SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
低CTR退化
良好的CTR线性度取决于前锋
当前
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A
C
i179060
1
2
4
3
C
E
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
可堆叠终端， 0.100"器（2.54 mm ）的间距
高共模干扰的抗扰度（未连接
基地）
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH615XXX特点电流的大品种
转印率，低耦合电容和高隔离
电压。这些成色剂有在一个GaAs红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个塑料并入
DIP -4封装。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米引线间距。
的> 8毫米爬电距离和电气间隙得以实现
与选项6.本版本符合60950 （ DIN VDE
0805 ），对加强绝缘高达400工作电压
V
RMS
或DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH615AA
SFH615AB
SFH615ABL
SFH615ABM
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615AY
SFH615AA-X006
SFH615AA-X007
SFH615ABM-X006
SFH615ABM-X007
SFH615AGB-X006
SFH615AGB-X009
SFH615AGR-X006
SFH615AGR-X007
SFH615AY-X006
SFH615AY-X008
SFH615AY-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率80 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 600 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
CTR 100 600 ％ ， DIP- 4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
点击率50 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率50 600 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 200 400 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 300 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
点击率50150 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率50150 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
点击率50150 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
文档编号： 83672
修订版1.6 10 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
可靠性高， 5300 V
RMS
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
总功耗
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和检测器，参考气候
DIN 40046第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
发射极之间的隔离厚度
和探测器相比漏电起痕
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分指数
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
t
P
≤
10毫秒
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
t
P
≤
10毫秒
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
热阻
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
R
thJA
5.2
500
pF
K / W
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
O
R
thJA
1.25
0.01
13
750
1.65
10
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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修订版1.6 10 -JAN- 08
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
可靠性高， 5300 V
RMS
电气特性
参数
耦合器
集电极发射极饱和
电压
耦合电容
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
集电极 - 发射极漏
当前
V
首席执行官
= 10 V
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.4
10
10
10
10
10
10
10
100
100
100
100
100
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
I
C
/I
F
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
100
100
200
200
50
80
典型值。
马克斯。
600
600
300
400
600
150
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
2.0
25
马克斯。
单位
s
s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
%
10
3
I
F
1 kΩ
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
IF = 10 mA时， VCC = 5.0 V
4
3
10
2
2
1
47
Ω
isfh615aa_01
5
10
1
- 25
isfh615aa_02
0
25
TA
50
°C 75
图。 1 - 开关运行（饱和度）
文档编号： 83672
修订版1.6 10 -JAN- 08
图。 2 - 电流传输比（典型值）与温度的关系
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
可靠性高， 5300 V
RMS
20
pF
C
15
F = 1.0 MHz的
10
4
mA
I
F
5
10
3
10
5
D
=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
t
p
D
=
T
tp
T
脉冲周期
D =参数
I
F
5
C
CE
0
10
-2
isfh615aa_03
10
2
5
0.5
DC
10
-1
10
0
V
e
10
1
V
10
2
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
isfh615aa_06
10
0
s 10
1
t
p
图。 3 - 晶体管电容（典型值）与集电极发射极电压
图。 6 - 允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
120
I
F
mA
90
1.2
V
F
V
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
60
1.0
30
0
0
isfh615aa_04
25
50
75
T
A
°C 100
0.9
10
-1
5
10
0
5
10
1
5毫安
I
F
10
2
isfh615aa_07
图。 4 - 允许的二极管正向电流与
环境温度
图。 7 - 二极管正向电压（典型值）与正向电流
I
c
30
mA
200
P
合计
mW
I
F
= 14毫安
I
F
= 12毫安
150
晶体管
20
I
F
= 10毫安
I
F
= 8毫安
100
二极管
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 4毫安
I
F
= 2毫安
50
0
0
25
50
75
15
isfh615aa_08
0
0
5
10
V
V
CE
T
A
°C 100
isfh615aa_05
图。 5 - 输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
图。 8 - 允许功耗与温度的关系
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修订版1.6 10 -JAN- 08
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
可靠性高， 5300 V
RMS
包装尺寸
以英寸（毫米）
2
1
引脚1号
0.255 (6.48)
0.268 (6.81)
ISO方法A
3
4
0.179 (4.55)
0.190 (4.83)
0.300 （ 7.62 ） （典型值） 。
0.030 (0.76)
0.045 (1.14)
0.031 （ 0.79 ） （典型值） 。
0.050 （ 1.27 ）典型值。
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.018 (0.46)
i178027
0.230 (5.84)
0.250 (6.35)
10°
0.110 (2.79)
0.130 (3.30)
3 ° 9 °
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.020 (0.508)
0.035 (0.89)
0.050 (1.27)
0.100 (2.54)
0.022 (0.56)
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 （ 7.62 ）参考。
0.040 (0.102)
0.098 (0.249)
0.012 （ 0.30 ）典型值。
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
18486
0.315 (8.00)
分钟。
15最大。
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日前，Vishay
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
低CTR退化
良好的CTR线性度取决于正向电流
租金
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
（未连接底座）
A
1
C
i179060
4
3
C
E
2
订购信息
部分
SFH615AA
SFH615AB
SFH615ABL
SFH615ABM
SFH615AGB
SFH615AGR
