SFH6138 / SFH6139
威世半导体
高速光耦， 100 kBd的，低输入电流，高增益
特点
高电流传输比， 800 ％
低输入电流要求， 0.5毫安
高输出电流， 60毫安
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
TTL兼容输出， 0.1 V V
OL
高共模抑制， 500 V / μs的
DC到0.1兆位/秒。手术
可调带宽，访问基地
标准铸就浸塑料包装
无铅组件
NC 1
A
C
2
3
8
VCC
7
VB
6
V0
5
GND
NC
4
i179082
e3
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
逻辑接地隔离- TTL / TTL ， TTL / CMOS ， CMOS /
CMOS ， CMOS / TTL
EIA RS 232C线路接收器
低输入电流线路接收器，线路长，党
线
电话铃声探测器
117 VAC线电压状态指示，低输入
功耗
低功耗系统，接地隔离
增益光子检测器在一个八脚双列直插式封装
年龄。独立的引脚为光电二极管和输出
舞台启用TTL兼容饱和电压与
高速操作。
PHOTODARLINGTON操作是通过搭售的实现
V
CC
和V
O
终端一起。访问基
终端可以调整到增益带宽。
该SFH6138是理想的，因为TTL应用
带有LED的300％最小电流传输比
1.6 mA电流使操作一个单元
加载中，一个单位负载出了2.2 kΩ上拉
电阻器。
该SFH6139是最适合于低功率逻辑应用程序
阳离子包括CMOS ，低功耗TTL 。 A 400 ％
只有0.5毫安LED电流的电流传输比
从0 ℃下保至70℃ 。
订购信息
部分
SFH6138
SFH6139
备注
CTR
≥
300 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
400 ％ ， DIP- 8
描述
高共模瞬变抗扰度和非常高
流动比率与5300 V
RMS
保温是
通过耦合的LED与集成来实现高
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83669
修订版1.5 ， 10月26日04
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SFH6138 / SFH6139
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向输入电压
平均输入电流
输入电流峰值
峰值瞬态输入电流
占空比为50％ - 1.0毫秒脉冲
宽度
≤
1.0
s,
300 PPS
I
F（ AVG）
测试条件
符号
价值
5.0
20
40
1.0
单位
V
mA
mA
A
产量
参数
电源和输出电压
发射极 - 基反向电压
（引脚5-7 ）
输出电流IO （引脚6 ）
线性降额25°C以上，
自由的空气温度
输入功率耗散
线性降额
输出功率耗散
线性降额
高于25 ℃，自由的空气
温度为0.2毫安/ ℃，
高于50 ℃，自由的空气
温度为0.7毫瓦/°C的
P
迪斯OUT
100
mW
P
在迪斯
测试条件
V
CC
（引脚8-5 ） ，V
O
（引脚6-5 ）
部分
SFH6138
SFH6139
符号
V
S
, V
O
V
S
, V
O
V
EBO
I
O
价值
- 0.5 7.0
- 0.5-18
0.5
60
0.7
35
单位
V
V
V
mA
毫安/°C的
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
引线焊接温度
储存温度
吨≤ 10秒
测试条件
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
T
SLD
T
英镑
价值
5300
≥
10
11
≥
10
12
260
- 55至+ 125
单位
V
RMS
°C
°C
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
输入反向击穿
电压
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 1.6毫安
符号
V
F
BV
R
5.0
- 1.8
民
典型值。
1.4
最大
1.7
单位
V
V
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低输出电压
2)
测试条件
I
F
= 1.6毫安，我
O
= 4.8毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 1.6毫安，我
O
= 8.0毫安，
V
CC
= 4.5 V
逻辑低输出电压
I
F
= 5.0毫安，我
O
= 15毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 12 mA时，我
O
= 24毫安，
V
CC
= 4.5 V
逻辑高输出电流
2)
逻辑低电源电流
2)
逻辑高电平电源电流
2)
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
SFH6139
SFH6138
SFH6139
符号
V
OL
V
OL
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
CCL
I
CCH
民
典型值。
0.1
0.1
0.15
0.25
0.1
0.05
0.2
0.001
最大
0.4
0.4
0.4
0.4
250
100
1.5
10
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 7.0 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 18 V
I
F
= 1.6毫安， V
O
=开，
V
CC
= 18 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 18 V
引脚7打开。
耦合器
参数
输入电容
电容（输入输出）
3)
3)
测试条件
F = 1.0兆赫，V
F
= 0
F = 1.0 MHz的
符号
C
IN
C
O
民
典型值。
25
0.6
最大
单位
pF
pF
设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并且销5 ， 6 ，7和8短接在一起。
