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日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, AC输入,低输入
当前
特点
高共模干扰的抗扰度
绝缘测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
= 55 V
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
订购信息
部分
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
备注
CTR 63 - 200 % , DIP- 4
CTR 100 - 320 % , DIP- 4
CTR 160 - 500 % , DIP- 4
CTR 63 - 200 % , SMD- 4
CTR 100 - 320 % , SMD- 4
CTR 160 - 500 % , SMD- 4
CTR 63 - 200 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , SMD - 4 (选项7 )
CTR 160 - 500 % , DIP- 4 400万(选项6 )
描述
该SFH628A ( DIP )和SFH6286 ( SMD )设有
高电流传输比,低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
的GaAs红外发光二极管,这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器,并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
SFH628A-2-X006
SFH628A-3-X006
SFH628A-3-X007
SFH628A-4-X006
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
直流正向电流
正向电流浪涌
t
10
s
测试条件
符号
I
F
I
FSM
价值
± 50
± 2.5
单位
mA
A
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH628A / SFH6286
威世半导体
日前,Vishay
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046 ,第2部分,
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
7.0
7.0
0.4
175
10
12
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
典型值。
1.1
45
1070
最大
1.5
单位
V
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
典型值。
10
7
500
最大
200
单位
nA
pF
K / W
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2
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
日前,Vishay
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.5毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.8毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
= 1.25毫安
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A / SFH6286
威世半导体
符号
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
典型值。
0.25
0.25
0.25
最大
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
V
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A-4
SFH6286-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
63
32
100
50
160
80
250
160
500
100
320
典型值。
最大
200
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
最大
6.0
3.5
5.5
5.0
单位
s
s
s
s
如果
RL
VCC
IC
10%
90%
输入脉冲
输出脉冲
tr
tf
吨关闭
47
isfh618a_11
isfh618a_12
图。 1测试电路
图。 2测试电路和波形
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
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3
SFH628A / SFH6286
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
日前,Vishay
IF = 1.0毫安, VF = F ( TA )
isfh618a_01
isfh618a_04
图。 3电流传输比(典型值)。
图。 6二极管的正向电压(典型值)。
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
TA = 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
CEE = F ( VCE )
isfh618a_01
isfh618a_02
isfh618a_05
图。 4电流传输比(典型值)。
图。 7三极管电容
TA = 25°C , VF = F ( IF )
TA = 25℃ ,
CE = F
( VCE , IF )
isfh618a_03
isfh618a_06
图。 5二极管的正向电压(典型值)。
图。 8输出特性
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4
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
IF = F ( TA )
isfh618a_07
图。 9容许正向电流二极管
P合计= F ( TA )
isfh618a_08
图。 10允许功耗
TA = 25°C , IF = 1.0毫安,
VCC = 5.0 V ,吨, TR ,
tOFF的,TF = F ( RL )
isfh618a_09
图。 11开关时间(典型值)。
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
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5
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR , 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率,在
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2, 63-125 %
- SFH618A -3, 100-200 %
- SFH618A -4, 160-320 %
- SFH618A - 5 , 250-500 %
- SFH628A -2, 63-200 %
- SFH628A -3, 100-320 %
- SFH628A - 4 , 160-500 %
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ,
V
CE
=1.5 V:
32 % (典型值120 % )
- SFH628A ,
V
CE
=1.5 V:
50 % (典型值160 % )
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏(透明离子
盾)
最终可堆叠, 0.100"器(2.54 mm )间距
高共模干扰抗扰性
(未连接底座)
美国保险商实验室文件# 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸(毫米)
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 ( 0.79 )典型值。
.050 ( 1.27 )典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 ( 7.62 )典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比,低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器,其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器,并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压( SFH618A ) ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流( SFH628A ) ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流(T
p
10微秒) ( SFH628A ) ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流(T
p
1.0毫秒) .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
发射极之间的隔离测试电压
检测器,是指气候DIN 40046 ,
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
7.0 mm
通关................................................. ..................................