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 80 - 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 200 - 400 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 300 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 150 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 50 - 600 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 200 - 400 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 200 - 400 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 300 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 300 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 50 - 150 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 50 - 150 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 50 - 150 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
描述
该SFH615XXX特点电流的大品种
租金传输率，低耦合电容和高
隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓基础设施
红色发光二极管发射器，其被光学耦合
到一个硅平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘最多
400 V的工作电压
RMS
或DC 。
SFH615AY
SFH615AA-X006
SFH615AA-X007
SFH615ABM-X006
SFH615ABM-X007
SFH615AGB-X006
SFH615AGB-X009
SFH615AGR-X006
SFH615AGR-X007
SFH615AY-X006
SFH615AY-X008
SFH615AY-X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83672
修订版1.4 ， 19 -APR- 04
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SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
1.0毫秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
V
EC
V
CE
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
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文档编号83672
修订版1.4 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
5.2
500
最大
单位
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
首席执行官
= 10 V
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.4
10
10
10
10
10
10
10
100
100
100
100
100
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
100
100
200
200
50
80
典型值。
最大
600
600
300
400
600
150
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83672
修订版1.4 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
符号
t
on
t
关闭
民
典型值。
2.0
25
最大
日前，Vishay
单位
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
F = 1.0 MHz的
I
F
1
V
CC
= 5 V
47
isfh615aa_01
isfh615aa_03
图。 1开关操作（与饱和度）
图。 3三极管电容（典型值）与集电极 - 发射极电压
IF = 10 mA时， VCC = 5.0 V
isfh615aa_02
isfh615aa_04
图。 2电流传输比（典型值）与温度的关系
图。 4允许的二极管正向电流与环境
温度
www.vishay.com
4
文档编号83672
修订版1.4 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
isfh615aa_05
isfh615aa_08
图。 5输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
图。 8允许的功耗与温度的关系
脉冲周期
D =参数，
isfh615aa_06
图。 6允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
isfh615aa_07
图。 7二极管的正向电压（典型值）与正向电流
文档编号83672
修订版1.4 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
5
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
低CTR退化
良好的CTR线性度取决于前锋
当前
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A
C
i179060
1
2
4
3
C
E
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
可堆叠终端， 0.100"器（2.54 mm ）的间距
高共模干扰的抗扰度（未连接
基地）
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH615XXX特点电流的大品种
转印率，低耦合电容和高隔离
电压。这些成色剂有在一个GaAs红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个塑料并入
DIP -4封装。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米引线间距。
的> 8毫米爬电距离和电气间隙得以实现
与选项6.本版本符合60950 （ DIN VDE
0805 ），对加强绝缘高达400工作电压
V
RMS
或DC 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH615AA
SFH615AB
SFH615ABL
SFH615ABM
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615AY
SFH615AA-X006
SFH615AA-X007
SFH615ABM-X006
SFH615ABM-X007
SFH615AGB-X006
SFH615AGB-X009
SFH615AGR-X006
SFH615AGR-X007
SFH615AY-X006
SFH615AY-X008
SFH615AY-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率80 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 600 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
CTR 100 600 ％ ， DIP- 4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
点击率50 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率50 600 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 200 400 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 300 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
点击率50150 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率50150 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
点击率50150 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
文档编号： 83672
修订版1.6 10 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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1
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
可靠性高， 5300 V
RMS
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
总功耗
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和检测器，参考气候
DIN 40046第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
发射极之间的隔离厚度
和探测器相比漏电起痕
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分指数
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
t
P
≤
10毫秒
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
V
V
mA
mA
mW
t
P
≤
10毫秒
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
热阻
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
R
thJA
5.2
500
pF
K / W
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
O
R
thJA
1.25
0.01
13
750
1.65
10
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
可靠性高， 5300 V
RMS
电气特性
参数
耦合器
集电极发射极饱和
电压
耦合电容
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
集电极 - 发射极漏
当前
V
首席执行官
= 10 V
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.4
10
10
10
10
10
10
10
100
100
100
100
100
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
I
C
/I
F
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
100
100
200
200
50
80
典型值。
马克斯。
600
600
300
400
600
150
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
2.0
25
马克斯。
单位
s
s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
%
10
3
I
F
1 kΩ
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
