日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
光电耦合器，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
卓越的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
快速开关时间
低CTR退化
低耦合电容
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
17448
4
3
C
E
1
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH615A-1X006
SFH615A-1X007
SFH615A-2X006
SFH615A-2X007
SFH615A-2X009
SFH615A-3X006
SFH615A-3X007
SFH615A-3X008
SFH615A-3X009
SFH615A-4X006
SFH615A-4X007
SFH615A-4X008
SFH615A-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， SMD- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
应用
开关模式电源
电信
电池供电设备
描述
该SFH615A （ DIP ）和SFH6156 （ SMD ）设有
各种传输比率，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。
规格如有变更。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
请参阅磁带和卷轴部4针光电耦合器T0 90 °
旋转。
文档编号83671
修订版1.6 ， 20月， 04
www.vishay.com
1
SFH615A / SFH6156
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器， refered到
气候DIN 40046第2部分，
十一月74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83671
修订版1.6 ， 20月， 04
日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
图1.允许功耗与环境温度
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18483
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
5.2
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.4
最大
0.4
单位
V
pF
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3
日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
光电耦合器，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
卓越的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
快速开关时间
低CTR退化
低耦合电容
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
17448
4
3
C
E
1
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH615A-1X006
SFH615A-1X007
SFH615A-2X006
SFH615A-2X007
SFH615A-2X009
SFH615A-3X006
SFH615A-3X007
SFH615A-3X008
SFH615A-3X009
SFH615A-4X006
SFH615A-4X007
SFH615A-4X008
SFH615A-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， SMD- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
应用
开关模式电源
电信
电池供电设备
描述
该SFH615A （ DIP ）和SFH6156 （ SMD ）设有
各种传输比率，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。
规格如有变更。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
请参阅磁带和卷轴部4针光电耦合器T0 90 °
旋转。
文档编号83671
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SFH615A / SFH6156
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器， refered到
气候DIN 40046第2部分，
十一月74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
图1.允许功耗与环境温度
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18483
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
5.2
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.4
最大
0.4
单位
V
pF
文档编号83671
修订版1.6 ， 20月， 04
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3
SFH615A/SFH6156
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，
5300 V
RMS
特点
卓越的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
e3
快速开关时间
低CTR退化
低耦合电容
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
17448
4
3
C
E
1
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH615A-1X006
SFH615A-1X007
SFH615A-2X006
SFH615A-2X007
SFH615A-2X009
SFH615A-3X006
SFH615A-3X007
SFH615A-3X008
SFH615A-3X009
SFH615A-4X006
SFH615A-4X007
SFH615A-4X008
SFH615A-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， SMD- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
应用
开关模式电源
电信
电池供电设备
描述
该SFH615A （ DIP ）和SFH6156 （ SMD ）设有
各种传输比率，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。
规格如有变更。
有关可用选项的更多信息，请参阅选项
信息。
请参阅磁带和卷轴部4针光电耦合器T0 90 °
旋转。
文档编号83671
2.0版本， 06月， 06
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1
SFH615A/SFH6156
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
t
p
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
单位
V
mA
A
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
首席执行官
I
C
I
C
价值
70
7.0
50
100
单位
V
V
mA
mA
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器， refered到
气候DIN 40046第2部分，
十一月74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18483
25
50
75
100 125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
150
图1.允许功耗与环境温度
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2
文档编号83671
2.0版本， 06月， 06
SFH615A/SFH6156
威世半导体
热特性
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算温
peratures在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，电路板到环境*
热电阻，外壳到环境*
*对于2层FR4电路板（ 4" X 3" X 0.062 ）
T
A
测试条件
在25℃下
在25℃下
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX
T
JMAX
价值
100
150
125
125
173
149
111
127
95
195
3573
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
θ
EB
θ
EC
θ
DB
θ
DC
θ
ED
θ
BA
θ
CA
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
文档编号83671
2.0版本， 06月， 06
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3
SFH615A/SFH6156
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.01
13
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
部分
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
5.2
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.4
最大
0.4
单位
V
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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文档编号83671
2.0版本， 06月， 06
日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
光电耦合器，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
卓越的CTR线性度取决于
正向电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
快速开关时间
低CTR退化
低耦合电容
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
A
1
C
2
17448
4
3
C
E
1
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
SFH615A-1
SFH615A-2
SFH615A-3
SFH615A-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH615A-1X006
SFH615A-1X007
SFH615A-2X006
SFH615A-2X007
SFH615A-2X009
SFH615A-3X006
SFH615A-3X007
SFH615A-3X008
SFH615A-3X009
SFH615A-4X006
SFH615A-4X007
SFH615A-4X008
SFH615A-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， SMD- 4
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 4
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 4
CTR 160 - 320 ％ ， SMD- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件8 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
应用
开关模式电源
电信
电池供电设备
描述
该SFH615A （ DIP ）和SFH6156 （ SMD ）设有
各种传输比率，低耦合电容
和高隔离电压。这些耦合器有
砷化镓红外二极管发射器，这是光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器，并
在一个塑料DIP -4或SMD封装并入。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
该耦合器是最终堆叠与2.54毫米铅
间距。
的> 8.0毫米间隙和爬电距离
实现了与选项6.这个版本符合
IEC 60950 （ DIN VDE 0805 ）对加强绝缘
可高达400V的工作电压
RMS
或DC 。
规格如有变更。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
请参阅磁带和卷轴部4针光电耦合器T0 90 °
旋转。
文档编号83671
修订版1.6 ， 20月， 04
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SFH615A / SFH6156
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器， refered到
气候DIN 40046第2部分，
十一月74
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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修订版1.6 ， 20月， 04
日前，Vishay
SFH615A / SFH6156
威世半导体
图1.允许功耗与环境温度
200
P - 功率耗散（ mW）的
合计
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18483
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
13
750
最大
1.65
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH615A-1
SFH6156-1
SFH615A-2
SFH6156-2
SFH615A-3
SFH6156-3
SFH615A-4
SFH6156-4
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
5.2
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.25
0.4
最大
0.4
单位
V
pF
文档编号83671
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