SFH608
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，具有
底座连接， 5300 V
RMS
特点
非常高的点击率，在我
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
规定的最低CTR在我
F
= 0.5毫安，
V
CE
= 1.5 V
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
良好的CTR线性度与正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压： 5300 V
RMS
低电流输入
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
i179004
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH 608是专为高电流光耦
在低输入电流与输出租金传输比
晶体管饱和。这使得该器件非常适用于
低电流开关应用。该SFH608是
封装在一个6引脚塑料DIP封装。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-2-X006
SFH608-2-X007
SFH608-2-X009
SFH608-3-X006
SFH608-3-X007
SFH608-4-X006
SFH608-4-X007
SFH608-5-X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 250 - 500 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
办公设备
微处理器系统接口
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
SFH608
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
50
2.5
70
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
tp
≤
1.0毫秒
P
DISS
测试条件
符号
V
CE
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
55
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
°C
°C
°C
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2
文档编号83664
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SFH608
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
1070
10
民
典型值。
1.1
最大
1.5
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
电压时，集电极 - 发射极
电压，发射极 - 基极
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EB
= 10
A
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
符号
V
首席执行官
V
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
民
55
7.0
10
16
10
500
10
200
典型值。
最大
单位
V
V
pF
pF
pF
K / W
nA
耦合器
参数
耦合电容
饱和电压，集电极 -
辐射源
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 01.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
测试条件
部分
符号
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
0.60
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
最大
单位
pF
V
V
V
V
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH608-2
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
500
120
320
75
200
典型值。
最大
125
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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3
SFH608
威世半导体
VF = F（ IF）的
ICE = F
（ VCE ， IF ）
isfh608_05
isfh608_08
图5.二极管的正向电压（典型值）。
图8.输出特性
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
IF = F （ TA ）
isfh608_06
isfh608_09
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.允许正向电流二极管
ICE = F
（ VCE ， IB ）
P合计= F （ TA ）
isfh608_07
isfh608_10
图7.输出特性
图10.允许功耗的晶体管和二极管
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5
SFH608
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，具有
底座连接， 5300 V
RMS
特点
非常高的点击率，在我
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
规定的最低CTR在我
F
= 0.5毫安，
V
CE
= 1.5 V
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
良好的CTR线性度与正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压： 5300 V
RMS
低电流输入
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
i179004
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH 608是专为高电流光耦
在低输入电流与输出租金传输比
晶体管饱和。这使得该器件非常适用于
低电流开关应用。该SFH608是
封装在一个6引脚塑料DIP封装。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-2-X006
SFH608-2-X007
SFH608-2-X009
SFH608-3-X006
SFH608-3-X007
SFH608-4-X006
SFH608-4-X007
SFH608-5-X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 250 - 500 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
办公设备
微处理器系统接口
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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SFH608
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
50
2.5
70
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
tp
≤
1.0毫秒
P
DISS
测试条件
符号
V
CE
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
55
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
°C
°C
°C
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SFH608
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
1070
10
民
典型值。
1.1
最大
1.5
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
电压时，集电极 - 发射极
电压，发射极 - 基极
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EB
= 10
A
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
符号
V
首席执行官
V
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
民
55
7.0
10
16
10
500
10
200
典型值。
最大
单位
V
V
pF
pF
pF
K / W
nA
耦合器
参数
耦合电容
饱和电压，集电极 -
辐射源
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 01.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
测试条件
部分
符号
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
0.60
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
最大
单位
pF
V
V
V
V
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH608-2
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
500
120
320
75
200
典型值。
最大
125
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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SFH608
威世半导体
VF = F（ IF）的
ICE = F
（ VCE ， IF ）
isfh608_05
isfh608_08
图5.二极管的正向电压（典型值）。
图8.输出特性
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
IF = F （ TA ）
isfh608_06
isfh608_09
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.允许正向电流二极管
ICE = F
（ VCE ， IB ）
P合计= F （ TA ）
isfh608_07
isfh608_10
图7.输出特性
图10.允许功耗的晶体管和二极管
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SFH608
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，具有
底座连接， 5300 V
RMS
特点
非常高的点击率，在我
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
规定的最低CTR在我
F
= 0.5毫安，
V
CE
= 1.5 V
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