电流传输比
参数
电流传输比
1,2)
测试条件
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
符号
CTR
CTR
CTR
民
300
400
500
典型值。
1600
1600
2000
最大
单位
%
%
%
电流传输比
1)
2)
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
次100 ％
引脚7打开。
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SFH6138 / SFH6139
威世半导体
开关特性
延迟时间
参数
传播延迟时间的逻辑
在低输出
测试条件
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 k
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 k
I
F
= 12毫安，R
L
= 270 k
传播延迟时间的逻辑
在高输出
2.4)
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
SFH6138
SFH6139
SFH6139
符号
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
2.0
6.0
0.6
4.0
5.0
1.0
最大
10
25
1.0
35
60
7.0
单位
s
s
s
s
s
s
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 k
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 k
I
F
= 12毫安，R
L
= 270 k
2)
4)
引脚7打开。
使用引脚5到7之间的电阻会降低增益和延迟时间。
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬变
免疫力在逻辑高电平
产量
5,6)
共模瞬变
免疫力在逻辑低电平
产量
5,6)
5)
测试条件
I
F
= 0 mA时，R
L
= 2.2 k,
R
CC
= 0/V
CM
= 10 V
P-P
I
F
= 16毫安，R
L
= 2.2 k,
R
CC
= 0/V
CM
= 10 V
P-P
符号
CM
H
民
典型值。
500
最大
单位
V / μs的
CM
L
- 500
V / μs的
在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ dt的上的共同的前缘
脉冲模式下，V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（IEV
O
> 2.0 V）在逻辑低共模瞬态抗扰度
电平是最大容许（负）的dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证输出
将保持在逻辑低状态（即V
O
< 0.8V） 。
6)
在应用中的dv / dt可能超过50000 V / μs的（如国家排放串联电阻，R
CC
应列入保护我
C
从破坏性的高浪涌电流。建议值为为R
CC
[IV / 0.15我
F
（毫安） KΩ
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威世半导体
高速光耦， 100 kBd的，低输入电流，高增益
特点
高电流传输比， 800 ％
低输入电流要求， 0.5毫安
高输出电流， 60毫安
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
TTL兼容输出， 0.1 V V
OL
高共模抑制， 500 V / μs的
DC到0.1兆位/秒。手术
可调带宽，访问基地
标准铸就浸塑料包装
无铅组件
NC 1
A
C
2
3
8
VCC
7
VB
6
V0
5
GND
NC
4
i179082
e3
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
逻辑接地隔离- TTL / TTL ， TTL / CMOS ， CMOS /
CMOS ， CMOS / TTL
EIA RS 232C线路接收器
低输入电流线路接收器，线路长，党
线
电话铃声探测器
117 VAC线电压状态指示，低输入
功耗
低功耗系统，接地隔离
增益光子检测器在一个八脚双列直插式封装
年龄。独立的引脚为光电二极管和输出
舞台启用TTL兼容饱和电压与
高速操作。
PHOTODARLINGTON操作是通过搭售的实现
V
CC
和V
O
终端一起。访问基
终端可以调整到增益带宽。
该SFH6138是理想的，因为TTL应用
带有LED的300％最小电流传输比
1.6 mA电流使操作一个单元
加载中，一个单位负载出了2.2 kΩ上拉
电阻器。
该SFH6139是最适合于低功率逻辑应用程序
阳离子包括CMOS ，低功耗TTL 。 A 400 ％
只有0.5毫安LED电流的电流传输比
从0 ℃下保至70℃ 。
订购信息
部分
SFH6138
SFH6139
备注
CTR
≥
300 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
400 ％ ， DIP- 8
描述
高共模瞬变抗扰度和非常高
流动比率与5300 V
RMS
保温是
通过耦合的LED与集成来实现高
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向输入电压
平均输入电流
输入电流峰值
峰值瞬态输入电流
占空比为50％ - 1.0毫秒脉冲
宽度
≤
1.0
s,
300 PPS
I
F（ AVG）
测试条件
符号
价值
5.0
20
40
1.0
单位
V
mA
mA
A
产量
参数
电源和输出电压
发射极 - 基反向电压
（引脚5-7 ）
输出电流IO （引脚6 ）
线性降额25°C以上，
自由的空气温度
输入功率耗散
线性降额
输出功率耗散
线性降额
高于25 ℃，自由的空气
温度为0.2毫安/ ℃，
高于50 ℃，自由的空气
温度为0.7毫瓦/°C的
P
迪斯OUT
100
mW
P
在迪斯
测试条件
V
CC
（引脚8-5 ） ，V
O
（引脚6-5 ）
部分
SFH6138
SFH6139
符号
V
S
, V
O
V
S
, V
O
V
EBO
I
O
