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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1399页 > SFH600-2
SFH600-0 ， SFH600-1 ， SFH600-2 ， SFH600-3 ， SFH600-4
SFH601-1 ， SFH601-2 ， SFH601-3 ， SFH601-4 ， SFH601-5
SFH609-1 ， SFH609-2 ， SFH609-3 ， SFH609-4 ， SFH609-5
光耦合
隔离器
光电晶体管输出
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
排除SFH609-4 ， -5
l
通过以下认证， EN60950
检验机构： -
NEMKO - 证书号P01102465
FIMKO - 证书编号FI18162
SEMKO - 编号为0202041 / 01-25
DEMKO - 证书311161-01号
不包括SFH600-0 ， 601-2 ， 609-4 ， -5
l
BSI认可 - 证书8001号
不包括
SFH609-4,-5
描述
该SFH600- ， SFH601- ， SFH609 - _系列
光耦合隔离器由一个红外
发光二极管和一个NPN型硅光电
晶体管在一个标准的6脚双列直插式塑料
封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高BV
首席执行官
（ 70V ， 90V ， 100V分钟）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
尺寸（mm）
1
2
3
6
5
4
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
集电极 - 基极电压BV
CBO
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
60mA
6V
105mW
70V
100V
90V
70V
100V
90V
6V
160mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
功耗
总功耗
200mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/3/03
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92190m-AAS/A3
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电流（I
R
)
产量
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
70
100
90
70
100
90
6
50
最小典型最大单位
1.2
1.65
10
V
A
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安（注2）
V
V
V
V
V
V
V
nA
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 10V
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
， 2.5毫安
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
再加
电流传输比（ CTR ） （注2 ）
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
40
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
63
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
100
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
160
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
200
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
13
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
22
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
34
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
56
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
68
集电极 - 发射极饱和VoltageV
CE （ SAT ）
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
80
125
200
320
400
0.4
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
V
RMS
V
PK
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
2.
开关操作（与饱和度）图2
典型的开关特性
1.
线性操作
(
不饱和）图
1.
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
F
CO
V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
单位
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
组
导通时间t
on
t
r
上升时间
关断时间t
关闭
t
f
下降时间
V
CESAT
输入
600-0
600-1&2
600-3
601 / 9-1 601 / 9-2&3 601 / 9-4&5
(I
F
= 20mA）的（我
F
= 10毫安） （我
F
= 5毫安）单位
3.0
2.0
18
11
4.2
3.0
23
14
＆ LT ; 0.4
6.0
4.6
25
15
s
s
s
s
V
V
CC
= 5.0V
R
L
= 75
产量
V
CC
= 5.0V
R
L
= 1k
产量
t
on
t
r
产量
10%
90%
t
关闭
t
f
10%
90%
图1
7/3/03
图2
DB92190m-AAS/A3
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流与集电极 - 发射极电压
（归一SFH601-3 ）
50
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
（MA ）
40
30
20
10
50
30
20
15
10
100
50
I
F
= 5毫安
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
80
电流传输比CTR （ ％ ）
70
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
电流传输比与正向电流
320
280
240
200
160
120
80
40
0
-30
0
25
50
75
100
125
1
2
5
10
20
50
环境温度T
A
( °C )
相对电流传输比
- 环境温度
1.5
正向电流I
F
（MA ）
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
DB92190m-AAS/A3
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
SFH601-5
SFH601-4
正向电流I
F
（MA ）
60
50
40
30
20
10
0
SFH601-3
SFH601-2
SFH601-1
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
相对电流传输比
I
F
= 10毫安
I
C
= 2.5毫安
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
7/3/03
