SFH620A ， SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入
特点
的A / C 1
1
4
3
C
E
良好的CTR线性度取决于前锋
当前
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
低CTR退化
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
符合RoHS指令2002/ 95 / EC和
按照WEEE 2002/96 / EC
C / A 2
i179080-2
V
D E
i179080
1
描述
该SFH620A （ DIP ）和SFH6206 （ SMD）具有很高的
电流传输比，低耦合电容和高
隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个塑料并入
DIP - 4或SMD封装。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。该耦合器是
最终堆叠与2.54毫米引线间距。爬电距离和
的> 8毫米间隙距离与选项6实现的。
这个版本符合IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）的
加强绝缘为400 V的工作电压
RMS
or
DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代码H，双重保护
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5 （待定）
有可用的编缉选项1
订购信息
S
F
H
6
2
0
x
-
#
CTR
箱子
X
0
#
#
T
TAPE
和
REEL
DIP- ＃
选6
产品型号
封装选项
7.62 mm
选7
10.16 mm
选择9
> 0.7毫米
> 0.1毫米
CTR （ ％ ）
AGENCY
认证/ PACKAGE
SFH620A
UL ， CUL， BSI
DIP-4
SMD - 4 ，选7
SMD - 4 ，选择9
VDE ， UL ， CUL， BSI
DIP-4
DIP - 4 ， 400万，选择6
SMD - 4 ，选7
SMD - 4 ，选择9
40至125
SFH620A-1
-
-
40至125
SFH620A-1X001
-
-
-
63至200
SFH620A-2
SFH620A-2X006
SFH620A-2X007T
(1)
-
63至200
SFH620A-2X001
SFH620A-2X016
SFH620A-2X017T
-
100 320
SFH620A-3
SFH620A-3X006
-
-
100 320
SFH620A-3X001
SFH620A-3X016
-
-
40至125
-
-
-
SFH6206-1T
(1)
40至125
-
-
-
-
= 10毫安
SFH6206
63至200
-
-
-
SFH6206-2T
(1)
63至200
-
-
-
100 320
-
-
-
SFH6206-3T
(1)
100 320
-
-
-
DIP - 4 ， 400万，选择6 SFH620A - 1X006
SFH6206-2X001T
(1)
SFH6206-3X001T
(1)
记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
(1)
也可在管;不添加吨至结束。
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修订版1.9 ， 23 -FEB- 11
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1
SFH620A ， SFH6206
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射器与检测器之间的隔离测试电压
隔离电压
总功耗
爬电距离
间隙距离
发射器和探测器之间的绝缘厚度
符合DIN IEC112 /漏电起痕指数
VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
(1)
测试条件
符号
I
F
价值
± 60
± 2.5
100
70
7
50
100
150
5300
890
250
7
7
4
单位
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
V
RMS
V
P
mW
mm
mm
mm
t
p
10 μs
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
EC
I
C
t
p
1 μs
I
C
P
DISS
t=1s
V
ISO
V
IORM
P
合计
CTI
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
°C
°C
°C
最大。 10秒，浸焊的距离
T
SLD
260
°C
焊接温度
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
I
F
= ± 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
O
R
thJA
C
CE
R
thJA
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
1.25
50
750
6.8
500
0.25
0.2
2
2
2
2
5
5
0.4
50
50
50
50
100
100
1.65
V
pF
K / W
pF
° C / W
V
pF
nA
nA
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
I
F
= ±10 mA时，我
C
= 2.5毫安
SFH620A-1
SFH6206-1
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
静止的空气中，耦合器焊接到印刷电路板或基地。
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SFH620A ， SFH6206
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
AC输入
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
部分
SFH620A-1
SFH6206-1
V
CE
= 5 V，I
F
= - 10毫安
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
I
C
/I
F
SFH6206-3
SFH620A-1
SFH6206-1
V
CE
= 5 V，I
F
= - 1毫安
SFH620A-2
SFH6206-2
SFH620A-3
SFH6206-3
I
F
R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5 V
I
C
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
40
63
63
100
100
13
13
22
22
34
34
典型值。
马克斯。
125
125
200
200
320
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
30
30
45
45
70
70
47
Ω
isfh620a_08
图。 1 - 开关时间线性操作（不饱和）
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
测试条件
R
L
= 75
,
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5 V
R
L
= 75
,
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5 V
R
L
= 75
,
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5 V
R
L
= 75
,
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5 V
R
L
= 75
,
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
CTR
分钟。
典型值。
3
2
2.3
2
250
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
千赫
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 4
标准DIP - 4
400万DIP- 4
400万DIP- 4
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
10 000
890
400
275
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
3
IF = 10 mA时， VCC = 5 V
20
F = 1 MHz的
I
C
(%)
I
F
15
C（ pF）的
3
10
2
2
1
10
5
C
CE
10
1
- 25
isfh620a_01
0
0
25
T
A
(°C)
50
75
10
-2
isfh620a_04
10
-1
10
0
10
1
V
e
(V)
10
2
图。 2 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
图。 5 - 晶体管电容（典型值）与集电极发射极电压
30
I
F
= 14毫安
I
F
= 12毫安
10
4
D
=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
t
p
D
=
T
tp
T
脉冲周期
D =参数
I
F
I
C
（MA ）
I
F
= 10毫安
I
F
= 8毫安
I
F
（MA ）
20
10
3
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 4毫安
I
F
= 2毫安
10
2
0.5
DC
0
10
1
0
5
10
V
CE
(V)
15
10
-5
isfh620a_05
10
-4
10
-3
10
-2
isfh620a_02
10
-1
t
p
(s)
10
0
10
1
图。 3 - 输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
图。 6 - 允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
1.2
VF = F（ IF）的
25 °C
50 °C
75 °C
200
P
合计
（ mW）的
150
V
F
(V)
1.1
晶体管
100
二极管
1.0
50
0.9
0
10
-1
10
0
10
1
I
F
（MA ）
10
0
isfh620a_06
25
50
T
A
(°C)
75
100
isfh620a_03
图。 4 - 二极管正向电压（典型值）与正向电流
图。 7 - 允许耗散功率与环境温度
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SFH620A ， SFH6206
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
AC输入
120
P合计= F （ TA ）
90
I
F
（MA ）
60
30
0
0
isfh620a_07
25
50
T
A
(°C)
75
100
图。 8 - 允许二极管的正向电流与
环境温度
包装尺寸
以毫米为单位
2
1
引脚1号
6.48
6.81
ISO方法A
3
4.55
4.83
0.76
1.14
4
0.79 （典型值） 。
1.27 TYP 。
3.30
3.81
7.62 （典型值） 。
4°
典型值。
0.46
0.56
10°
0.508
0.89
1.27
2.54
2.79
3.30
0°到15°
0.2
0.3
5.84
6.35
i178027
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