SFH620A / SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，
V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
e3
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰的抗扰度
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH6206-1
SFH6206-2
备注
CTR 40 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 40 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 40 - 125 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 320 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
SFH6206-3
SFH620A-1-X006
SFH620A-2-X006
SFH620A-2-X007
SFH620A-3-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83675
修订版1.6 ， 01日-12月05
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1
SFH620A / SFH6206
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83675
修订版1.6 ， 01日-12月05
SFH620A / SFH6206
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
注：静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
2.0
2.0
5.0
50
50
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 10毫安
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 1.0毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
13
22
34
30
45
70
典型值。
最大
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
文档编号83675
修订版1.6 ， 01日-12月05
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3
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ， 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
（透明离子盾）
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批，文件＃ E52744
D E
包装尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 ， 6116 ， 6156 ， 6186 ， 6206 ， 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ，
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日， 2000-10
日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
备注
CTR 40 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 40 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 40 - 125 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 320 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH620A-1-X006
SFH620A-2-X006
SFH620A-2-X007
SFH620A-3-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83675
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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1
SFH620A / SFH6206
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
SFH620A / SFH6206
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
注：静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
2.0
2.0
5.0
50
50
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 10毫安
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 1.0毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
13
22
34
30
45
70
典型值。
最大
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
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日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
isfh620a_03
isfh620a_06
图。 4二极管的正向电压（典型值）与正向电流
图。 7允许耗散功率与环境温度
F = 1.0 MHz的
isfh620a_04
isfh620a_07
图。 5晶体管电容（典型值）与集电极 - 发射极电压
图。 8允许的二极管正向电流与环境
温度
脉冲周期
D =参数，
isfh620a_05
图。 6允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
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5
日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
备注
CTR 40 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 40 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 40 - 125 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 320 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH620A-1-X006
SFH620A-2-X006
SFH620A-2-X007
SFH620A-3-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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1
SFH620A / SFH6206
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83675
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
SFH620A / SFH6206
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
注：静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
2.0
2.0
5.0
50
50
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 10毫安
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 1.0毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
13
22
34
30
45
70
典型值。
最大
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
文档编号83675
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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3
日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
isfh620a_03
isfh620a_06
图。 4二极管的正向电压（典型值）与正向电流
图。 7允许耗散功率与环境温度
F = 1.0 MHz的
isfh620a_04
isfh620a_07
图。 5晶体管电容（典型值）与集电极 - 发射极电压
图。 8允许的二极管正向电流与环境
温度
脉冲周期
D =参数，
isfh620a_05
图。 6允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
文档编号83675
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5
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ， 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
（透明离子盾）
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批，文件＃ E52744
D E
包装尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 ， 6116 ， 6156 ， 6186 ， 6206 ， 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ，
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日， 2000-10
SFH620A / SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，
V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
e3
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰的抗扰度
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH6206-1
SFH6206-2
备注
CTR 40 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 40 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 40 - 125 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 320 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
SFH6206-3
SFH620A-1-X006
SFH620A-2-X006
SFH620A-2-X007
SFH620A-3-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83675
修订版1.6 ， 01日-12月05
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1
SFH620A / SFH6206
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
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文档编号83675
修订版1.6 ， 01日-12月05
SFH620A / SFH6206
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
注：静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
2.0
2.0
5.0
50
50
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 10毫安
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 1.0毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
13
22
34
30
45
70
典型值。
最大
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
文档编号83675
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日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
1
的A / C
1
C / A
2
i179080
4
C
3
E
1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
备注
CTR 40 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 40 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 63 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 40 - 125 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
CTR 63 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 320 ％ ， DIP - 4密耳（选项6 ）
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH620A-1-X006
SFH620A-2-X006
SFH620A-2-X007
SFH620A-3-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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SFH620A / SFH6206
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
± 60
± 2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
4.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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文档编号83675
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
SFH620A / SFH6206
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
50
750
最大
1.65
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
6.8
500
最大
单位
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
注：静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.2
2.0
2.0
5.0
50
50
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 10毫安
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
V
CE
= 5.0 V，I
F
= - 1.0毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
13
22
34
30
45
70
典型值。
最大
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
文档编号83675
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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日前，Vishay
SFH620A / SFH6206
威世半导体
isfh620a_03
isfh620a_06
图。 4二极管的正向电压（典型值）与正向电流
图。 7允许耗散功率与环境温度
F = 1.0 MHz的
isfh620a_04
isfh620a_07
图。 5晶体管电容（典型值）与集电极 - 发射极电压
图。 8允许的二极管正向电流与环境
温度
脉冲周期
D =参数，
isfh620a_05
图。 6允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
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