良好的CTR线性度与正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压： 5300 V
RMS
低电流输入
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
i179004
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH 608是专为高电流光耦
在低输入电流与输出租金传输比
晶体管饱和。这使得该器件非常适用于
低电流开关应用。该SFH608是
封装在一个6引脚塑料DIP封装。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-2-X006
SFH608-2-X007
SFH608-2-X009
SFH608-3-X006
SFH608-3-X007
SFH608-4-X006
SFH608-4-X007
SFH608-5-X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 250 - 500 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
办公设备
微处理器系统接口
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83664
修订版1.4 ， 10月26日04
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SFH608
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
50
2.5
70
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
tp
≤
1.0毫秒
P
DISS
测试条件
符号
V
CE
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
55
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
°C
°C
°C
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2
文档编号83664
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SFH608
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
1070
10
民
典型值。
1.1
最大
1.5
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
电压时，集电极 - 发射极
电压，发射极 - 基极
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EB
= 10
A
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
符号
V
首席执行官
V
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
民
55
7.0
10
16
10
500
10
200
典型值。
最大
单位
V
V
pF
pF
pF
K / W
nA
耦合器
参数
耦合电容
饱和电压，集电极 -
辐射源
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 01.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
测试条件
部分
符号
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
0.60
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
最大
单位
pF
V
V
V
V
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH608-2
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
500
120
320
75
200
典型值。
最大
125
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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3
SFH608
威世半导体
VF = F（ IF）的
ICE = F
（ VCE ， IF ）
isfh608_05
isfh608_08
图5.二极管的正向电压（典型值）。
图8.输出特性
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
IF = F （ TA ）
isfh608_06
isfh608_09
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.允许正向电流二极管
ICE = F
（ VCE ， IB ）
P合计= F （ TA ）
isfh608_07
isfh608_10
图7.输出特性
图10.允许功耗的晶体管和二极管
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SFH608
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，具有
底座连接， 5300 V
RMS
特点
非常高的点击率，在我
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
规定的最低CTR在我
F
= 0.5毫安，
V
CE
= 1.5 V
≥
32 ％ （典型值120 ％ ）
良好的CTR线性度与正向电流
低CTR退化
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
= 55 V
隔离测试电压： 5300 V
RMS
低电流输入
低耦合电容
高共模瞬态抗扰度
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
i179004
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH 608是专为高电流光耦
在低输入电流与输出租金传输比
晶体管饱和。这使得该器件非常适用于
低电流开关应用。该SFH608是
封装在一个6引脚塑料DIP封装。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-2-X006
SFH608-2-X007
SFH608-2-X009
SFH608-3-X006
SFH608-3-X007
SFH608-4-X006
SFH608-4-X007
SFH608-5-X007
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 250 - 500 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 250 - 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
应用
电信
工业控制
办公设备
微处理器系统接口
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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SFH608
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
50
2.5
70
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
tp
≤
1.0毫秒
P
DISS
测试条件
符号
V
CE
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
55
55
7.0
50
100
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器，参考
气候DIN 40046第2部分
十一月74 ）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
°C
°C
°C
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SFH608
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 5.0毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
1070
10
民
典型值。
1.1
最大
1.5
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
电压时，集电极 - 发射极
电压，发射极 - 基极
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
测试条件
I
CE
= 10
A
I
EB
= 10
A
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 ， F = 1.0 MHz的
符号
V
首席执行官
V
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
民
55
7.0
10
16
10
500
10
200
典型值。
最大
单位
V
V
pF
pF
pF
K / W
nA
耦合器
参数
耦合电容
饱和电压，集电极 -
辐射源
I
C
= 0.32毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.5毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 0.8毫安，我
F
= 1.0毫安
I
C
= 01.25毫安，我
F
= 1.0毫安
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-5
测试条件
部分
符号
C
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
民
典型值。
0.60
0.25
0.25
0.25
0.25
0.4
0.4
0.4
0.4
最大
单位
pF
V
V
V
V
电流传输比
参数
耦合传输比
测试条件
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
CE
= 1.5 V
部分
SFH608-2
SFH608-2
SFH608-3
SFH608-3
SFH608-4
SFH608-4
SFH608-5
SFH608-5
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
63
32
100
50
160
80
250
125
300
200
500
120
320
75
200
典型值。
最大
125
单位
%
%
%
%
%
%
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SFH608
威世半导体
VF = F（ IF）的
ICE = F
（ VCE ， IF ）
isfh608_05
isfh608_08
图5.二极管的正向电压（典型值）。
图8.输出特性
IF = 1.0毫安， VF = F （ TA ）
IF = F （ TA ）
isfh608_06
isfh608_09
图6.二极管的正向电压（典型值）。
图9.允许正向电流二极管
ICE = F
（ VCE ， IB ）
P合计= F （ TA ）
isfh608_07
isfh608_10
图7.输出特性
图10.允许功耗的晶体管和二极管
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