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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第195页 > SFH618A-5
日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
i179061
4
C
1
3
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米爬电距离和电气间隙
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH618A-3X006
SFH618A-3X007
SFH618A-4X006
SFH618A-5X006
SFH618A-5X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 250 - 500 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 250 - 500 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 - 500 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
描述
该SFH618A （ DIP ）和SFH6186 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到硅平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83673
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH618A / SFH6186
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
功耗
测试条件
符号
V
R
P
DISS
价值
6.0
70
单位
V
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046 ，第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83673
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
图1.允许功耗与环境温度
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18485
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
150
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.1
.01
25
1070
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
民
典型值。
10
7
500
最大
200
单位
nA
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
耦合电容
部分
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
符号
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
V
V
pF
文档编号83673
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
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3
SFH618A / SFH6186
威世半导体
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
SFH618A-5
SFH6186-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
120
75
典型值。
日前，Vishay
最大
125
单位
%
%
200
%
%
320
%
%
500
%
%
开关特性
典型
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
民
典型值。
6.0
3.5
5.5
5.0
最大
单位
s
s
s
s
V
CC
= 5 V
输入脉冲
输入
R
L
V
OUT
10%
90%
tr
吨
tf
吨关闭
输出脉冲
isfh618a_10
isfh618a_12
图2.测试电路
图3.测试电路和波形
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4
文档编号83673
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
isfh618a_01
isfh618a_04
图4.电流传输比（典型值）。
图7.二极管的正向电压（典型值）。
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
TA = 25 ° C，F = 1.0 MHz时，
CEE = F （ VCE ）
isfh618a_01
isfh618a_02
isfh618a_05
图5.电流传输比（典型值）。
图8.三极管电容
TA = 25°C ， VF = F （ IF ）
TA = 25℃ ，
CE = F
（ VCE ， IF ）
isfh618a_03
isfh618a_06
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.输出特性
文档编号83673
修订版1.5 ， 20 -APR- 04
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5
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR ， 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率，在
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2， 63-125 ％
- SFH618A -3， 100-200 ％
- SFH618A -4， 160-320 ％
- SFH618A - 5 ， 250-500 ％
- SFH628A -2， 63-200 ％
- SFH628A -3， 100-320 ％
- SFH628A - 4 ， 160-500 ％
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ，
V
CE
=1.5 V:
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
- SFH628A ，
V
CE
=1.5 V:
≥
50 ％ （典型值160 ％ ）
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏（透明离子
盾）
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
（未连接底座）
美国保险商实验室文件＃ 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸（毫米）
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 （ 0.79 ）典型值。
.050 （ 1.27 ）典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
4°
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 （ 7.62 ）典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比，低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器，其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压（ SFH618A ） ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流（ SFH628A ） ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流（T
p
≤
10微秒） （ SFH628A ） ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流（T
p
≤
1.0毫秒） .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
包
发射极之间的隔离测试电压
检测器，是指气候DIN 40046 ，
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
≥
7.0 mm
通关................................................. ..................................
≥
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
≥
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ，第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
≥
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
≥
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度（最多10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号： 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
包
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
—
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
—
—
—
—
—
—
—
—
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
—
75
—
120
—
200
—
300
—
100
—
160
—
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
—
125
—
200
—
320
—
500
—
200
—
320
—
500
—
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，
I
F
= -1.0毫安
—
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
—
—
—
10
7
500
200
—
—
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
—
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
—
—
—
—
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
—
—
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
—
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号： 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–243
图1.电流传输比（典型值）。
V
CE
= 0.5 V ，C
TR
= F （T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安，
V
F
= F （T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F （T
A
)
图2.电流传输比（典型值）。
V
CE
= 1.5 V ，C
TR
= F （T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz时，
C
CE
= F（V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F （T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F（我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F（V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间（典型值）。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安，
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F （r
L
)
文档编号： 83673
修订版17月-01
www.vishay.com
2–244
开关时间，典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安，
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路， SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路， SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
文档编号： 83673
修订版17月-01
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2–245
SFH618A/SFH6186
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
低输入电流
特点
良好的CTR线性度取决于前锋
当前
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 55 V
1
隔离测试电压， 5300 V
RMS
低耦合电容
4
C
1
A
1
C
2
i179061
可堆叠终端， 0.100"器（2.54 mm ）的间距
