GaAlAs的- Lumineszenzdioden （ 880纳米）
GaAlAs的红外发射器（ 880纳米）
SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Wesentliche Merkmale
Hergestellt IM Schmezepitaxieverfahren
阳极galvanisch MIT数字高程模型Gehuseboden
verbunden
霍厄Zuverlssigkeit
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
Hermetisch dichtes Metallgehuse
SFH 480 ： Gehusegleich MIT SFH 216
SFH 481 ： Gehusegleich MIT BPX 43
SFH 482 ： Gehusegleich MIT BPX 38 ， BPX 65
Anwendungen
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
IR- Gertefernsteuerungen
SENSORIK
Lichtgitter
特点
GaAIAs红外发光二极管，制造成
液相外延工艺
阳极被电连接到所述壳体
高可靠性
匹配所有硅光电探测器
密封包装
SFH 480 ：同一个包SFH 216
SFH 481 ：同一个包BPX 43
SFH 482 ：同一个包BPX 38 ， BPX 65
应用
光中断
各种设备与站点的红外遥控器
传感器技术
光格栅屏障
2001-10-01
1
SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
典型值
TYPE
SFH 480
SFH 480-2 / 3
SFH 481
SFH 481-1 / 2
SFH 481-2 / 3
SFH 482
SFH 482-1 / 2
SFH 482-2 / 3
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q1087
Q62703-Q5195
Q62703-Q1088
Q62703-Q4752
Q62703-Q4753
Q62703-Q1089
Q62703-Q4771
Q62703-Q4754
Gehuse
包
18 A3 DIN 41876 （ TO- 18 ） ， Anschlüsse IM 2.54 mm的光栅
(
1
/
10
''）， Kathodenkennzeichnung ：核苷酸酶是Gehuseboden
18 A3 DIN 41876 （ TO- 18 ） ，铅间隔2.54毫米（
1
/
10
’’),
阴极标记：在投影包
SFH 482 -M E7800 Q62703 - Q2186
2001-10-01
2
SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
Grenzwerte
(
T
C
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
SFH 480 ， SFH 482
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
SFH 481
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
=
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
SFH 480
SFH 481
SFH 482
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 125
统一性
单位
°C
T
op
;
T
英镑
T
op
;
T
英镑
– 40
…
+ 100
°C
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
R
thJC
100
5
200
2.5
470
450
160
°C
V
mA
A
mW
K / W
K / W
λ
80
nm
±
6
±
15
±
30
毕业生
度。
2001-10-01
3
SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
参数
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
Ι
e
从10％到90％，从
90 ％至10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom ，
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.16
0.4
×
0.4
统一性
单位
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
H
H
t
r
,
t
f
4.0
…
4.8
2.8
…
3.7
2.1
…
2.7
0.6/0.5
mm
mm
mm
s
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50 (≤ 1.8)
2.4 （ < 3.0 ）
0.01 (≤ 1)
V
V
A
Φ
e
12
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
毫伏/ K
纳米/ K
2001-10-01
4
SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
符号
符号
SFH
480-2
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
bezeichnung
参数
SFH
480-3
邂逅相遇，
价值
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
统一性
单位
> 40
–
> 63
–
≥
10
–
10
20
16
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
ê TYP
.
符号
符号
540
630
220
邂逅相遇，
价值
130
220
毫瓦/ SR
统一性
单位
SFH
482
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
1)
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
≥
3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2毫瓦/ SR
–
毫瓦/ SR
I
ê TYP
.
–
40
65
80
–
毫瓦/ SR
死Messung德Strahlstrke UND宫Halbwinkels erfolgt MIT einer Lochblende VOR DEM Bauteil （ Durchmesser DER
Lochblende ：2.0毫米; Abstand Lochblende祖Gehuserückseite 5.4毫米）。 Dadurch wird sichergestellt ， daβ北德
Strahlstrkemessung淖尔diejenige Strahlung在Achsrichtung bewertet wird ，死的DirEKt冯明镜Chipoberflche
austritt 。冯·德尔· Bodenplatte reflektierte Strahlung （ vagabundierende Strahlung ） wird dagegen - 编者bewertet 。 Diese
Reflexionen信德besonders北Abbildungen德Chipoberflche尤伯杯Zusatzoptiken strend （ZB Lichtschranken
groβer Reichweite ） 。在德Anwendung werden IM allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls第三人以Blenden
unterdrückt 。第三人以dieses ，德Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt自在献给书房Anwender EINE贝瑟
verwertbare Grβe 。 Diese Lochblendenmessung北京时间gekennzeichnet第三人以登Eintrag “E 7800 ” ，明镜的模
Typenbezeichnung angehngt IST 。
一个孔用来在构件的前部的辐射强度的测量和半角（直径
的孔径：1.0毫米;距离光圈来区分背面：4毫米）。这确保了仅在轴向的辐射
方向直接从芯片表面发射将所述辐射强度的测量过程中进行评价。
辐射由底板（杂散辐射）反射将不会被评估。这些反射损害的投影
通过附加的光学元件（例如，长距离光反射开关）在芯片表面。有关的申请
组件，这些反射一般打压孔为好。这种测量方法
相应的应用程序提供了更有用的数值。该孔的测量表示为“E 7800 ”
加入该类型名称。
5
1)
2001-10-01
QQ：2881677436 复制
