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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第107页 > SFH618-3
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR , 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率,在
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2, 63-125 %
- SFH618A -3, 100-200 %
- SFH618A -4, 160-320 %
- SFH618A - 5 , 250-500 %
- SFH628A -2, 63-200 %
- SFH628A -3, 100-320 %
- SFH628A - 4 , 160-500 %
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ,
V
CE
=1.5 V:
32 % (典型值120 % )
- SFH628A ,
V
CE
=1.5 V:
50 % (典型值160 % )
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏(透明离子
盾)
最终可堆叠, 0.100"器(2.54 mm )间距
高共模干扰抗扰性
(未连接底座)
美国保险商实验室文件# 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸(毫米)
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 ( 0.79 )典型值。
.050 ( 1.27 )典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 ( 7.62 )典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比,低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器,其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器,并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压( SFH618A ) ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流( SFH628A ) ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流(T
p
10微秒) ( SFH628A ) ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流(T
p
1.0毫秒) .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
发射极之间的隔离测试电压
检测器,是指气候DIN 40046 ,
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
7.0 mm
通关................................................. ..................................
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ,第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度(最多10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号: 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
75
120
200
300
100
160
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
125
200
320
500
200
320
500
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号: 83673
修订版17月-01
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2–243
图1.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 0.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安,
V
F
= F (T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F (T
A
)
图2.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 1.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
C
CE
= F(V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F(我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F(V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间(典型值)。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安,
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F (r
L
)
文档编号: 83673
修订版17月-01
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2–244
开关时间,典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路, SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路, SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
文档编号: 83673
修订版17月-01
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2–245
SFH618A -2X , SFH618A -3X , SFH618A -4X ,
SFH618-2 , SFH618-3 , SFH618-4
低输入电流
PHOTOTRANSISTOR
光耦合隔离器
认证
UL认证,文件号E91231
封装代码" EE "
“X”规格认证
VDE 0884中提供3引脚形式: -
- STD
- 摹形
- SMD批准CECC 00802
认证通过EN60950 : -
NEMKO - 证书号P01102465
2.54
7.0
6.0
1.2
5.08
4.08
1
2
尺寸(mm)
4
3
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
描述
该SFH618系列光耦合隔离器
由红外线发光二极管和NPN
硅光电晶体管,节省空间的双列直插式
塑料封装。
特点
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
低输入电流0.5毫安我
F
高电流传输比(在63-320 %
1mA时, 32 %以上的0.5毫安)
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
高BV
首席执行官
( 55V分)
所有电气参数100%测试
定制电可用的选项
应用
电脑终端机
工业系统控制器
测量仪器
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
0.5
3.35
OPTION SM
表面贴装
选项G
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦,克利夫兰, TS25 1YD
联系电话: ( 01429 ) 863609传真: ( 01429 ) 863581
6/8/08
DB92370
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
工作温度
-30 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
INPUTDIODE
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极电流
功耗
功耗
总功耗
(减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C)
50mA
6V
70mW
55V
6V
50mA
150mW
200mW
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
输入
正向电压(V
F
)
反向电流(I
R
)
产量
集电极 - 发射极击穿( BV
首席执行官
)
(注2 )
发射极 - 集电极击穿( BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流(I
首席执行官
)
电流传输比( CTR ) (注2 )
SFH618-2
SFH618-2
SFH618-3
SFH618-3
SFH618-4
SFH618-4
集电极 - 发射极SaturationVoltageV
CESAT
SFH618-2
SFH618-3
SFH618-4
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
输出上升时间, TR
输出下降时间, TF
注1
注2
5300
7500
5x10
10
4
3
18
18
55
6
200
最小典型最大单位测试条件
1.5
10
V
μA
V
V
nA
I
F
= 5毫安
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安
I
E
= 100μA
V
CE
= 10V
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.32毫安我
C
1毫安我
F