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ,第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度(最多10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号: 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
75
120
200
300
100
160
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
125
200
320
500
200
320
500
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–243
图1.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 0.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安,
V
F
= F (T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F (T
A
)
图2.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 1.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
C
CE
= F(V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F(我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F(V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间(典型值)。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安,
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F (r
L
)
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–244
开关时间,典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路, SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路, SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–245
日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, AC输入,低输入
当前
特点
高共模干扰的抗扰度
绝缘测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
= 55 V
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
订购信息
部分
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
备注
CTR 63 - 200 % , DIP- 4
CTR 100 - 320 % , DIP- 4
CTR 160 - 500 % , DIP- 4
CTR 63 - 200 % , SMD- 4
CTR 100 - 320 % , SMD- 4
CTR 160 - 500 % , SMD- 4
CTR 63 - 200 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , SMD - 4 (选项7 )
CTR 160 - 500 % , DIP- 4 400万(选项6 )
描述
该SFH628A ( DIP )和SFH6286 ( SMD )设有
高电流传输比,低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
的GaAs红外发光二极管,这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器,并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
SFH628A-2-X006
SFH628A-3-X006
SFH628A-3-X007
SFH628A-4-X006
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
直流正向电流
正向电流浪涌
t
10
s
测试条件
符号
I
F
I
FSM
价值
± 50
± 2.5
单位
mA
A
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
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1
SFH628A / SFH6286
威世半导体
日前,Vishay
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046 ,第2部分,
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
7.0
7.0
0.4
175
10
12
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
典型值。
1.1
45
1070
最大
1.5
单位
V
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
典型值。
10
7
500
最大
200
单位
nA
pF
K / W
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2
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日前,Vishay
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.5毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.8毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
= 1.25毫安
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A / SFH6286
威世半导体
符号
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
典型值。
0.25
0.25
0.25
最大
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
V
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A-4
SFH6286-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
63
32
100
50
160
80
250
160
500
100
320
典型值。
最大
200
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
最大
6.0
3.5
5.5
5.0
单位
s
s
s
s
如果
RL
VCC
IC
10%
90%
输入脉冲
输出脉冲
tr
tf
吨关闭
47
isfh618a_11
isfh618a_12
图。 1测试电路
图。 2测试电路和波形
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3
SFH628A / SFH6286
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
日前,Vishay
IF = 1.0毫安, VF = F ( TA )
isfh618a_01
isfh618a_04
图。 3电流传输比(典型值)。
图。 6二极管的正向电压(典型值)。
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
TA = 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
CEE = F ( VCE )
isfh618a_01
isfh618a_02
isfh618a_05
图。 4电流传输比(典型值)。
图。 7三极管电容
TA = 25°C , VF = F ( IF )
TA = 25℃ ,
CE = F
( VCE , IF )
isfh618a_03
isfh618a_06
图。 5二极管的正向电压(典型值)。
图。 8输出特性
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4
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日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
IF = F ( TA )
isfh618a_07
图。 9容许正向电流二极管
P合计= F ( TA )
isfh618a_08
图。 10允许功耗
TA = 25°C , IF = 1.0毫安,
VCC = 5.0 V ,吨, TR ,
tOFF的,TF = F ( RL )
isfh618a_09
图。 11开关时间(典型值)。
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5
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 , 615 , 618 , 620 , 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
(透明离子盾)
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批,文件# E52744
D E
包装尺寸以英寸(毫米)
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 , 6116 , 6156 , 6186 , 6206 , 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 , 615 , 618 , 620 ,
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日, 2000-10
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR , 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率,在
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2, 63-125 %
- SFH618A -3, 100-200 %
- SFH618A -4, 160-320 %
- SFH618A - 5 , 250-500 %
- SFH628A -2, 63-200 %
- SFH628A -3, 100-320 %
- SFH628A - 4 , 160-500 %
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ,
V
CE
=1.5 V:
32 % (典型值120 % )
- SFH628A ,
V
CE
=1.5 V:
50 % (典型值160 % )
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏(透明离子
盾)
最终可堆叠, 0.100"器(2.54 mm )间距
高共模干扰抗扰性
(未连接底座)
美国保险商实验室文件# 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸(毫米)
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 ( 0.79 )典型值。
.050 ( 1.27 )典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 ( 7.62 )典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比,低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器,其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器,并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压( SFH618A ) ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流( SFH628A ) ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流(T
p
10微秒) ( SFH628A ) ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流(T
p
1.0毫秒) .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
发射极之间的隔离测试电压
检测器,是指气候DIN 40046 ,
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
7.0 mm
通关................................................. ..................................
