路
输出功能可以让电路设计者调整
当用不同的逻辑接口的负载条件
如TTL ， CMOS等系统
因为SFH6343T对法拉第屏蔽
检测器芯片，它也可以拒绝，并尽量减少高
输入到输出共模瞬变电压。
没有基连接，从而进一步降低了
进入包装箱电位电噪声。
该SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T是封装
年龄在行业标准的SOIC- 8封装，并
适合于表面安装。
应用
线接收器
逻辑接地隔离
模拟信号接地隔离
取代脉冲变压器
订购信息
部分
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
备注
CTR > 5.0 ％ ， SOIC- 8
CTR > 15 ％ ， SOIC- 8
CTR > 19 ％ ， SOIC- 8
有关更多的订单信息，请参阅第期权
描述
该SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T ，高速
光电耦合器，每个由砷化镓铝红外
发光二极管，光学耦合与集成
需要注意的是产品仅适用于磁带和卷轴。
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SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
T
AMB
≤
70 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
3.0
25
1.0
45
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
电源电压
输出电压
输出电流
功耗
T
AMB
≤
70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
I
O
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
8.0
100
单位
V
V
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器（参照
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74)
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 ° C，R
ISOL
（注2 ）
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C,
R
ISOL
（注2 ）
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
T = 10秒以内，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
测试条件
符号
V
ISO
价值
3000
单位
V
RMS
2
≥
4.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
-55到+150
-55到+100
100
260
°C
°C
°C
°C
mm
mm
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电气特性
SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
在推荐的温度（T
AMB
= 0℃至70℃ ），除非另有说明。见注6，所有典型值在T
AMB
= 25 °.
参数
输入正向电压
输入反向电流
输入电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
V
R
= 3.0 V
F = 1.0兆赫，V
F
= 0 V
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
F
I
R
C
IN
V
F
/T
AMB
民
典型值。
1.6
1.6
0.5
75
-1.7
最大
1.8
1.9
10
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低电平电源
当前
逻辑高电源
当前
逻辑低输出
电压
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
O
=打开，V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=打开，V
CC
= 15 V
部分
符号
I
CCL
I
CCH
I
CCH
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 1.1毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 0.8毫安，
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 3.0毫安
I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V，I
O
= 2.4毫安，
逻辑高电平输出。
当前
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
SFH6315T
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
V
OL
V
OL
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
OH
民
典型值。
200
0.001
0.001
0.15
0.15
0.15
0.15
0.003
0.01
1.0
2.0
0.4
0.5
0.4
0.5
0.5
1.0
50
最大
单位
A
A
A
V
V
V
V
A
A
A
耦合器
参数
电容（输入输出） 。见注6 。
测试条件
F = 1.0 MHz的
符号
C
我-O
民
典型值。
0.4
最大
单位
pF
电流传输比
参数
见注1和6
测试条件
部分
SFH6315T
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
民
7
5
19
15
典型值。
16
17
35
36
最大
50
单位
%
%
电流传输比V
O
= 0.4 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.5 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.4 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
V
O
= 0.5 V，I
F
= 16 mA时， V
CC
= 4.5 V
50
%
%
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SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
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10 ％占空比
1/f<100
s
1
脉冲
发电机
ZO = 50
TR = 5纳秒
IF
2
8
7
RL
3
IF =监控
Rm
isfh6315t_01
+5 V
IF
0
VO
5V
6
5
0.1
F
VO
C L = 15pF的
1.5 V
的TPH1
TPLH
1.5 V
VOL
4
切换时间图1.测试电路
开关特性
在推荐的温度（T
AMB
= 0℃） ，V
CC
= 5.0 V，I
F
= 16毫安除非另有规定。所有典型值，T
AMB
= 25 °C
参数
传播延迟时间为逻辑低时输出
见图。 1和注4和5
测试条件
R
L
= 4.1 K
部分
SFH6315T
SFH6315T
符号
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
0.5
0.5
0.25
0.25
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
1.5
2.0
0.8
1.0
1.5
2.0
0.8
1.0
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
R
L
= 1.9 K
传播延迟时间为逻辑高时的输出
见图。 1和注4和5
SFH6316T
SFH6343T
SFH6315T
SFH6315T
R
L
= 4.1 K
R
L
=1.9 K
R
L
= 1.9 K
SFH6316T
SFH6343T
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SFH6315T / SFH6316T / SFH6343T
威世半导体
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬变
免疫力在逻辑高电平
产量
见图。 2 ，并指出3,4和5
测试条件
R
L
= 4.1 kΩ的，我
F
= 0 mA时，
V
CM
= 10 V
P-P
部分
SFH6315T
符号
|厘米
H
|
民
典型值。
1.0
最大
单位
KV / μs的
R
L
= 1.9 kΩ的，我
F
= 0 mA时，
V
CM
= 1500 V
P-P
共模瞬变
免疫力在逻辑低电平
产量
见图。 2 ，并指出3,4和5
SFH6316T
SFH6343T
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
15
1.0
30
1.0
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
R
L
= 4.1 kΩ的，我
F
= 16毫安，
V
CM
= 10 V
P-P
R
L
= 1.9 K
,
I
F
= 16毫安，
V
CM
= 10 V
P-P
R
L
= 1.9 K
,
I
F
= 16毫安，
V
CM
= 1500 V
P-P
SFH6315T
SFH6316T
SFH6343T
|厘米
L
|
|厘米
L
|
15
1.0
30
KV / μs的
KV / μs的
在1 ％的电流传输率等于输出集电极电流I的比值（
O
）向前行LED的输入电流（I
F
） 100次
2.设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2 ，3和4短接在一起，并且销5 ， 6 ，7和8短接在一起。
在逻辑高电平3.共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
CM
/ dt的上的共同的前缘
脉冲模式（V
CM
），以保证该输出将保持在逻辑高状态（也就是，V
O
> 2.0 V） 。在逻辑的共模瞬态抗扰度
低级别的最大可容忍（负）的dV
CM
/ dt的对共模信号脉冲的后沿（Ⅴ
CM
以保证输出
将保持在逻辑低状态，即，V
O
> 0.8V） 。
4. 1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
5. 4.1 kΩ的负载表示0.36毫安1 LSTTL机组负荷和6.1 kΩ的上拉电阻。
6. A 0.1
f
旁路电容器，连接销5和8之间，推荐。
1
IF
2
3
4
VCC
+
isfh6315t_02
8
7
6
0.1
F
5
+5 V
VCM
0 V 10%
90%
tr
90%
10%
tf
RL
VO
A
B
VO
交换机AT A ： IF = 0毫安
5V
VCM
–
VO
脉冲发生器
在交换机B： IF = 16毫安
VOL
瞬态抗扰度和典型波形图2.测试电路
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SN74CBT3251DB
SN74AC374N
SFH615AY-X006
S72WS512PD0KF0GH0
S30D40A
SN54ALS569A
S1812R-561K
SA9110A
SPX1129N-3.3
ST173C12CEJ1P
SN74LVC06A-EP
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    -
    -
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