日前，Vishay
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
V
CESAT
0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
建立符合VDE要求
最高品质的顶级设备
长期稳定性
储存温度 - 55 ℃至+ 150°C
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
e3
i179004
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1X006
SFH601-1X007
SFH601-1X009
SFH601-2X006
SFH601-2X007
SFH601-2X009
SFH601-3X006
SFH601-3X007
SFH601-3X009
SFH601-4X006
SFH601-4X007
SFH601-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该SFH601是一个镓Ars-光耦
enide LED发射器光学耦合与SIL-
图标的平面光电晶体管探测器。该组件
封装在塑料插件壳体20 AB DIN
41866.
耦合器2 electri-之间传递信号
美云隔离电路。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
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1
SFH601
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t =10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T = 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
100
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
1)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
相比漏电起痕
2)
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
1)
2)
发射器和检测器被称为气候DIN 40046第2部分的11月74
符合DIN IEC 60112 / VDE0303 ，第1部分指数
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2
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
日前，Vishay
电气特性
SFH601
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
测试条件
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
部分
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
thjamb
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
6.8
8.5
11
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
我-O
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
CESAT
C
IO
民
典型值。
0.25
0.6
最大
0.4
单位
V
pF
电流传输比
电流传输比和集电极 - 发射极漏电流短跑号码
参数
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
= 1.0毫安
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
SFH601
威世半导体
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
I
F
mA
10
2.0
t
r
s
2.0
当前
上升时间
下降时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
t
f
t
on
s
3.0
开启时间
日前，Vishay
打开-O FF时间
t
关闭
s
2.3
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
mA
20
10
10
0.5
t
r
s
2.0
3.0
3.0
4.6
当前
上升时间
下降时间
V
CESAT
= 0.25 (≤ 0.4) V
t
f
s
11
14
14
15
t
on
s
3.0
4.2
4.2
6.0
t
关闭
s
18
23
23
25
Tutn -时间
打开-O FF时间
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
I
F
R
L
= 75
I
C
V
CC
= 5 V
47
isfh601_01
isfh600_03
图1.线性操作（不饱和）
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
F
1 K
V
CC
= 5 V
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
47
isfh601_02
isfh601_04
图2.切换操作（与饱和度）
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
www.vishay.com
4
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
日前，Vishay
SFH601
威世半导体
DC
Pulsbetrieb
脉冲
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
isfh601_05
isfh601_08
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比主场迎战二极管电流
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
DC
Pulsbetrieb
脉冲
IC = F（ VCE ）
（IF = 0）
isfh601_06
isfh601_09
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
图9.晶体管特性
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
DC
Pulsbetrieb
脉冲
IC = F（ VCE ）
isfh601_07
isfh601_10
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
图10.输出特性
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
5
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
V
CESAT
0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
内置符合VDE要求
最高质量的优质设备
长期稳定性
存储温度 - 55℃至+ 150°C
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH601是一个砷化镓发光二极管的光电耦合器
发射器光学耦合与硅平面
光电晶体管探测器。该组件被装在一个
塑料插件壳体20 AB DIN 41866 。
耦合器2之间的电传输信号
隔离电路。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1X006
SFH601-1X007
SFH601-1X009
SFH601-2X006
SFH601-2X007
SFH601-2X009
SFH601-3X006
SFH601-3X007
SFH601-3X009
SFH601-4X006
SFH601-4X007
SFH601-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
T = 10微秒
I
FSM
P
DISS
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
产量
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射极之间的隔离测试电压
探测器，简称气候DIN 40046第2部分，
十一月74
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
5300
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55 + 100
100
260
V
RMS
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
T = 1.0毫秒
(1)
测试条件
符号
V
CE
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
100
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
SFH601-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
=10 V
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
电容（输入输出）
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
我-O
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CESAT
C
IO
0.25
0.6
0.4
V
pF
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