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ,第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度(最多10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号: 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
75
120
200
300
100
160
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
125
200
320
500
200
320
500
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–243
图1.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 0.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安,
V
F
= F (T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F (T
A
)
图2.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 1.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
C
CE
= F(V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F(我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F(V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间(典型值)。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安,
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F (r
L
)
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–244
开关时间,典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路, SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路, SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
文档编号: 83673
修订版17月-01
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2–245
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 , 615 , 618 , 620 , 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
(透明离子盾)
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批,文件# E52744
D E
包装尺寸以英寸(毫米)
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 , 6116 , 6156 , 6186 , 6206 , 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 , 615 , 618 , 620 ,
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 ( 2.54 ) (典型值) 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖( 1-888-463-4636 )
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日, 2000-10
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR , 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率,在
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2, 63-125 %
- SFH618A -3, 100-200 %
- SFH618A -4, 160-320 %
- SFH618A - 5 , 250-500 %
- SFH628A -2, 63-200 %
- SFH628A -3, 100-320 %
- SFH628A - 4 , 160-500 %
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ,
V
CE
=1.5 V:
32 % (典型值120 % )
- SFH628A ,
V
CE
=1.5 V:
50 % (典型值160 % )
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏(透明离子
盾)
最终可堆叠, 0.100"器(2.54 mm )间距
高共模干扰抗扰性
(未连接底座)
美国保险商实验室文件# 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸(毫米)
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 ( 0.79 )典型值。
.050 ( 1.27 )典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 ( 7.62 )典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比,低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器,其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器,并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压( SFH618A ) ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流( SFH628A ) ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流(T
p
10微秒) ( SFH628A ) ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流(T
p
1.0毫秒) .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
发射极之间的隔离测试电压
检测器,是指气候DIN 40046 ,
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
7.0 mm
通关................................................. ..................................
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ,第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度(最多10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm) ..........................................260
°
C
www.vishay.com
2–242
文档编号: 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
75
120
200
300
100
160
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
125
200
320
500
200
320
500
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号: 83673
修订版17月-01
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2–243
图1.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 0.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安,
V
F
= F (T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F (T
A
)
图2.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 1.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
C
CE
= F(V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F(我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F(V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间(典型值)。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安,
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F (r
L
)
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–244
开关时间,典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路, SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路, SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
文档编号: 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–245
日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出, AC输入,低输入
当前
特点
高共模干扰的抗扰度
绝缘测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,V
首席执行官
= 55 V
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
订购信息
部分
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
备注
CTR 63 - 200 % , DIP- 4
CTR 100 - 320 % , DIP- 4
CTR 160 - 500 % , DIP- 4
CTR 63 - 200 % , SMD- 4
CTR 100 - 320 % , SMD- 4
CTR 160 - 500 % , SMD- 4
CTR 63 - 200 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , DIP- 4 400万(选项6 )
CTR 100 - 320 % , SMD - 4 (选项7 )
CTR 160 - 500 % , DIP- 4 400万(选项6 )
描述
该SFH628A ( DIP )和SFH6286 ( SMD )设有
高电流传输比,低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
的GaAs红外发光二极管,这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器,并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