, 0.5毫安我
C
1毫安我
F
, 0.8毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V (注1 )
V
CE
= 2V ,我
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω
再加
63
32
100
50
160
80
125
200
320
%
%
%
%
%
%
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
RMS
V
PK
Ω
μS
μS
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
6/8/08
DB92370m-AAS/A4
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
( mW)的
集电极电流和低集电极 - 发射极
电压(归一SFH618-2 & SFH618-3 )
2.0
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
(MA )
1.6
I
F
= 1毫安
1.2
0.8
I
F
- 0.5毫安
0.4
0
100
50
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
60
相对电流传输比
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
50
正向电流I
F
(MA )
1.5
I
F
= 1毫安
V
CE
= 0.5V
40
30
20
10
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
电流传输比与正向电流
(归一SFH618-2 & SFH618-3 )
120
电流传输比CTR ( % )
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
F
= 1毫安
I
C
- 0.5毫安
100
80
60
40
20
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
正向电流I
F
(MA )
DB92370m-AAS/A4
V
CE
= 0.5V
T
A
= 25 °C
6/8/08
SFH618A/628A
PHOTOTRANSISTOR , 5.3千伏三重奏
低电流输入
光电耦合器
特点
非常高的点击率,在
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
- SFH618A -2, 63-125 %
- SFH618A -3, 100-200 %
- SFH618A -4, 160-320 %
- SFH618A - 5 , 250-500 %
- SFH628A -2, 63-200 %
- SFH628A -3, 100-320 %
- SFH628A - 4 , 160-500 %
特定网络主编最低点击率在
I
F
-0.5毫安
- SFH618A ,
V
CE
=1.5 V:
32 % (典型值120 % )
- SFH628A ,
V
CE
=1.5 V:
50 % (典型值160 % )
良好的CTR线性度取决于
正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压,
V
首席执行官
=55 V
隔离测试电压, 5300 V
RMS
低耦合电容
场效应稳定由三重奏(透明离子
盾)
最终可堆叠, 0.100"器(2.54 mm )间距
高共模干扰抗扰性
(未连接底座)
美国保险商实验室文件# 52744
V
VDE 0884可通过选项1
SMD选项 - 见SFH6186 / 6286数据表
D E
尺寸以英寸(毫米)
2
1
引脚1号
.255 (6.48)
.268 (6.81)
阳极
1
阴极
2
SFH628A
阳极/
阴极
1
SFH618A
4
集热器
3
辐射源
4
集热器
3
辐射源
3
4
阴极/
阳极
2
.179 (4.55)
.190 (4.83)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.031 ( 0.79 )典型值。
.050 ( 1.27 )典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.300 ( 7.62 )典型值。
10°
.020 (.508 )
.035 (.89)
.050 (1.27)
0.100 (2.54)
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.230 (5.84)
.250 (6.35)
.110 (2.79)
.130 (3.30)
应用
电信
工业控制
电池供电设备
网络连接CE的机器
描述
该SFH618A / 628A配备了高电流传输
比,低耦合电容和高隔离
电压。这些耦合器有一个砷化镓红外但排放
廷二极管发射器,其被光学耦合到sili-
精读平面光电晶体管检测器,并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的>8.0毫米爬电距离和间隙距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 950 ( DIN VDE 0805 )对加强绝缘起来
到400伏的工作电压
RMS
或DC 。
最大额定值
辐射源
反向电压( SFH618A ) ............................................. ................ 6.0 V
直流正向电流( SFH628A ) ............................................ ...... ± 50毫安
浪涌正向电流(T
p
10微秒) ( SFH628A ) ............................... ± 2.5 A
总功率耗散............................................... .................. 70毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................................. ..................... 55 V
发射极 - 集电极电压.............................................. ..................... 7.0 V
集电极电流................................................ ............................ 50毫安
集电极电流(T
p
1.0毫秒) .............................. ........百毫安
总功率耗散............................................... ................ 150毫瓦
发射极之间的隔离测试电压
检测器,是指气候DIN 40046 ,
第2部分11月74 ............................................ ......................... 5300 V
RMS
爬电距离................................................ ....................
7.0 mm
通关................................................. ..................................
7.0 mm
..................发射器和探测器之间的绝缘厚度
0.4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE0 303 ,第1部分........................................ .......... 175
绝缘电阻
V
IO
=500 V,
T
A
=25
°
C.................................................................
10
12
V
IO
=500 V,
T
A
=100
°
C...............................................................
10
11
存储温度范围-55 ............................................. +150
°
C
环境温度范围-55 ............................................. +100
°
C
结温................................................ ...................... 100
°
C
焊接温度(最多10秒。浸焊
距离飞机座位
1.5 mm) ..........................................260
°
C
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2–242
文档编号: 83673
修订版17月-01
特征
(
T
A
=25
°
C)
描述
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻
探测器
集电极 - 发射极漏电流
电容
热阻
集电极 - 发射极饱和电压
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-5
集电极 - 发射极饱和电压
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-4
耦合电容
耦合传输比
SFH618A-2
SFH618A-2
SFH618A-3
SFH618A-3
SFH618A-4
SFH618A-4
SFH618A-5
SFH618A-5
耦合传输比
SFH628A-2
SFH628A-2
SFH628A-3
SFH628A-3
SFH628A-4
SFH628A-4
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/I
F
I
C
/
I
F
I
C
/
I
F
C
C
I
C
/
I
F
V
CESAT
V
CESAT
63
32
100
50
160