SFH600-0 ， SFH600-1 ， SFH600-2 ， SFH600-3 ， SFH600-4
SFH601-1 ， SFH601-2 ， SFH601-3 ， SFH601-4 ， SFH601-5
SFH609-1 ， SFH609-2 ， SFH609-3 ， SFH609-4 ， SFH609-5
光耦合
隔离器
光电晶体管输出
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
排除SFH609-4 ， -5
l
通过以下认证， EN60950
检验机构： -
NEMKO - 证书号P01102465
FIMKO - 证书编号FI18162
SEMKO - 编号为0202041 / 01-25
DEMKO - 证书311161-01号
不包括SFH600-0 ， 601-2 ， 609-4 ， -5
l
BSI认可 - 证书8001号
不包括
SFH609-4,-5
描述
该SFH600- ， SFH601- ， SFH609 - _系列
光耦合隔离器由一个红外
发光二极管和一个NPN型硅光电
晶体管在一个标准的6脚双列直插式塑料
封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高BV
首席执行官
（ 70V ， 90V ， 100V分钟）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
尺寸（mm）
1
2
3
6
5
4
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
集电极 - 基极电压BV
CBO
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
60mA
6V
105mW
70V
100V
90V
70V
100V
90V
6V
160mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
功耗
总功耗
200mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/3/03
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92190m-AAS/A3
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电流（I
R
)
产量
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
70
100
90
70
100
90
6
50
最小典型最大单位
1.2
1.65
10
V
A
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安（注2）
V
V
V
V
V
V
V
nA
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 10V
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
， 2.5毫安
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
再加
电流传输比（ CTR ） （注2 ）
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
40
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
63
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
100
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
160
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
200
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
13
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
22
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
34
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
56
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
68
集电极 - 发射极饱和VoltageV
CE （ SAT ）
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
80
125
200
320
400
0.4
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
V
RMS
V
PK
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
2.
开关操作（与饱和度）图2
典型的开关特性
1.
线性操作
(
不饱和）图
1.
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
F
CO
V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
单位
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
组
导通时间t
on
t
r
上升时间
关断时间t
关闭
t
f
下降时间
V
CESAT
输入
600-0
600-1&2
600-3
601 / 9-1 601 / 9-2&3 601 / 9-4&5
(I
F
= 20mA）的（我
F
= 10毫安） （我
F
= 5毫安）单位
3.0
2.0
18
11
4.2
3.0
23
14
＆ LT ; 0.4
6.0
4.6
25
15
s
s
s
s
V
V
CC
= 5.0V
R
L
= 75
产量
V
CC
= 5.0V
R
L
= 1k
产量
t
on
t
r
产量
10%
90%
t
关闭
t
f
10%
90%
图1
7/3/03
图2
DB92190m-AAS/A3
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流与集电极 - 发射极电压
（归一SFH601-3 ）
50
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
（MA ）
40
30
20
10
50
30
20
15
10
100
50
I
F
= 5毫安
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
80
电流传输比CTR （ ％ ）
70
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
电流传输比与正向电流
320
280
240
200
160
120
80
40
0
-30
0
25
50
75
100
125
1
2
5
10
20
50
环境温度T
A
( °C )
相对电流传输比
- 环境温度
1.5
正向电流I
F
（MA ）
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
DB92190m-AAS/A3
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
SFH601-5
SFH601-4
正向电流I
F
（MA ）
60
50
40
30
20
10
0
SFH601-3
SFH601-2
SFH601-1
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
相对电流传输比
I
F
= 10毫安
I
C
= 2.5毫安
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
7/3/03
SFH600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
隔离测试电压（ 1.0秒） ， 5300 V
RMS
A
C
NC
i179004
1
2
3
6 B
5 C
4 E
V
CESAT
