OSRAM OSTAR - 照明红外6倍的光学（ 850纳米）
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
SFH 4750
Wesentliche Merkmale
为3.5W OPTISCHE Leistung贝IF = 1A
Aktive Chipflche 2.1× 3.2毫米
2
最大。 Gleichstrom 1
niedriger Wrmewiderstand （3 K / W）的
Emissionswellenlnge 850纳米
ESD - sicher双2千伏NACH JESD22 - A114 -B
特点
在IF = 1A为3.5W的光功率
有源芯片面积2.1× 3.2毫米
2
最大。直流电流1 A
低热阻（3 K / W）的
在850纳米的光谱发射
ESD安全高达2千伏ACC 。到JESD22 - A114 -B
Anwendungen
Infrarotbeleuchtung献给Kameras
berwachungssysteme
IR- Datenübertragung
Verkehrsüberwachungssysteme
Beleuchtung献给Bilderkennungssysteme
- 编者皮草Anwendungen IM Automobilbereich
应用
红外照明的相机
监控系统
红外数据传输
智能交通系统
机器视觉系统
没有发布针对汽车应用
Sicherheitshinweise
济NACH Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte ，非职权sichtbare Infrarot-
Strahlung ，死gefhrlich献给DAS menschliche
奥热盛卡恩。 PRODUKTE ，死diese Bauteile
enthalten ，米森gem书房Sicherheits-
richtlinien DER IEC- 60825-1诺门UND 62471
behandelt werden 。
安全的几点建议
取决于操作模式，这些
设备发出高度集中的不可见
红外光可以是危险的
人的眼睛。它把这些产品
设备必须遵循的安全注意事项
在IEC 60825-1和IEC 62471给出。
典型值
TYPE
SFH 4750
1)
Bestellnummer
订购代码
Q65110A8280
Strahlstrke
1)
(
I
F
= 1A,
t
p
= 20毫秒）
辐射强度
1)
Ι
e
（毫瓦/ SR）
> 630 （典型值1000）
gemessen贝einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 SR /时的立体角测量
Ω
= 0.01 SR 。
2010-12-15
1
SFH 4750
Grenzwerte
T
B
1)
=
25
°C
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Vorwrtsgleichstrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 100 s,
D
= 0
浪涌电流
Leistungsaufnahme ，
耗电量
Thermische Verlustleistung
热功率耗散
Wrmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte
热阻结/底板
1)
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
+ 145
0.5
1
5
12
9.8
3
统一性
单位
°C
°C
V
A
A
W
W
K / W
T
B，运
, T
B， STG
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
P
th
R
thJB
T
B
= 。温度奥夫明镜Rückseite明镜Metallkernplatine /温度在基板的背面。
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Schwerpunkts - Wellenlnge德Strahlung
心波长
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Abstrahlwinkel
半角
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
860
统一性
单位
nm
λ
形心
850
nm
Δλ
30
nm
±
70
毕业生
度。
2010-12-15
2
SFH 4750
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
参数
Abmessungen德aktiven Chipflche
1)
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
奥夫10％
I
F
= 5 A,
R
L
= 50
Ω
开关时间，
Ι
e
从10％到90％，从
90 ％至10％ ，
I
F
= 5 A,
R
L
= 50
Ω
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
Gesamtstrahlungsfluss
总辐射通量
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μs
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Temperaturkoeffizient冯
V
F
温度COEF网络cient
V
F
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Temperaturkoeffizient冯
λ
温度COEF网络cient
λ
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
1)
符号
符号
邂逅相遇，
价值
2.1
×
3.2
10, 10
统一性
单位
mm
ns
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
Φ
e
9.5 （ < 12 ）
V
3.5
W
TC
I
– 0.3
%/K
TC
V
–6
毫伏/ K
TC
λ ，质心
+ 0.3
纳米/ K
死aktive Chipflche besteht澳大利亚6 einzelnen芯片MIT乙脑1 ×1平方毫米。
有源芯片面积由6个单芯片，每个1× 1平方毫米。
2010-12-15
3
SFH 4750
Strahlstrke
1)
Ι
e
辐射强度
1)
Ι
e
bezeichnung
参数
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 20毫秒
1)
符号
SFH 4750 -EA
Werte
值
SFH 4750 -EB
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
Ι
ê MIN
Ι
ê MAX
630
1000
800
1250
努尔EINE的Gruppe在einer Verpackungseinheit （ Streuung克莱纳1.6 ： 1 ）
只有一个组中的一个包装单元（变化下1.6 ： 1）
Abstrahlcharakteristik
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF04180
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2010-12-15
4
SFH 4750
相对spektrale发射
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ),
T
B
= 25
°C
100
OHF04132
Durchlastrom
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
),
T
B
= 25
°C,
单脉冲，
t
p
= 100
μs
I
F
10
1
A
OHF04166
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
相对总辐射通量
Φ
e
/Φ
e
(1A) =
f
(
I
F
),
T
B
= 25
°C,
单脉冲，
t
p
= 100
μs
10
1
OHF03848
I
REL
%
80
Φ
e
Φ
e
(1 A)
10
0
10
0
5
60
5
10
-1
5
40
10
-1
20
5
10
-2
5
0
700
10
-2
750
800
850
纳米950
5
7
9
11
13
V 15
10
-3 -2
10
5 10
-1
5 10
0
A 10
1
λ
V
F
I
F
马克斯。 zulssiger Durchlassstrom
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(
T
B
),
R
thJB
= 3 K / W
1.2
A
1.0
OHF04168
Zulssige Impulsbelastbarkeit
可允许脉冲处理
能力
I
F
=
f
(t
p
),
T
B
=
85
°C,
占空比
D
=参数
I
F
5.5
A
4.5
4.0
OHF04167
I
F
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
0.8
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
1
3.5
3.0
2.5
0.6
0.4
2.0
1.5
0.2
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
C 120
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
T
B
t
p
2010-12-15
5
QQ：2880707522 复制