6.8
8.5
11
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
分钟。
典型值。
1.25
6.0
0.01
25
750
10
马克斯。
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
SFH601
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH601-1
I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
记
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流。
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
当前
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和的
SFH601-1
当前
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
上升时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
下降时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
开启时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
打开-O FF时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
R
L
= 7 5
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
测试条件
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
部分
符号
I
F
t
r
t
f
t
on
t
关闭
I
F
I
F
I
F
I
F
t
r
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
f
t
on
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
分钟。
典型值。
10
2.0
2.0
3.0
2.3
20
10
10
0.5
2.0
3.0
3.0
4.6
11
14
14
15
3.0
4.2
4.2
6.0
18
23
23
25
马克斯。
单位
mA
s
s
s
s
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
1k
Ω
V
CC
= 5
V
47
Ω
isfh601_02
47
Ω
isfh601_01
图。 1 - 线性操作（不饱和）
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
图。 2 - 开关运行（饱和度）
www.vishay.com
3
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
8000
890
700
400
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
3
%
I
C
5
I
F
（ TA = - 25℃， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 0℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
10
2
5
2
1
10
2
5
2
1
10
0
10
-1
isfh601_03
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
10
0
10
-1
isfh601_04
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
SFH601
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
2
1
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
4
3
10
2
5
10
2
5
2
1
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
10
0
10
-1
isfh601_05
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
10
1
- 25
isfh601_08
0
25
TA
50
°C 75
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 8 - 电流传输比主场迎战二极管电流
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
30
I
c
mA
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
B
= 40 A
I
B
= 30 A
I
B
= 20 A
20
10
2
5
2
1
10
IC = F（ VCE ）
（IF = 0）
I
B
= 10 A
I
B
= 2 A
I
B
= 5 A
10
0
10
-1
isfh601_06
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
0
0
5
10
isfh601_09
V
V
CE
15
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 9 - 晶体管特性
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
30
I
c
mA
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
F
= ± 14毫安
I
F
= - 12毫安
20
IC = F（ VCE ）
I
F
= - 10毫安
I
F
= - 8毫安
I
F
= - 6毫安
I
F
= - 4毫安
I
F
= - 1毫安
I
F
= - 2毫安
10
2
5
2
1
10
10
0
10
-1
isfh601_07
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
0
0
5
10
isfh601_10
V
V
CE
15
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
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5
三重奏
* PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
高电流传输比
SFH601-1 ， 40 ％至80％
SFH601-2 ， 63至125％
SFH601-3 ， 100至200％
SFH601-4 ， 160至320 ％
隔离测试电压（ 1秒钟） ， 5300 VAC
RMS
VCEsat晶体管0.25 （0.7英镑） V， IF = 10 mA时， IC = 2.5毫安
内置符合VDE要求
最高质量的优质设备
长期稳定性
存储温度， -55∞至+ 150∞C
美国保险商实验室文件＃ E52744
CECC认证
V
VDE 0884可通过选项1
D E
SFH601系列
尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极1
阴极2
NC 3
6基地
5收藏家
4发射器
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该SFH601是一个镓Ars-光耦
enide LED发射器光学耦合与
硅平面光电晶体管探测器。在康波
新界东北是packeged在塑料插件壳体20 AB
DIN 41866 。
耦合器2 electri-之间传递信号
美云隔离电路。
最大额定值
辐射源
反向电压................................................ 6 V
直流正向电流...................................... 60毫安
浪涌正向电流（T
p
=10
s)..................
2.5 A
总功率耗散.............................. 100毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压.............................. 100 V
发射极 - 基极电压......................................... 7 V
集电极电流........................................... 50毫安
集电极电流（T = 1毫秒） ..........................百毫安
功耗...................................... 150毫瓦
包
隔离测试电压（发射极之间
探测器简称气候DIN 40046 ，
第2部分11月74 ） （ T = 1秒） .............. 5300 VAC
RMS
爬电距离
........................................................... ≥7
mm
净空
.......................................................... ≥7
mm
发射极之间的隔离厚度
检测................................................. ......
≥0.4
mm
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分........................ 175
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25°C...................................
