SFH620AA / SFH620AGB
威世半导体
光电耦合器， AC输入， 5300 V
RMS
特点
高电流传输比
在5毫安： 50-600 ％
在1.0毫安： 45 ％的典型（ > 13 ）
低CTR退化
良好的CTR线性度取决于
正向电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
的A / C
1
C / A
2
4
C
3
E
i179062
e3
Pb
无铅
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 '器（2.54 mm ）间距
高共模干扰的抗扰度
（未连接底座）
SMD选项，见SFH620A / SFH6206数据表
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
发光二极管发射器，其被光学耦合到
硅平面光电晶体管检测器，并且是其纳入
额定在一个塑料DIP -4封装。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH620AA
SFH620AGB
SFH620AA-X009
SFH620AGB-X007
SFH620AGB-X009
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 600 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
描述
该SFH620AA / SFH620AGB具有高电流
转印率，低耦合电容和高异
LATION电压。这些耦合器有一个GaAs红外光
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83676
修订版1.4 ， 10月26日04
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SFH620AA / SFH620AGB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
十一月74 ）
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
环境温度
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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文档编号83676
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日前，Vishay
电气特性
SFH620AA / SFH620AGB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620AA
SFH620AGB
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
10
10
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= ±5毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
SFH620AA
SFH620AGB
符号
民
典型值。
50-600
100-600
最大
单位
%
%
I
F
= 5毫安
R
L
= 1.9
V
CC
= 5 V
I
C
47
isfh620aa_0
图1.开关时间（典型值）的线性操作
（饱和）
文档编号83676
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