= 0.25 （ ≤ 0.4 ） V，I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
内置符合VDE要求
高品质的优质设备
长期稳定性
存储温度 - 55 ° C至+ 150°C
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该SFH600是一个砷化镓LED发射器的光耦合器
该光耦合用一个硅平面
光电晶体管探测器。该组件被装在一个
塑料插件的情况下， 20 AB DIN 41866 。
耦合器2之间的电传输信号
隔离电路。电路之间的电势差
要被连接的应不超过最大允许
绝缘电压。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
SFH600-0
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0X007
SFH600-1X007
SFH600-1X009
SFH600-2X006
SFH600-2X007
SFH600-3X006
SFH600-3X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
文档编号： 83662
修订版1.5 10 -JAN- 08
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
70
7.0
50
100
150
单位
V
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
www.vishay.com
1
t
P
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
EB
I
C
T = 1.0毫秒
I
C
P
DISS
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
SFH600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间，指
气候DIN 40046第2部分11月74
爬电距离
间隙距离
发射极之间的隔离厚度
和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
≥
0.4
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
SFH600-0
集电极 - 发射极漏
当前
耦合器
饱和电压集电极
发射极电压
电容（输入输出）
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
IO
0.25
0.4
0.6
V
pF
V
CE
= 10 V
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
F = 1.0兆赫，V
CE
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
CB
= 5.0 V
F = 1.0兆赫，V
EB
= 5.0 V
C
CE
C
CB
C
EB
R
thJA
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
5.2
6.5
9.5
500
2.0
2.0
2.0
5.0
35
35
35
70
pF
pF
pF
K / W
nA
nA
nA
nA
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
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文档编号： 83662
修订版1.5 10 -JAN- 08
SFH600
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
电流传输比
参数
测试条件
部分
SFH600-0
I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
当前
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
饱和的
SFH600-0
当前
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
上升时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
下降时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
开启时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
SFH600-0
打开-O FF时间
SFH600-1
SFH600-2
SFH600-3
I
F
I
F
I
F
I
F
t
r
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
f
t
on
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
20
10
10
5.0
2.5
3.0
3.0
4.0
11
12
12
14
3.7
4.5
4.5
5.8
19
21
21
24
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω
I
F
t
r
t
f
t
on
t
关闭
F
CO
10
2.0
2.5
3.2
3.0
250
mA
s
s
s
s
千赫
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
文档编号： 83662
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SFH600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
%
10
3
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
（ TA = 0℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
10
2
5
0
1
2
3
47
Ω
isfh600_01
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_04
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
%
10
3
I
F
1 k
Ω
V
CC
= 5
V
I
C
I
F
5
（ VCE = 5.0 V） IC / IF = F （ IF ）
10
2
5
0
1
2
3
47
Ω
isfh600_02
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_05
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 2 - 开关运行（饱和度）
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = - 25℃， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = 50℃ ， IC / IF = F （ IF ）
10
2
5
0
1
2
3
10
2
5
0
1
2
3
10
1
5
10
1
5
10
0
10
-1
isfh600_03
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
10
0
10
-1
isfh600_06
5
10
0
I
F
5
10
1
mA
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
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4
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文档编号： 83662
修订版1.5 10 -JAN- 08
SFH600
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
带底座的连接
%
10
3
I
C
I
