SFH628A ， SFH6286
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，低输入电流
特点
高共模干扰的抗扰度
隔离测试电压， 5300 V
RMS
1
低耦合电容
的A / C 1
C / A 2
1
i179080-3
4
3
D E
V
C
E
良好的CTR线性度取决于前锋
当前
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 55 V
符合RoHS指令2002/ 95 / EC和
按照WEEE 2002/96 / EC
1
DIP - 4 SMD- 4针槽
1
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
描述
该SFH628A （ DIP ）和SFH6286 （ SMD）具有很高的
电流传输比，低耦合电容和高
隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外光
发光二极管，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个塑料并入
DIP - 4或SMD封装。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米引线间距。
的> 8毫米爬电距离和电气间隙得以实现
与选项6.本版本符合IEC 60950
（ DIN VDE 0805 ）钢筋绝缘操作
400 V的电压
RMS
或DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN
（待定） ，可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
EN
60747-5-5
订购信息
DIP- ＃
S
F
H
6
2
8
x
-
#
CTR
箱子
X
0
#
#
T
7.62 mm
产品型号
封装选项
TAPE
和
REEL
选6
选7
10.16 mm
> 0.7毫米
选8
选择9
9.27 mm
> 0.1毫米
代理认证/ PACKAGE
UL ， BSI
DIP-4
SMD - 4 ，选择9
VDE ， UL ， BSI
DIP-4
DIP - 4 ， 400万，选择6
SMD - 4 ，选7
SMD - 4 ，选8
SMD - 4 ，选择9
63至200
SFH628A-2T
(1)
-
63至200
-
SFH628A-2X016
-
SFH628A-2X018
-
CTR （ ％ ）
SFH628A
100 320
SFH628A-3
-
100 320
SFH628A-3X001
SFH628A-3X016
SFH628A-3X017T
-
-
160至500
SFH628A-4
-
160至500
-
SFH628A-4X016
-
-
-
63至200
-
SFH6286-2T
(1)
63至200
-
-
-
-
SFH6286
100 320
-
SFH6286-3T
(1)
100 320
-
-
-
-
160至500
-
SFH6286-4T
(1)
160至500
-
-
-
-
SFH6286-2X001T SFH6286-3X001T SFH6286-4X001
记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
(1)
也可在管;不添加吨至结束。
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，低输入电流
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
之间的绝缘厚度
符合DIN IEC112 /漏电起痕指数
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(1)
测试条件
符号
I
F
价值
± 50
± 2.5
76
55
7
50
100
150
5300
7
7
0.4
175
单位
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
V
RMS
mm
mm
mm
°C
°C
°C
t
10 μs
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
EC
I
C
t
p
1毫秒
I
C
P
DISS
V
ISO
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55 + 100
260
最大。 10秒，浸焊的距离
T
SLD
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
热阻
耦合器
I
F
= ±1毫安，我
C
- 0.5毫安
集电极发射极饱和
电压
I
F
= ±1毫安，我
C
- 0.8毫安
I
F
= ±1毫安，我
C
= 1.25毫安
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
I
F
= - 5毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
O
R
thJA
1.1
45
1070
1.5
V
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
AC输入，低输入电流
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
I
F
= - 1毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= - 1毫安， V
CE
= 0.5 V
I
C
/I
F
I
F
= ±0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= - 1毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= ±0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-2
SFH6286-2
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-3
SFH6286-3
SFH628A-4
SFH6286-4
SFH628A-4
SFH6286-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
63
63
32
32
100
100
50
50
160
160
80
80
250
250
160
160
500
500
100
100
320
320
典型值。
马克斯。
200
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
± I
F
测试条件
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
V
CC
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
R
L
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
马克斯。
6
3.5
5.5
5
单位
μs
μs
μs
μs
V
CC
I
C
10 %
输入脉冲
输出脉冲
90 %
47
Ω
t
on
isfh618a_11
isfh618a_12
t
r
t
f
t
关闭
图。 1 - 测试电路
图。 2 - 测试电路和波形
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 8
标准DIP - 8
400万DIP- 8
400万DIP- 8
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
10000
890
400
275
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，低输入电流
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
280
240
CTR （ ％ ）
200
160
120
80
40
0
- 40 - 20
isfh618a_01
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
1.2
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
1.15
V
F（ v）的
100
I
F = 5毫安
I
F = 2毫安
I
F = 1毫安
I
F = 0.5毫安
0
20
40
60
T
A
(°C)
80
1.1
1.05
1
0.95
0
- 40 - 20
0
20
isfh618a_04
40
60
T
A
(°C)
80
100
图。 3 - 电流传输比（典型值）。
图。 6 - 二极管正向电压（典型值）。
280
240
CTR （ ％ ）
200
160
120
80
40
0
- 40 - 20
isfh618a_02
20
16
I
F = 5毫安
I
F = 2毫安
I
F = 1毫安
I
F = 0.5毫安
0
20
40
60
T
A
(°C)
80
100
TA = 25 C ， F = 1.0 MHz的
CEE = F （ VCE ）
C
CE
（PF ）
12
8
4
0
10
-2
10
-1
isfh618a_05
10
0
10
1
V
CE
(V)
10
2
图。 4 - 电流传输比（典型值）。
图。 7 - 晶体管电容
1.2
1.15
VR （ V）
1.1
1.05
1
0.95
0.9
10
-1
isfh618a_03
12
TA = 25 C ， VF = F （ IF ）
10
I
CE
（MA ）
8
6
4
2
0
10
-2
isfh618a_06
TA = 25℃ ，
CE = F
（ VCE ， IF ）
IF = 5毫安
IF = 2毫安
IF = 1毫安
IF = 0.5毫安
10
0
I
F
（MA ）
10
1
10
-1
10
0
V
CE
(V)
10
1
10
2
图。 5 - 二极管正向电压（典型值）。
图。 8 - 输出特性
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威世半导体
AC输入，低输入电流
100
IF = F （ TA ）
T（微秒）
10
3
吨关闭
75
/
F（毫安）
10
2
t
F
t
on
t
R
TA = 25 C ， IF = 1.0毫安，
VCC = 5.0 V ，吨， TR ，
tOFF的，TF = F （ RL ）
10
3
10
4
R
L
(Ω)
10
5
50
10
1
25
0
0
25
isfh618a_07
50
T
A
(°C)
75
100
10
0
10
2
isfh618a_09
图。 9 - 允许正向电流二极管
图。 11 - 开关时间（典型值）。
200
175
P
托特（ mW）的
150
125
100
75
50
25
0
0
二极管
晶体管
P合计= F （ TA ）
25
isfh618a_08
50
75
T
A
(°C)
100
图。 10 - 允许功耗
包装尺寸
以毫米为单位
6.48
6.81
PIN 1鉴定
4.55
4.83
ISO方法A
0.76
1.14
0.79 （典型值） 。
1.27 TYP 。
3.30
3.81
4°
典型值。
0.46
0.56
i178027-8
7.62 （典型值） 。
10°
0.508
0.89
1.27
2.54
2.79
3.30
0°到15°
0.2
0.3
5.84
6.35
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