SFH628A-2-X006
SFH628A-3-X006
SFH628A-3-X007
SFH628A-4-X006
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
直流正向电流
正向电流浪涌
t
10
s
测试条件
符号
I
F
I
FSM
价值
± 50
± 2.5
单位
mA
A
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH628A / SFH6286
威世半导体
日前,Vishay
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046 ,第2部分,
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
7.0
7.0
0.4
175
10
12
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
典型值。
1.1
45
1070
最大
1.5
单位
V
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
典型值。
10
7
500
最大
200
单位
nA
pF
K / W
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2
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
日前,Vishay
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.5毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
- 0.8毫安
I
F
= ±1.0毫安,我
C
= 1.25毫安
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A / SFH6286
威世半导体
符号
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
典型值。
0.25
0.25
0.25
最大
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
V
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
I
F
= ±1.0毫安, V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安, V
CE
= 1.5 V
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A-4
SFH6286-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
63
32
100
50
160
80
250
160
500
100
320
典型值。
最大
200
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V,I
C
= 2.0毫安,R
L
= 100
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
典型值。
最大
6.0
3.5
5.5
5.0
单位
s
s
s
s
如果
RL
VCC
IC
10%
90%
输入脉冲
输出脉冲
tr
tf
吨关闭
47
isfh618a_11
isfh618a_12
图。 1测试电路
图。 2测试电路和波形
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修订版1.4 , 26 -APR- 04
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3
SFH628A / SFH6286
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
日前,Vishay
IF = 1.0毫安, VF = F ( TA )
isfh618a_01
isfh618a_04
图。 3电流传输比(典型值)。
图。 6二极管的正向电压(典型值)。
VCE = 0.5 V , CTR = F ( TA )
TA = 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
CEE = F ( VCE )
isfh618a_01
isfh618a_02
isfh618a_05
图。 4电流传输比(典型值)。
图。 7三极管电容
TA = 25°C , VF = F ( IF )
TA = 25℃ ,
CE = F
( VCE , IF )
isfh618a_03
isfh618a_06
图。 5二极管的正向电压(典型值)。
图。 8输出特性
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4
文档编号83722
修订版1.4 , 26 -APR- 04
日前,Vishay
SFH628A / SFH6286
威世半导体
IF = F ( TA )
isfh618a_07
图。 9容许正向电流二极管
P合计= F ( TA )
isfh618a_08
图。 10允许功耗
TA = 25°C , IF = 1.0毫安,
VCC = 5.0 V ,吨, TR ,
tOFF的,TF = F ( RL )
isfh618a_09
图。 11开关时间(典型值)。
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5
SFH628A -2, SFH628A -3,
SFH628A-4
低输入电流
PHOTOTRANSISTOR
光耦合隔离器
认证
UL认证,文件号E91231
封装代码" EE "
“X”规格认证
VDE 0884中提供3引脚形式: -
- STD
- 摹形
- SMD批准CECC 00802
2.54
7.0
6.0
1.2
5.08
4.08
1
2
尺寸(mm)
4
3
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
描述
该SFH628A系列光耦合
隔离器包括反向并联的红外光
发光二极管和NPN硅光电
晶体管的有效空间双列直插式塑料
包。
特点
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
低输入电流± 0.5毫安我
F
高电流传输比
(在± 1毫安63-500 %,32 %以上在± 0.5mA)即可
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
高BV
首席执行官
( 55V分)
所有电气参数100%测试
定制电可用的选项
应用
电脑终端机
工业系统控制器
测量仪器
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
3.0
0.5
3.35
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
工作温度
-30 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
INPUTDIODE
正向电流
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极电流
功耗
功耗
总功耗
(减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C)
±50mA
70mW
55V
6V
50mA
150mW
7.62
200mW
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD 2004年
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦,克利夫兰, TS25 1UD
联系电话: ( 01429 ) 863609传真: ( 01429 ) 863581
20/8/08
DB92514
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
输入
产量
正向电压(V
F
)
集电极 - 发射极击穿( BV
首席执行官
)
55
(注2 )
发射极 - 集电极击穿( BV
ECO
)
6
集电极 - 发射极暗电流(I
首席执行官
)
电流传输比( CTR ) (注2 )
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
响应时间(上升) , TR
响应时间(秋季) , TF
注1
注2
5300
7500
5x10
10
4
3
18
18
63
32
100
50
160
80
最小典型最大单位测试条件
1.5
V
V
V
nA
I
F
= -5mA
I
C
= 1毫安
I
E
= 100μA
V
CE
= 10V
= 1毫安我
F
, 0.5V V
CE
± 0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
= 1毫安我
F
, 0.5V V
CE
± 0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
= 1毫安我
F
, 0.5V V
CE
± 0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
= 1毫安我
F
, 0.5毫安我
C
= 1毫安我
F
, 0.8毫安我
C
= 1毫安我
F
, 1.25毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V (注1 )
V
CE
= 2V ,我
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω
200
再加
200
320
500
%
%
%
%
%
%
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
RMS
V
PK
Ω
μS
μS
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
输入
R
L
产量
产量
10%
t
on
t
关闭
t
r
t
f
10%
90%
90%
图1
20/8/08
DB92514m-AAS/A2
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
( mW)的
集电极电流和低集电极 - 发射极
电压(归一化到SFH628A -2- & SFH628A -3)的
2.0
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
(MA )
1.6
I
F
= -1mA
1.2
0.8
I
F
= -0.5mA
0.4
0
100
50
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
60
相对电流传输比
正向电流I
F
( ±毫安)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
50
40
30
20
10
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
1.5
I
F
= -1mA
V
CE
= 0.5V
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
电流传输比与正向电流
(归一化到SFH628A -2- & SFH628A -3)的
120
电流传输比CTR ( % )
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
F
= -1mA
I
C
- 0.5毫安
100
80
60
40
20
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
正向电流I
F
( ±毫安)
DB92514m-AAS/A2
V
CE
= 0.5V
T
A
= 25 °C
20/8/08
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