≥10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
=100°C.................................
≥10
11
存储温度范围........ -55 ° C至+ 150°C
环境温度范围....... -55 ° C至+ 100°C
结温.................................... 100℃
焊接温度（最大10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥1.5
毫米） .......... 260℃
特征
(T
A
=25°C)
符号
辐射源
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
探测器
电容
集电极 - 发射极
集电极 - 基
发射极 - 基
热阻
包
饱和电压，
集电极 - 发射极
耦合电容
V
CESAT
C
IO
0.25 (≤0.4)
0.6
V
pF
I
F
= 10毫安，
I
C
= 2.5毫安
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
pF
C
CE
C
CB
C
EB
R
thjamb
6.8
8.5
11
500
F = 1 MHz的
V
CE
=5 V
V
CB
=5 V
V
EB
=5 V
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thjamb
1.25
(≤1.65)
≥6
0.01 (≤10)
25
750
V
V
A
pF
I
F
± 60毫安
I
R
=10
A
V
R
=6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
单位
条件
°
C / W
°
C / W
*三重奏透明离子盾
5–1
本文档是从FrameMaker 4.0.4创建
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
V
CESAT
0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
内置符合VDE要求
最高质量的优质设备
长期稳定性
存储温度 - 55℃至+ 150°C
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH601是一个砷化镓发光二极管的光电耦合器
发射器光学耦合与硅平面
光电晶体管探测器。该组件被装在一个
塑料插件壳体20 AB DIN 41866 。
耦合器2之间的电传输信号
隔离电路。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1X006
SFH601-1X007
SFH601-1X009
SFH601-2X006
SFH601-2X007
SFH601-2X009
SFH601-3X006
SFH601-3X007
SFH601-3X009
SFH601-4X006
SFH601-4X007
SFH601-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
T = 10微秒
I
FSM
P
DISS
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
产量
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射极之间的隔离测试电压
探测器，简称气候DIN 40046第2部分，
十一月74
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
5300
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55 + 100
100
260
V
RMS
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
T = 1.0毫秒
(1)
测试条件
符号
V
CE
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
100
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
SFH601-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
=10 V
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
耦合器
饱和电压集电极 - 发射极
电容（输入输出）
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
我-O
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CESAT
C
IO
0.25
0.6
0.4
V
pF
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
6.8
8.5
11
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
部分
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
分钟。
典型值。
1.25
6.0
0.01
25
750
10
马克斯。
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
SFH601
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH601-1
I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
记
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流。
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
当前
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和的
SFH601-1
当前
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
上升时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
下降时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
开启时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1
打开-O FF时间
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
R
L
= 7 5
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
测试条件
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
部分
符号
I
F
t
r
t
f
t
on
t
关闭
I
F
I
F
I
F
I
F
t
r
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
f
t
on
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
分钟。
典型值。
10
2.0
2.0
3.0
2.3
20
10
10
0.5
2.0
3.0
3.0
4.6
11
14
14
15
3.0
4.2
4.2
6.0
18
23
23
25
马克斯。
单位
mA
s
s
s
s
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
1k
Ω
V
CC
= 5
V
47
Ω
isfh601_02
47
Ω
isfh601_01
图。 1 - 线性操作（不饱和）
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
图。 2 - 开关运行（饱和度）
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3
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SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度，
加强额定
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
符合IEC 60950 2.10.5.1
7
7
8
8
0.4
CTI
175
8000
890
700
400
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
3
%
I
C
5
I
F
（ TA = - 25℃， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 0℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
10
2
5
2
1
10
2
5
2
1
10
0
10
-1
isfh601_03
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
10
0
10
-1
isfh601_04
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83663
修订版1.3 25 -JAN- 08
SFH601
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
2
1
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
4
3
10
2
5
10
2
5
2
1
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
10
0
10
-1
isfh601_05
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
