日前，Vishay
SFH6135 / SFH6136
威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，晶体管输出
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模干扰的抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
i179081
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
描述
该SFH6135和SFH6136光电耦合器设有一
高的信号传输速率和高的隔离
性。它们具有GaAIAs红外线放射
二极管，光耦合的集成照片
检测器，它包括一个光电二极管和一个高
在DIP - 8塑料封装晶体管的速度。
订购信息
部分
SFH6135
SFH6136
备注
CTR
≥
7.0 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
thJA
P
DISS
价值
3.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
文档编号83668
修订版1.4 ， 27 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH6135 / SFH6136
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
V
EBO
I
O
I
O
I
B
R
thJA
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
5.0
8.0
16
5.0
300
100
日前，Vishay
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤10
S，浸焊
≥
从案例0.5毫米距离
底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
mm
mm
单位
V
RMS
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
3.0
0.5
125
1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
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威世半导体
高速光耦， 1 MBd的，晶体管输出
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模干扰的抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
i179081
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
描述
该SFH6135和SFH6136光电耦合器设有一
高的信号传输速率和高的隔离
性。它们具有GaAIAs红外线放射
二极管，光耦合的集成照片
检测器，它包括一个光电二极管和一个高
在DIP - 8塑料封装晶体管的速度。
订购信息
部分
SFH6135
SFH6136
备注
CTR
≥
7.0 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
thJA
P
DISS
价值
3.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
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威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
V
EBO
I
O
I
O
I
B
R
thJA
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
5.0
8.0
16
5.0
300
100
日前，Vishay
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤10
S，浸焊
≥
从案例0.5毫米距离
底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
mm
mm
单位
V
RMS
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
3.0
0.5
125
1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
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高速光耦， 1 MBd的，晶体管输出
特点
隔离测试电压： 5300 V
RMS
TTL兼容
高比特率： 1.0 Mbit / s的
高共模干扰的抗扰度
带宽2.0 MHz的
集电极开路输出
外部接线基地可能
i179081
NC
A
C
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
C（ V
CC
)
B（ V
B
)
C（ V
O
)
E（ GND ）
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
信号可以在两个电之间传输
分离电路高达2.0兆赫的频率。该
要被连接的电路之间的电势差
应不超过最大允许为参考
ENCE电压。
描述
该SFH6135和SFH6136光电耦合器设有一
高的信号传输速率和高的隔离
性。它们具有GaAIAs红外线放射
二极管，光耦合的集成照片
检测器，它包括一个光电二极管和一个高
在DIP - 8塑料封装晶体管的速度。
订购信息
部分
SFH6135
SFH6136
备注
CTR
≥
7.0 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
19 ％ ， DIP- 8
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
热阻
功耗
T = 1.0毫秒，占空比50 ％
最大正向电流浪涌吨
≤
1.0
s,
300脉冲/秒
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
R
thJA
P
DISS
价值
3.0
25
50
1.0
700
45
单位
V
mA
mA
A
K / W
mW
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产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
V
EBO
I
O
I
O
I
B
R
thJA
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
5.0
8.0
16
5.0
300
100
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单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤10
S，浸焊
≥
从案例0.5毫米距离
底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
mm
mm
单位
V
RMS
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
3.0
0.5
125
1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
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