F
5
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
集成电路/ IF = F （LF）
OHODO504
40
I
c
30
OHODO498
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（IC = F （ VCE ）
I
F
= 14毫安
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
10
2
5
3
2
1
0
20
10
1
5
DC
Pulsbetrieb
脉冲
10
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
0
10
-1
isfh600_07
0
5
10
0
I
F
5毫安10
1
0
5
10
V
CE
15 V
isfh600_10
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 10 - 输出特性SFH600-2 ， -3
%
10
3
I
C
I
F
5
3
2
OHODO501
DC
Pulsbetrieb
脉冲
1.2
V
F
V
VF = F（ IF）的
25 °C
50 °C
75 °C
1.1
10
2
5
1
0
1.0
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
10
1
- 25
isfh600_08
0
25
TA
50
°C 75
0.9
10
-1
5
10
0
5
10
1
5毫安
I
F
10
2
isfh600_11
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
图。 11 - 正向电压
30
I
c
mA
25
20
15
10
5
0
OHODO497
DC
Pulsbetrieb
脉冲
（IC = F （ VCE ）
IF = 0
I
B
= 40 A
I
B
= 30 A
I
首席执行官
10
0
A
VCE = 35 V
ICEO = F （V ， T）
（IF = 0）
10
-1
I
B
= 20 A
I
B
= 15 A
I
B
= 10 A
I
B
= 5 A
I
B
= 2 A
10
-2
VCE = 12 V
0
5
10
isfh600_09
V
V
CE
15
10
-3
0
25
50
isfh600_12
75 °C
T
A
100
图。 9 - 晶体管特性SFH600-2 ， -3
图。 12 - 集电极发射极截止电流
文档编号： 83662
修订版1.5 10 -JAN- 08
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5
SFH600-0 ， SFH600-1 ， SFH600-2 ， SFH600-3 ， SFH600-4
SFH601-1 ， SFH601-2 ， SFH601-3 ， SFH601-4 ， SFH601-5
SFH609-1 ， SFH609-2 ， SFH609-3 ， SFH609-4 ， SFH609-5
光耦合
隔离器
光电晶体管输出
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 3可铅形式： -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
排除SFH609-4 ， -5
l
通过以下认证， EN60950
检验机构： -
NEMKO - 证书号P01102465
FIMKO - 证书编号FI18162
SEMKO - 编号为0202041 / 01-25
DEMKO - 证书311161-01号
不包括SFH600-0 ， 601-2 ， 609-4 ， -5
l
BSI认可 - 证书8001号
不包括
SFH609-4,-5
描述
该SFH600- ， SFH601- ， SFH609 - _系列
光耦合隔离器由一个红外
发光二极管和一个NPN型硅光电
晶体管在一个标准的6脚双列直插式塑料
封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高BV
首席执行官
（ 70V ， 90V ， 100V分钟）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
直流电机控制器
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
2.54
7.0
6.0
1.2
7.62
6.62
尺寸（mm）
1
2
3
6
5
4
7.62
4.0
3.0
0.5
13°
最大
0.26
3.0
0.5
3.35
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
集电极 - 基极电压BV
CBO
SFH600-0,1,2,3,4
SFH601-1,2,3,4,5
SFH609-1,2,3,4,5
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
60mA
6V
105mW
70V
100V
90V
70V
100V
90V
6V
160mW
7.62
0.6
0.1
10.46
9.86
1.25
0.75
0.26
10.16
功耗
总功耗
200mW
（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/3/03
DB92190m-AAS/A3
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电流（I
R
)
产量
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
SFH600-0 ，1，2 ，3，4
SFH601-1 ，2，3 ，4，5
SFH609-1 ，2，3 ，4，5
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
70
100
90
70
100
90
6
50
最小典型最大单位
1.2
1.65
10
V
A
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
I
C
= 1毫安（注2）
V
V
V
V
V
V
V
nA
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 10V
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
1毫安我
F
, 5V V
CE
10毫安我
F
， 2.5毫安
见注1
见注1
V
IO
= 500V （注1 ）
再加
电流传输比（ CTR ） （注2 ）
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
40
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
63
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
100
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
160
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
200
SFH600-0 ， SFH601-1 ， SFH609-1
13
SFH600-1 ， SFH601-2 ， SFH609-2
22
SFH600-2 ， SFH601-3 ， SFH609-3
34
SFH600-3 ， SFH601-4 ， SFH609-4
56
SFH600-4 ， SFH601-5 ， SFH609-5
68
集电极 - 发射极饱和VoltageV
CE （ SAT ）
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
80
125
200
320
400
0.4
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
V
RMS
V
PK
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
2.
开关操作（与饱和度）图2
典型的开关特性
1.
线性操作
(
不饱和）图
1.