价值
- 0.5 7.0
- 0.5-18
0.5
60
0.7
35
单位
V
V
V
mA
毫安/°C的
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
引线焊接温度
储存温度
吨≤ 10秒
测试条件
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
T
SLD
T
英镑
价值
5300
≥
10
11
≥
10
12
260
- 55至+ 125
单位
V
RMS
°C
°C
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
输入正向电压
输入反向击穿
电压
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 1.6毫安
符号
V
F
BV
R
5.0
- 1.8
民
典型值。
1.4
最大
1.7
单位
V
V
毫伏/°C的
产量
参数
逻辑低输出电压
2)
测试条件
I
F
= 1.6毫安，我
O
= 4.8毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 1.6毫安，我
O
= 8.0毫安，
V
CC
= 4.5 V
逻辑低输出电压
I
F
= 5.0毫安，我
O
= 15毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 12 mA时，我
O
= 24毫安，
V
CC
= 4.5 V
逻辑高输出电流
2)
逻辑低电源电流
2)
逻辑高电平电源电流
2)
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
SFH6139
SFH6138
SFH6139
符号
V
OL
V
OL
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
I
CCL
I
CCH
民
典型值。
0.1
0.1
0.15
0.25
0.1
0.05
0.2
0.001
最大
0.4
0.4
0.4
0.4
250
100
1.5
10
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 7.0 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 18 V
I
F
= 1.6毫安， V
O
=开，
V
CC
= 18 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 18 V
引脚7打开。
耦合器
参数
输入电容
电容（输入输出）
3)
3)
测试条件
F = 1.0兆赫，V
F
= 0
F = 1.0 MHz的
符号
C
IN
C
O
民
典型值。
25
0.6
最大
单位
pF
pF
设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并且销5 ， 6 ，7和8短接在一起。
电流传输比
参数
电流传输比
1,2)
测试条件
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
符号
CTR
CTR
CTR
民
300
400
500
典型值。
1600
1600
2000
最大
单位
%
%
%
电流传输比
1)
2)
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
次100 ％
引脚7打开。
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威世半导体
开关特性
延迟时间
参数
传播延迟时间的逻辑
在低输出
测试条件
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 k
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 k
I
F
= 12毫安，R
L
= 270 k
传播延迟时间的逻辑
在高输出
2.4)
部分
SFH6138
SFH6139
SFH6139
SFH6138
SFH6139
SFH6139
符号
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
2.0
6.0
0.6
4.0
5.0
1.0
最大
10
25
1.0
35
60
7.0
单位
s
s
s
s
s
s
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 k
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 k
I
F
= 12毫安，R
L
= 270 k
2)
4)
引脚7打开。
使用引脚5到7之间的电阻会降低增益和延迟时间。
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬变
免疫力在逻辑高电平
产量
5,6)
共模瞬变
免疫力在逻辑低电平
产量
5,6)
5)
测试条件
I
F
= 0 mA时，R
L
= 2.2 k,
R
CC
= 0/V
CM
= 10 V
P-P
I
F
= 16毫安，R
L
= 2.2 k,
R
CC
= 0/V
CM
= 10 V
P-P
符号
CM
H
民
典型值。
500
最大
单位
V / μs的
CM
L
- 500
V / μs的
在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大容许（正）DV
cm
/ dt的上的共同的前缘
脉冲模式下，V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（IEV
O
> 2.0 V）在逻辑低共模瞬态抗扰度
电平是最大容许（负）的dV
cm
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
，以保证输出
将保持在逻辑低状态（即V
O
< 0.8V） 。
6)
在应用中的dv / dt可能超过50000 V / μs的（如国家排放串联电阻，R
CC
应列入保护我
C
从破坏性的高浪涌电流。建议值为为R
CC
[IV / 0.15我
F
（毫安） KΩ
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