80
250
125
63
32
100
50
160
80
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
75
120
200
300
100
160
250
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
125
200
320
500
200
320
500
%
%
%
%
%
%
pF
%
V
V
I
C
= 0.32毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 0.8毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
C
= 1.25毫安,
I
F
= -1.0毫安
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= 1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= 0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
F
= ±1.0毫安,
V
CE
=0.5 V
I
F
= ±0.5毫安,
V
CE
=1.5 V
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
10
7
500
200
nA
pF
K / W
V
CE
=10 V
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
SFH618A
SFH618A
SFH628A
V
F
I
R
C
0
R
thJA
1.1
.01
25
45
1070
1.5
10
V
A
pF
K / W
I
F
-5.0毫安
V
R
=6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
文档编号: 83673
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2–243
图1.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 0.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图4.二极管的正向电压
I
F
= 1.0毫安,
V
F
= F (T
A
)
图7.容许正向电流
二极管
I
F
= F (T
A
)
图2.电流传输比(典型值)。
V
CE
= 1.5 V ,C
TR
= F (T
A
)
图5.晶体管电容
T
A
= 25 ° C,F = 1.0 MHz时,
C
CE
= F(V
CE
)
图8.允许功率
耗散
P
合计
= F (T
A
)
图3.二极管的正向电压
T
A
=25°C,
V
F
= F(我
F
)
图6.输出特性
T
A
=25°C, C
E
= F(V
CE
,
I
F
)
图9.开关时间(典型值)。
T
A
=25°C,
I
F
= 1.0毫安,
V
CC
=5.0 V
t
on
,
t
r,
t
关闭
,
t
f
= F (r
L
)
文档编号: 83673
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2–244
开关时间,典型的
V
CC
=5.0 V,
I
C
= 2.0毫安,
R
L
=100
,
T
A
=25°C
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
图11.测试电路, SFH628A
±I
F
R
L
V
CC
I
C
47
图10.测试电路, SFH618A
图12.测试电路和波形
V
CC
= 5 V
输入
R
L
V
OUT
输入脉冲
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
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SFH618-2X , SFH618-3X , SFH618-4X ,
SFH618-2 , SFH618-3 , SFH618-4
低输入电流
PHOTOTRANSISTOR
光耦合隔离器
认证
l
UL认证,文件号E91231
“X”规格认证
l
通过以下认证, EN60950
检验机构: -
NEMKO - 证书号P96102022
FIMKO - 注册号192313-01..25
SEMKO - 参考号9639052 01
DEMKO - 参考编号305969
VDE 0884认证申请中
描述
该SFH618系列光耦合
隔离器包括红外发光二极管
和NPN在太空中硅光电晶体管
高效的双列直插式塑料封装。
特点
l
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
低输入电流0.5毫安我
F
l
高电流传输比
(在1mA时63-320 % , 32 %以上的0.5毫安)
l
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高BV
首席执行官
( 55V分)
l
所有电气参数100%测试
l
定制电可用的选项
l
2.54
7.0
6.0
1.2
5.08
4.08
1
2
尺寸(mm)
4
3
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
总功耗
200mW
55V
6V
150mW
50mA
6V
70mW
应用
l
电脑终端机
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
(减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C)
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦,克利夫兰, TS25 1YD
联系电话: ( 01429 ) 863609传真: ( 01429 ) 863581
7/12/00
DB92370m-AAS/A1
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
输入
正向电压(V
F
)
反向电压(V
R
)
反向电流(I
R
)
典型值最大值单位
1.5
6
10
V
V
A
V
V
nA
测试条件
I
F
= 5毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 10V
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.5V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.5V V
CE
1毫安我
F
, 0.32毫安我
C
1毫安我
F
, 0.5毫安我
C
1毫安我
F
, 0.8毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V (注1 )
产量
集电极 - 发射极击穿( BV
首席执行官
)
55
(注2 )
发射极 - 集电极击穿( BV
ECO
)
6
集电极 - 发射极暗电流(I
首席执行官
)
电流传输比( CTR ) (注2 )
SFH618-2
SFH618-2
SFH618-3
SFH618-3
SFH618-4
SFH618-4
集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
SFH618-2
SFH618-3
SFH618-4
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
5300
7500
5x10
10
63
32
100
50
160
80
200
再加
125
200
320
%
%
%
%
%
%
0.4
0.4
0.4
V
V
V
V
RMS
V
PK
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
开关特性
I
C
= 2毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 100
,
T
A
= 25°C
(
无花果
1)
单位
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
on
t
r
t
关闭
t
f
6.0
3.5
5.5
5.0
s
s
s
s
V
CC
输入
R
L
= 100
产量
产量
10%
t
r
t
f
t
on
t
关闭
10%
90%
90%
图1
DB92370m-AAS/A1
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
( mW)的
集电极电流和低集电极 - 发射极
电压(归一SFH618-2 & SFH618-3 )
2.0
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
(MA )
1.6
I
F
= 1毫安
1.2
0.8
I
F
- 0.5毫安
0.4
0
100
50
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
60
相对电流传输比
50
正向电流I
F
(MA )
40
30
20
10
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
I
F
= 1毫安
I
C
- 0.5毫安
电流传输比CTR ( % )
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
7/12/00
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
1.5
I
F
= 1毫安
V
CE
= 0.5V
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
电流传输比与正向电流
(归一SFH618-2 & SFH618-3 )
120
100
80
60
40
20
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
正向电流I
F
(MA )
DB92370m-AAS/A1
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
= 0.5V
T
A
= 25 °C
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