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
F
CO
V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
单位
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
组
导通时间t
on
t
r
上升时间
关断时间t
关闭
t
f
下降时间
V
CESAT
输入
600-0
600-1&2
600-3
601 / 9-1 601 / 9-2&3 601 / 9-4&5
(I
F
= 20mA）的（我
F
= 10毫安） （我
F
= 5毫安）单位
3.0
2.0
18
11
4.2
3.0
23
14
＆ LT ; 0.4
6.0
4.6
25
15
s
s
s
s
V
V
CC
= 5.0V
R
L
= 75
产量
V
CC
= 5.0V
R
L
= 1k
产量
t
on
t
r
产量
10%
90%
t
关闭
t
f
10%
90%
图1
7/3/03
图2
DB92190m-AAS/A3
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流与集电极 - 发射极电压
（归一SFH601-3 ）
50
T
A
= 25°C
150
集电极电流I
C
（MA ）
40
30
20
10
50
30
20
15
10
100
50
I
F
= 5毫安
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
80
电流传输比CTR （ ％ ）
70
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
电流传输比与正向电流
320
280
240
200
160
120
80
40
0
-30
0
25
50
75
100
125
1
2
5
10
20
50
环境温度T
A
( °C )
相对电流传输比
- 环境温度
1.5
正向电流I
F
（MA ）
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
DB92190m-AAS/A3
V
CE
= 5V
T
A
= 25°C
SFH601-5
SFH601-4
正向电流I
F
（MA ）
60
50
40
30
20
10
0
SFH601-3
SFH601-2
SFH601-1
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
相对电流传输比
I
F
= 10毫安
I
C
= 2.5毫安
1.0
0.5
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
7/3/03
三重奏
* PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
高电流传输比
SFH600-0 ， 40 ％至80％
SFH600-1 ， 63至125％
SFH600-2 ， 100至200％
SFH600-3 ， 160至320 ％
隔离测试电压（ 1秒钟） ， 5300 VACRMS
VCEsat晶体管0.25 （0.7英镑） V， IF = 10 mA时， IC = 2.5毫安
高品质的优质设备
长期稳定性
存储温度， -55∞至+ 150∞C
美国保险商实验室文件＃ E52744
V
VDE 0884可通过选项1
D E
SFH600系列
尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
阳极1
阴极2
NC 3
6基地
5收藏家
4发射器
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该SFH600是一个砷化镓发光二极管的光电耦合器
发射器光学耦合与硅安慰剂
全国房地产经纪人协会光电晶体管探测器。的组分是
包装在塑料插件的情况下， 20 AB DIN
41866.
耦合器2 electri-之间传递信号
美云隔离电路。的电势差
之间的电路被耦合不允许
超过最大允许电压绝缘
年龄。
最大额定值
辐射源
反向电压................................................ 6 V
直流正向电流...................................... 60毫安
浪涌正向电流（T
p
=10
s)..................
2.5 A
总功率耗散.............................. 100毫瓦
探测器
集电极 - 发射极电压................................ 70 V
发射极 - 基极电压....................................... 7 V
集电极电流........................................... 50毫安
集电极电流（T = 1毫秒） ..........................百毫安
功耗...................................... 150毫瓦
包
隔离测试电压（发射极之间
探测器简称气候DIN 40046 ，
第2部分11月74 ） （ T = 1秒） .............. 5300 VAC
RMS
爬电................................................. ..... ≥7毫米
净空
.......................................................... ≥7
mm
发射&之间的隔离厚度
检测................................................. .... ≥0.4毫米
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分........................ 175
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25°C...................................
≥10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
=100°C.................................