高共模瞬态抗扰度
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
3
E
描述
该SFH618A （ DIP ）和SFH6186 （ SMD）具有很高的
电流传输比，低耦合电容和高
隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个塑料并入
DIP - 4或SMD封装。
联接装置被设计用于信号传输
电气隔离回路。耦合器两者都
最终堆叠与2.54毫米引线间距。爬电距离和
的> 8.0毫米间隙距离与选项6.本实现
版本符合IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）的
加强绝缘为400 V的工作电压
RMS
or
DC 。
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH618A-3X006
SFH618A-3X007
SFH618A-4X006
SFH618A-5X006
SFH618A-5X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
CTR 250 500 ％ ， DIP- 4
点击率63 125％ ，贴片-4-
点击率100200％ ，贴片-4-
CTR 160 320 ％ ， SMD- 4
CTR 250 500 ％ ， SMD- 4
CTR 100200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -4（选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 500 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 500 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
文档编号： 83673
修订版1.8 25 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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1
SFH618A/SFH6186
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
低输入电流
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
功耗
正向电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和检测器，参考气候
DIN 40046第2部分11月74
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
5300
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
V
RMS
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
t
p
≤
1.0毫秒
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
55
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
V
R
P
DISS
I
F
60
6.0
V
mW
mA
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
探测器
100
LED
50
0
0
19386
20
40
60
8
0
100
120
T
am
b
- 环境温度（ ℃）
图。 1 - 允许耗散功率与环境温度
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
热阻
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2
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
O
R
thJA
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
1.1
0.01
25
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
文档编号： 83673
修订版1.8 25 -JAN- 08
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SFH618A/SFH6186
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
低输入电流
电气特性
参数
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
热阻
耦合器
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7.0
500
200
nA
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极发射极饱和
电压
耦合电容
C
C
0.25
pF
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
C
/I
F
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
SFH618A-5
SFH6186-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
63
63
32
32
100
100
50
50
160
160
80
80
250
250
125
125
300
300
200
200
500
500
120
120
320
320
75
75
200
200
典型值。
马克斯。
125
125
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
启动时间
上升时间
关闭时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
6.0
3.5
5.5
5.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
文档编号： 83673
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3
SFH618A/SFH6186
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
低输入电流
V
CC
= 5
V
输入脉冲
输入
R
L
V
OUT
10
%
输出脉冲
90
%
t
r
t
f
t
关闭
isfh618a_10
t
on
isfh618a_12
图。 2 - 测试电路
图。 3 - 测试电路和波形
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 4
标准DIP - 4
400万DIP- 4
400万DIP- 4
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
10000
890
400
275
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
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文档编号： 83673
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SFH618A/SFH6186
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
低输入电流
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
280
%
240
200
160
120
80
40
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
V
F
I
F = 5毫安
I
F = 2毫安
I
F = 1毫安
I
F = 0.5毫安
0
20
40
60
T
A
C
100
1.2
V
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0
- 40 - 20
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
0
- 40 - 20
isfh618a_01
0
20
40
isfh618a_04
60
T
A
C
100
图。 4 - 电流传输比（典型值）。
图。 7 - 二极管正向电压（典型值）
CTR
280
%
240
200
160
120
80
40
0
- 40 - 20
0
20
40
I
F = 5毫安
I
F = 2毫安
I
F = 1毫安
I
F = 0.5毫安
60
T
A
C
100
20
pF
C
CE
16
12
8
4
0
10-2
isfh618a_05
TA = 25 C ， F = 1.0 MHz的
CEE = F （ VCE ）
10-1
100
isfh618a_02
101
V
CE
V
102
图。 5 - 电流传输比（典型值）
图。 8 - 晶体管电容
1.2
V
1.15
Vr
1.1
1.05
1
0.95
0.9
10-1
isfh618a_03
TA = 25 C ， VF = F （ IF ）
I
CE
12
mA
10
8
6
4
2
OHOO2119
TA = 25℃ ，
CE = F
（ VCE ， IF ）
IF = 5毫安
IF = 2毫安
IF = 1毫安
IF = 0.5毫安
100
mA
I
F
101
0
10
-2
isfh618a_06
10
-1
10
0
10
1
V
CE
V
10
2
图。 6 - 二极管正向电压（典型值）。
图。 9 - 输出特性
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5
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ， 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
（透明离子盾）
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批，文件＃ E52744
D E
包装尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 ， 6116 ， 6156 ， 6186 ， 6206 ， 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ，
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日， 2000-10
日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流
特点
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
低耦合电容
最终可堆叠， 0.100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
i179061
4
C
1
3
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米爬电距离和电气间隙
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
订购信息
部分
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH618A-3X006
SFH618A-3X007
SFH618A-4X006
SFH618A-5X006
SFH618A-5X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 250 - 500 ％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
CTR 250 - 500 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 - 500 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
电池供电设备
办公设备
描述
该SFH618A （ DIP ）和SFH6186 （ SMD ）设有
高电流传输比，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到硅平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
SFH618A / SFH6186
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
功耗
测试条件
符号
V
R
P
DISS
价值
6.0
70
单位
V
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046 ，第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
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日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
图1.允许功耗与环境温度
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18485
25
50
75
100
125
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
150
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.1
.01
25
1070
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
民
典型值。
10
7
500
最大
200
单位
nA
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
耦合电容
部分
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
符号
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
