SFH600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
V
CESAT
= 0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
内置符合VDE要求
高品质的优质设备
长期稳定性
存储温度 - 55 ° C至+ 150°C
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH600是一个砷化镓LED发射器的光耦合器
该光耦合用一个硅平面
光电晶体管探测器。该组件被装在一个
塑料插件的情况下， 20 AB DIN 41866 。
耦合器2之间的电传输信号
隔离电路。电路之间的电势差
要被连接的应不超过最大允许
绝缘电压。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH600-0
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0X007
SFH600-1X007
SFH600-1X009
SFH600-2X006
SFH600-2X007
SFH600-3X006
SFH600-3X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
文档编号： 83662
修订版1.5 10 -JAN- 08
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
70
7.0
50
100
150
单位
V
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
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1
t
P
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
EB
I
C
T = 1.0毫秒
I
C
P
DISS
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
SFH600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间，指
气候DIN 40046第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
发射极之间的隔离厚度
和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
SFH600-0
集电极 - 发射极漏
当前
耦合器
饱和电压集电极
发射极电压
电容（输入输出）
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
IO
0.25
0.4
0.6
V
pF
V
CE
= 10 V
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
5.2
6.5
9.5
500
2.0
2.0
2.0
5.0
35
35
35
70
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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文档编号： 83662
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光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH600-0
I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
当前
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
饱和的
SFH600-0
当前
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
上升时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
下降时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
开启时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
打开-O FF时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
I
F
I
F
I
F
I
F
t
r
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
f
t
on
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
20
10
10
5.0
2.5
3.0
3.0
4.0
11
12
12
14
3.7
4.5
4.5
5.8
19
21
21
24
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
t
r
t
f
t
on
t
关闭
F
CO
10
2.0
2.5
3.2
3.0
250
mA
s
s
s
s
千赫
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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带底座的连接
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
%
10
3
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
（ TA = 0℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
10
2
5
0
1
2
3
47
Ω
isfh600_01
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_04
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
%
10
3
I
F
1 k
Ω
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
（ VCE = 5.0 V） IC / IF = F （ IF ）
10
2
5
0
1
2
3
47
Ω
isfh600_02
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_05
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 2 - 开关运行（饱和度）
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = - 25℃， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = 50℃ ， IC / IF = F （ IF ）
10
2
5
0
1
2
3
10
2
5
0
1
2
3
10
1
5
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_03
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
10
0
10
-1
isfh600_06
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
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SFH600
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
集成电路/ IF = F （LF）
OHODO504
40
I
c
30
OHODO498
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（IC = F （ VCE ）
I
F
= 14毫安
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
10
2
5
3
2
1
0
20
10
1
5
DC
Pulsbetrieb
脉冲
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
0
10
-1
isfh600_07
0
5
10
0
I
F
5毫安10
1
0
5
10
V
CE
15 V
isfh600_10
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性SFH600-2 ， -3
%
10
3
I
C
I
F
5
3
2
OHODO501
DC
Pulsbetrieb
脉冲
1.2
V
F
V
VF = F（ IF）的
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
10
2
5
1
0
1.0
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
10
1
- 25
isfh600_08
0
25
TA
50
°C 75
0.9
10
-1
5
10
0
5
10
1
5毫安
I
F
10
2
isfh600_11
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
图。 11 - 正向电压
30
I
c
mA
25
20
15
10
5
0
OHODO497
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（IC = F （ VCE ）
IF = 0
I
B
= 40 A
I
B
= 30 A
I
首席执行官
10
0
A
VCE = 35 V
ICEO = F （V ， T）
（IF = 0）
10
-1
I
B
= 20 A
I
B
= 15 A
I
B
= 10 A
I
B
= 5 A
I
B
= 2 A
10
-2
VCE = 12 V
0
5
10
isfh600_09
V
V
CE
15
10
-3
0
25
50
isfh600_12
75 °C
T
A
100
图。 9 - 晶体管特性SFH600-2 ， -3
图。 12 - 集电极发射极截止电流
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5
QQ：2880707522 复制
