Engwinklige LED IM MIDLED - Gehuse
窄波束在MIDLED封装LED
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
SFH 4600
SFH 4605
SFH 4600
SFH 4605
- 编者献给Neuentwicklungen /不用于新设计
Wesentliche Merkmale
Leistungsstarke砷化镓发光二极管（ 35毫瓦），麻省理工学院
typischer Emissionswellenlnge 950纳米
恩格Abstrahlwinkel （±20 °）的
Geringe Bauhhe
阿尔斯Toplooker UND Sidelooker einsetzbar
SFH 4600 ： Gurtung ALS Toplooker
SFH 4605 ： Gurtung ALS Sidelooker
Anwendungen
Lichtschranken ， Lichtvorhnge
SENSORIK
IR Scheinwerfer
Sicherheitshinweise
济NACH Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte ，非职权sichtbare Infrarot-
Strahlung ，死gefhrlich献给DAS menschliche
奥热盛卡恩。 PRODUKTE ，死diese Bauteile
enthalten ，米森gem书房Sicherheits-
richtlinien DER IEC- 60825-1诺门UND 62471
behandelt werden 。
典型值
TYPE
SFH 4600
SFH 4605
1)
特点
高功率GaAs - LED （ 35毫瓦），与典型的
为950纳米的峰值波长
窄halfangle （ ± 20 ° ）
薄型组件
可以用作顶前瞻性和侧视设备
SFH 4600 ：大坪作为Toplooker
SFH 4605 ：大坪作为Sidelooker
应用
灭弧室， Lightcurtains
传感器
红外照明灯
安全的几点建议
取决于操作模式，这些
设备发出高度集中的不可见
红外光可以是危险的
人的眼睛。它把这些产品
设备必须遵循的安全注意事项
在IEC 60825-1和IEC 62471给出。
Bestellnummer
订购代码
Q65110A1575
Q65110A1576
Strahlstrkegruppierung
1)
(
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒）
辐射强度分组
1)
I
e
（毫瓦/ SR）
≥
16 （典型值30 ）
≥
16 （典型值30 ）
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR /时的立体角测量
= 0.01 SR
1
2008-01-14
SFH 4600 ， SFH 4605
注意 - 注意事项来处理 - 静电敏感设备
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Vorwrtsgleichstrom ，
T
A
≤
60
°C
正向电流
Stostrom ，
t
p
=
300
s,
D
= 0,
T
A
≤
60
°C
浪涌电流
Verlustleistung
T
A
=
25
°C
功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
5
100
1
180
340
统一性
单位
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
, T
英镑
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息蓓
R
thJA
蒙太奇奥夫FR4铂金， Padgre JE 16毫米
2
热阻结 - 环境安装
在PC板（ FR4 ） ， padsize 16毫米
2
每
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle北
R
thjs
蒙太奇奥夫METALL座
热阻结 - 焊接点，
安装在金属块
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100毫安
符号
符号
λ
PEAK
180
K / W
邂逅相遇，
价值
950
统一性
单位
nm
λ
40
nm
2008-01-14
2
SFH 4600 ， SFH 4605
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
参数
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
Ι
e
从10％到90％，从
90 ％至10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluss
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
符号
符号
邂逅相遇，
价值
±
20
0.09
0.3
×
0.3
10
统一性
单位
毕业生
度。
mm
2
mm
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
1.5 （ < 1.8 ）
3.2 （ < 4.3 ）
V
V
不是设计用于
A
反向
手术
35
mW
Φ
ê TYP
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
– 0.44
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.2
毫伏/ K
纳米/ K
2008-01-14
3
SFH 4600 ， SFH 4605
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
1)
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
1)
符号
-S
I
ê MIN
I
ê MAX
I
ê TYP
16
32
160
Werte
值
-T
25
50
220
40
80
280
-U
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
努尔EINE的Gruppe在einer Verpackungseinheit （ Streuung克莱纳2 ： 1 ） /
只有一个组中的一个包装单元（变化下2： 1）
Abstrahlcharakteristik
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF02432
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2008-01-14
4
QQ：2880707522 复制
