不建议用于新设计
SFH6156
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性， 5300 V
RMS
特点
A
1
C
2
4
3
C
E
卓越的CTR线性度取决于前锋
当前
隔离测试电压， 5300 V
RMS
快速开关时间
低CTR退化
17448-5
1
低耦合电容
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
描述
该SFH6156提供各种传输比率，低
耦合电容和高隔离电压。这
耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，其在光学上是
耦合到一个硅平面光电晶体管检测器，并且是
在一个塑料SMD封装中。
联接装置被设计用于信号传输
在两个电分离电路。
应用
开关模式电源
电信
电池供电设备
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ）可用的选项1
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
BSI IEC 60950 ， IEC 60065
FIMKO EN6005 ， EN60950-1
订购信息
S
F
H
6
1
5
6
-
#
CTR
箱子
X
0
0
1
T
TAPE
和
REEL
SMD-4
产品型号
封装选项
> 8毫米
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO
SMD- 4，100密耳，针距
VDE ， UL ， CUL， BSI ， FIMKO
SMD- 4，100密耳，针距
40至80
SFH6156-1
SFH6156-1T
40至80
SFH6156-1X001
SFH6156-1X001T
63至125
SFH6156-2
SFH6156-2T
63至125
SFH6156-2X001
CTR （ ％ ）
10毫安
100至200
SFH6156-3
SFH6156-3T
100至200
-
-
160到320
SFH6156-4
SFH6156-4T
160到320
SFH6156-4X001
SFH6156-4X001T
SFH6156-2X001T
修订版2.4 14 -JAN- 13
文档编号： 83671
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
10 μs
I
FSM
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
1毫秒
I
C
价值
6
60
2.5
70
7
50
100
单位
V
mA
A
V
V
mA
mA
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
耦合器
绝缘测试voltage
发射器和检测器之间
爬电距离
间隙距离
发射器和探测器之间的绝缘厚度
每漏电起痕指数
DIN IEC112 / VDE0303第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(1)
t=1s
V
ISO
5300
7
7
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55 + 100
260
V
RMS
mm
mm
mm
CTI
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
最大。 10秒
T
SLD
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。
200
P
合计
- 功耗（MW ）
150
PHOTOTRANSISTOR
100
50
二极管
0
0
18483
25
50
75
100
125
150
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 允许耗散功率与环境温度
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威世半导体
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX 。
T
JMAX 。
EB
EC
DB
DC
ED
BA
CA
价值
100
150
125
125
173
149
111
127
95
195
3573
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
θ
BA
T
JD
θ
DC
θ
DE
T
C
θ
CA
包
θ
EC
T
JE
T
A
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热敏电阻，结发射极
结点探测器
热电阻，电路板到环境
(1)
热电阻，外壳到环境
(1)
θ
DB
T
B
θ
EB
° C / W
19996
° C / W
T
A
笔记
热模型表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板到环境的热阻将取决于类型
PCB，布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热
光电耦合器应用笔记的特性。
(1)
对于2层FR4电路板（ 4" X 3" X 0.062" ）
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
SFH6156-1
V
CE
= 10 V
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
0.25
0.4
0.4
V
pF
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
5.2
2
2
5
5
50
50
100
100
pF
nA
nA
nA
nA
I
F
= 60毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
O
1.25
0.01
13
1.65
10
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH6156-1
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
I
C
/I
F
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-4
SFH6156-1
SFH6156-2
SFH6156-3
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符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
30
45
70
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
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威世半导体
部分
符号
t
r
t
f
t
on
t
关闭
f
CTR
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
分钟。
典型值。
2
2
3
2.3
250
2
3
3
11
14
14
3
4.2
4.2
18
23
23
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
开关特性
参数
非饱和
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
饱和的
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 20毫安SFH6156-1
上升时间
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 10毫安
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-2
SFH6156-3
SFH6156-2
SFH6156-3
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 75
测试条件
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 20毫安SFH6156-1
下降时间
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 10毫安
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 20毫安SFH6156-1
开启时间
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 10毫安
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 20毫安SFH6156-1
打开-O FF时间
V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 ° C，R
L
= 1 kΩ的，我
F
= 10毫安
安全性和绝缘等级
参数
气候分类（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
保温层厚度，钢筋额定
符合IEC 60950 2.10.5.1
CTI
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
7
7
0.4
175
10 000
890
400
275
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
PEAK
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-5 ， § 7.4.3.8.2 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
30
I
F
R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5 V
I
C
（MA ）
I
C
20
I
F
-14毫安
12毫安
10毫安
8毫安
10
6毫安
4毫安
1毫安
2毫安
15
47
Ω
isfh615a_01
0
0
5
10
isfh615a_04
V
CE
(V)
图。 2 - 线性操作（不饱和）
图。 5 - 输出特性（典型值）集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
1.2
25°
50°
75°
1.1
I
F
1
Ω
V
F
(V)
V
CC
= 5 V
1.0
47
Ω
0.9
isfh615a_02
10
- 1
10
0
10
1
10
2
isfh615a_05
I
F
（MA ）
图。 3 - 开关操作（与饱和度）
图。 6 - 二极管正向电压（典型值）与正向电流
10
3
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
5
20
F = 1 MHz的
4
15
3
2
I
C
(%)
I
C（ pF）的
10
2
5
10
1
C
CE
5
10
1
- 25
isfh615a_03
0
0
25
50
75
10
-2
isfh615a_06
10
-1
10
0
10
1
10
2
T
A
(°C)
V
e
(V)
图。 4 - 电流传输比与温度的关系（典型值）。
图。 7 - 晶体管电容（典型值）与集电极发射极电压
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