≥10
11
存储温度范围........ -55 ° C至+ 150°C
环境温度范围....... -55 ° C至+ 100°C
结温.................................... 100℃
焊接温度（最大10秒，浸
焊接：距离座位平面
≥1.5
毫米） ................................................ .... 260℃
特征
(T
A
=25°C)
符号
辐射源
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
探测器
电容
集电极 - 发射极
集电极 - 基
发射极 - 基
热阻
包
饱和电压，
集电极 - 发射极
耦合电容
V
CESAT
C
IO
0.25 (≤0.4)
0.6
V
pF
I
F
= 10毫安，
I
C
= 2.5毫安
V
IO
= 0中，f = 1 MHz的
pF
C
CE
C
CB
C
EB
R
thjamb
5.2
6.5
9.5
500
F = 1 MHz的
V
CE
=5 V
V
CB
=5 V
V
EB
=5 V
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thjamb
1.25 (≤1.65)
≥6
0.01 (≤10)
25
750
V
V
A
pF
I
F
± 60毫安
I
R
=10
A
V
R
=6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
单位
条件
°
C / W
°
C / W
*三重奏透明离子盾
5–1
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电流传输比和集电极 - 发射极漏电流
受短线数字
-0
I
C
/I
F
在V
CE
=5 V
(I
F
= 10 mA）的
I
C
/I
F
在V
CE
=5 V
(I
F
= 1 mA）的
集电极 - 发射极
漏电流
(V
CE
=10 V)
(I
首席执行官
)
40-80
-1
63-
125
45
(>22)
2 (≤
35)
-2
100-
200
70
(>34)
2 (≤
35)
-3
160-
320
90
(>56)
5 (≤
70)
单位
%
图3.电流传输比对
二极管电流
(T
A
= -25°C ，V
CE
= 5 V）I
C
/I
F
= F（我
F
)
30
(>13)
2 (≤
35)
%
nA
图1.线性操作
（不饱和）
I
F
R
L
=75
I
C
V
CC
=5 V
47
图4.电流传输比对
二极管电流
(T
A
= 0° C，V
CE
=5 V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，T
A
=25
°C,
典型
负载电阻
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
R
L
t
ON
t
R
t
关闭
t
f
F
CO
75
3.2
2.0
3.0
2.5
250
s
s
s
s
千赫
图2.开关操作
（与饱和度）
I
F
1 K
V
CC
=5 V
47
图5.电流传输比对
二极管电流
(T
A
= 25 ° C，V
CE
= 5 V）I
C
/
I
F
= F（我
F
)
典型
-0
(I
F
= 20 mA）的
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
t
ON
t
R
t
关闭
t
F
V
CESAT
3.7
2.5
19
11
-1和-2的
(I
F
= 10 mA）的
4.5
3.0
21
12
0.25 (≤0.4)
-3
(I
F
= 5 mA）的
5.8
4.0
24
14
s
s
s
s
V
SFH600
5–2
图6.电流传输比对
二极管电流
(T
A
= 50 ° C） V
CE
=5 V
I
C
/I
F
= F（我
F
)
图9.晶体管特性
（ HFE = 550 ） SFH600-2 ， -3
I
C
= F（V
CE
)
(T
A
= 25 ° C，I
F
=0)
图12.集电极发射极
FF-态电流
I
首席执行官
= F （V ， T）
(T
A
= 25 ° C，I
F
=0)
图7.电流传输比
与二极管电流
(T
A
=75°C)
V
CE
=5V
I
C
/I
F
= F（我
F
)
图10.输出特性
SFH600-2 ， -3
(T
A
= 25°C ）I
C
= F（V
CE
)
图13.饱和电压
相对于集电极电流和
调制深度SFH600-0
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
=25°C)
图8.电流传输比对
温度
(I
F
= 10 mA时， V
CE
=5 V)
I
C
/I
F
= F （t）的
图11.正向电压
V
F
= F（我
F
)
SFH600
5–3
图14.饱和电压与
集电极电流和调制
深度SFH600-1
V
CESA
T = F（我
C
) (T
A
=25°C)
图17.允许脉冲负载
D =参数，T
A
= 25 ° C，I
F
= F （T
p
)
图20.晶体管电容
C = F（V
O
) (T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
图15.饱和电压与
collectorcurrent和调制
深度SFH600-2
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
=25°C)
图18.允许电源
消耗晶体管和二极管
P
合计
= F （T
A
)
图16.饱和电压与
collectorcurrent和调制
深度SFH600-3
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
=25°C)
图19.允许向前
流二极管
P
合计
= F （T
A
)
SFH600
5–4
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S2006V
SN75LBC976
ST2001FX
SN74AHC04Q
SY89546U
STA505A
SXX175UF3A
S7848
S553-2940-09
S29JL064H60TAN003
STAC9230D5TAEYYX
SI4740
SI-8150S
SN54ALS1002AJ
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