10
1
- 25
isfh601_08
0
25
TA
50
°C 75
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 8 - 电流传输比主场迎战二极管电流
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
30
I
c
mA
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
B
= 40 A
I
B
= 30 A
I
B
= 20 A
20
10
2
5
2
1
10
IC = F（ VCE ）
（IF = 0）
I
B
= 10 A
I
B
= 2 A
I
B
= 5 A
10
0
10
-1
isfh601_06
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
0
0
5
10
isfh601_09
V
V
CE
15
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 9 - 晶体管特性
10
3
%
I
C
5
I
F
DC
Pulsbetrieb
脉冲
TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
4
3
30
I
c
mA
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
F
= ± 14毫安
I
F
= - 12毫安
20
IC = F（ VCE ）
I
F
= - 10毫安
I
F
= - 8毫安
I
F
= - 6毫安
I
F
= - 4毫安
I
F
= - 1毫安
I
F
= - 2毫安
10
2
5
2
1
10
10
0
10
-1
isfh601_07
5
10
0
5毫安10
1
2
I
F
0
0
5
10
isfh601_10
V
V
CE
15
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性
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修订版1.3 25 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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5
日前，Vishay
SFH601
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
V
CESAT
0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
建立符合VDE要求
最高品质的顶级设备
长期稳定性
储存温度 - 55 ℃至+ 150°C
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
e3
i179004
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
订购信息
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
SFH601-1X006
SFH601-1X007
SFH601-1X009
SFH601-2X006
SFH601-2X007
SFH601-2X009
SFH601-3X006
SFH601-3X007
SFH601-3X009
SFH601-4X006
SFH601-4X007
SFH601-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该SFH601是一个镓Ars-光耦
enide LED发射器光学耦合与SIL-
图标的平面光电晶体管探测器。该组件
封装在塑料插件壳体20 AB DIN
41866.
耦合器2 electri-之间传递信号
美云隔离电路。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83663
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1
SFH601
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
t =10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T = 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
100
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
1)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
相比漏电起痕
2)
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
1)
2)
发射器和检测器被称为气候DIN 40046第2部分的11月74
符合DIN IEC 60112 / VDE0303 ，第1部分指数
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2
文档编号83663
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日前，Vishay
电气特性
SFH601
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
测试条件
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
部分
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
thjamb
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
6.8
8.5
11
500
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
我-O
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
CESAT
C
IO
民
典型值。
0.25
0.6
最大
0.4
单位
V
pF
电流传输比
电流传输比和集电极 - 发射极漏电流短跑号码
参数
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
= 1.0毫安
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83663
修订版1.4 ， 10月26日04
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3
SFH601
威世半导体
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
I
F
mA
10
2.0
t
r
s
2.0
当前
上升时间
下降时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
t
f
t
on
s
3.0
开启时间
日前，Vishay
打开-O FF时间
t
关闭
s
2.3
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
SFH601-1
SFH601-2
SFH601-3
SFH601-4
I
F
mA
20
10
10
0.5
t
r
s
2.0
3.0
3.0
4.6
当前
上升时间
下降时间
V
CESAT
= 0.25 (≤ 0.4) V
t
f
s
11
14
14
15
t
on
s
3.0
4.2
4.2
6.0
t
关闭
s
18
23
23
25
Tutn -时间
打开-O FF时间
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
I
F
R
L
= 75
I
C
V
CC
= 5 V
47
isfh601_01
isfh600_03
图1.线性操作（不饱和）
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
DC
Pulsbetrieb
脉冲
I
F
1 K
V
CC
= 5 V
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
47
isfh601_02
isfh601_04
图2.切换操作（与饱和度）
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
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4
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修订版1.4 ， 10月26日04
日前，Vishay
SFH601
威世半导体
DC
Pulsbetrieb
脉冲
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
isfh601_05
isfh601_08
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比主场迎战二极管电流
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
DC
Pulsbetrieb
脉冲
IC = F（ VCE ）
（IF = 0）
isfh601_06
isfh601_09
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
图9.晶体管特性
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
DC
Pulsbetrieb
脉冲
IC = F（ VCE ）
isfh601_07
isfh601_10
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
图10.输出特性
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