0.4
0.4
0.4
0.4
单位
V
V
V
V
pF
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3
SFH618A / SFH6186
威世半导体
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-2
SFH6186-2
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-3
SFH6186-3
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-4
SFH6186-4
SFH618A-5
SFH6186-5
SFH618A-5
SFH6186-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
120
75
典型值。
日前，Vishay
最大
125
单位
%
%
200
%
%
320
%
%
500
%
%
开关特性
典型
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CC
= 5.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
民
典型值。
6.0
3.5
5.5
5.0
最大
单位
s
s
s
s
V
CC
= 5 V
输入脉冲
输入
R
L
V
OUT
10%
90%
tr
吨
tf
吨关闭
输出脉冲
isfh618a_10
isfh618a_12
图2.测试电路
图3.测试电路和波形
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日前，Vishay
SFH618A / SFH6186
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
isfh618a_01
isfh618a_04
图4.电流传输比（典型值）。
图7.二极管的正向电压（典型值）。
VCE = 0.5 V ， CTR = F （ TA ）
TA = 25 ° C，F = 1.0 MHz时，
CEE = F （ VCE ）
isfh618a_01
isfh618a_02
isfh618a_05
图5.电流传输比（典型值）。
图8.三极管电容
TA = 25°C ， VF = F （ IF ）
TA = 25℃ ，
CE = F
（ VCE ， IF ）
isfh618a_03
isfh618a_06
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.输出特性
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5
5.3千伏三重奏高可靠性
光电耦合器
SFH6106
SFH6156
SFH6186
SFH6206
SFH6286
特点
SMD SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ， 628的版本
可在磁带和卷轴
-to订单使用SUF网络X“ T”
场效应稳定了三重奏
（透明离子盾）
V
VDE 0884可通过选项1
U.L.审批，文件＃ E52744
D E
包装尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
3
4
描述
该SFH6106 ， 6116 ， 6156 ， 6186 ， 6206 ， 6286的家庭
光电耦合器导线弯曲的表面贴装应用。他们
电相当于SFH610 ， 615 ， 618 ， 620 ，
与光耦合器628个家庭。
交叉参考
SMD
SFH6106-1
SFH6106-2
SFH6106-3
SFH6106-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6186-2
SFH6186-3
SFH6186-4
SFH6186-5
SFH6206-1
SFH6206-2
SFH6206-3
SFH6286-2
SFH6286-3
SFH6286-4
通孔
SFH610A-1
SFH610A-2
SFH610A-3
SFH610A-4
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH620A-1
SFH620A-2
SFH620A-3
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
4℃典型值。
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.050 (1.27)
典型值。
.030 (.76)
.045 (1.14)
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.031 (.79)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.375 (9.52)
.395 (10.03)
.296 (7.52)
.312 (7.90)
10°
.010 (.25)
典型值。
.315 (8.00)
分钟。
.020 (.508)
.040 (1.02)
.004 (.102)
.0098 (.249)
领导
共面性
0.004最大。
3°–7°
SFH6106
阳极1
阴极2
4发射器
3收藏家
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6206
4珍藏
3发射器
SFH6156
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
SFH6286
4珍藏
3发射器
SFH6186
阳极1
阴极2
4珍藏
3发射器
2000年科幻霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
欧司朗光电半导体公司&公司分发德国雷根斯堡
www.osram-os.com + 49-941-202-7178
1
5月31日， 2000-10
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR ， 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率，在
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2， 63-125 ％
- SFH618A -3， 100-200 ％
- SFH618A -4， 160-320 ％
- SFH618A - 5 ， 250-500 ％
- SFH628A -2， 63-200 ％
- SFH628A -3， 100-320 ％
- SFH628A - 4 ， 160-500 ％
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ，
V
CE
=1.5 V:
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
- SFH628A ，
V
CE
=1.5 V:
≥
50 ％ （典型值160 ％ ）
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压，
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏（透明离子
盾）
最终可堆叠， 0.100"器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
（未连接底座）
美国保险商实验室文件＃ 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸（毫米）
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 （ 0.79 ）典型值。
.050 （ 1.27 ）典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
4°
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 （ 7.62 ）典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比，低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器，其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压（ SFH618A ） ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流（ SFH628A ） ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流（T
p
≤
10微秒） （ SFH628A ） ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流（T
p
≤
1.0毫秒） .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
包
发射极之间的隔离测试电压
检测器，是指气候DIN 40046 ，
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
≥
7.0 mm
通关................................................. ..................................
≥
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
≥
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ，第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
≥
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
≥
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度（最多10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号： 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
包
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
—
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
—
—
—
—
—
—
—
—
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
—
75
—
120
—
200
—
300
—
100
—
160
—
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
—
125
—
200
—
320
—
500
—
200
—
320
—
500
—
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安，
I
F
= -1.0毫安
—
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安，
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安，
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
—
—
—
10
7
500
200
—
—
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
—
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
—
—
—
—
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
—
—
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
—
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
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图1.电流传输比（典型值）。
V
CE
= 0.5 V ，C
TR
= F （T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安，
V
F
= F （T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F （T
A
)
图2.电流传输比（典型值）。
V
CE
= 1.5 V ，C
TR
= F （T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0 MHz时，
C
CE
= F（V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F （T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F（我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F（V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间（典型值）。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安，
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F （r
L
)
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开关时间，典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安，
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路， SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路， SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
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