IF = 10 mA时， VCC = 5.0 V
4
3
10
2
2
1
47
Ω
isfh615aa_01
5
10
1
- 25
isfh615aa_02
0
25
TA
50
°C 75
图。 1 - 开关运行（饱和度）
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图。 2 - 电流传输比（典型值）与温度的关系
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
可靠性高， 5300 V
RMS
20
pF
C
15
F = 1.0 MHz的
10
4
mA
I
F
5
10
3
10
5
D
=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
t
p
D
=
T
tp
T
脉冲周期
D =参数
I
F
5
C
CE
0
10
-2
isfh615aa_03
10
2
5
0.5
DC
10
-1
10
0
V
e
10
1
V
10
2
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
isfh615aa_06
10
0
s 10
1
t
p
图。 3 - 晶体管电容（典型值）与集电极发射极电压
图。 6 - 允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
120
I
F
mA
90
1.2
V
F
V
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
60
1.0
30
0
0
isfh615aa_04
25
50
75
T
A
°C 100
0.9
10
-1
5
10
0
5
10
1
5毫安
I
F
10
2
isfh615aa_07
图。 4 - 允许的二极管正向电流与
环境温度
图。 7 - 二极管正向电压（典型值）与正向电流
I
c
30
mA
200
P
合计
mW
I
F
= 14毫安
I
F
= 12毫安
150
晶体管
20
I
F
= 10毫安
I
F
= 8毫安
100
二极管
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 6毫安
I
F
= 4毫安
I
F
= 2毫安
50
0
0
25
50
75
15
isfh615aa_08
0
0
5
10
V
V
CE
T
A
°C 100
isfh615aa_05
图。 5 - 输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
图。 8 - 允许功耗与温度的关系
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SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
可靠性高， 5300 V
RMS
包装尺寸
以英寸（毫米）
2
1
引脚1号
0.255 (6.48)
0.268 (6.81)
ISO方法A
3
4
0.179 (4.55)
0.190 (4.83)
0.300 （ 7.62 ） （典型值） 。
0.030 (0.76)
0.045 (1.14)
0.031 （ 0.79 ） （典型值） 。
0.050 （ 1.27 ）典型值。
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.018 (0.46)
i178027
0.230 (5.84)
0.250 (6.35)
10°
0.110 (2.79)
0.130 (3.30)
3 ° 9 °
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.020 (0.508)
0.035 (0.89)
0.050 (1.27)
0.100 (2.54)
0.022 (0.56)
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 （ 7.62 ）参考。
0.040 (0.102)
0.098 (0.249)
0.012 （ 0.30 ）典型值。
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
18486
0.315 (8.00)
分钟。
15最大。
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日前，Vishay
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
光电耦合器，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
低CTR退化
良好的CTR线性度取决于正向电流
租金
隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 70 V
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
高共模干扰抗扰性
（未连接底座）
A
1
C
i179060
4
3
C
E
2
订购信息
部分
SFH615AA
SFH615AB
SFH615ABL
SFH615ABM
SFH615AGB
SFH615AGR
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 80 - 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 200 - 400 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 600 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 300 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 150 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 50 - 600 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 200 - 400 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 200 - 400 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 600 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 600 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 300 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 300 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 50 - 150 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 50 - 150 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 50 - 150 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
描述
该SFH615XXX特点电流的大品种
租金传输率，低耦合电容和高
隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓基础设施
红色发光二极管发射器，其被光学耦合
到一个硅平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘最多
400 V的工作电压
RMS
或DC 。
SFH615AY
SFH615AA-X006
SFH615AA-X007
SFH615ABM-X006
SFH615ABM-X007
SFH615AGB-X006
SFH615AGB-X009
SFH615AGR-X006
SFH615AGR-X007
SFH615AY-X006
SFH615AY-X008
SFH615AY-X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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修订版1.4 ， 19 -APR- 04
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SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
1.0毫秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
V
EC
V
CE
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分，
Nov.74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
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SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
R
thJA
民
典型值。
5.2
500
最大
单位
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
首席执行官
= 10 V
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.4
10
10
10
10
10
10
10
100
100
100
100
100
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
SFH615AA
SFH615AGB
SFH615AGR
SFH615ABM
SFH615ABL
SFH615AY
SFH615AB
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
100
100
200
200
50
80
典型值。
最大
600
600
300
400
600
150
260
单位
%
%
%
%
%
%
%
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3
SFH615AA/AGB/AGR/ABM/ABL/AY/AB
威世半导体
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
符号
t
on
t
关闭
民
典型值。
2.0
25
最大
日前，Vishay
单位
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
F = 1.0 MHz的
I
F
1
V
CC
= 5 V
47
isfh615aa_01
isfh615aa_03
图。 1开关操作（与饱和度）
图。 3三极管电容（典型值）与集电极 - 发射极电压
IF = 10 mA时， VCC = 5.0 V
isfh615aa_02
isfh615aa_04
图。 2电流传输比（典型值）与温度的关系
图。 4允许的二极管正向电流与环境
温度
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日前，Vishay
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威世半导体
isfh615aa_05
isfh615aa_08
图。 5输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
图。 8允许的功耗与温度的关系
脉冲周期
D =参数，
isfh615aa_06
图。 6允许脉冲处理能力正向电流与
脉冲宽度
isfh615aa_07
图。 7二极管的正向电压（典型值）与正向电流
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