的GaAs -IR- Lumineszenzdiode
砷化镓红外发射器
SFH 495 P
SFH 4552
29
27
5.0
4.2
阳极
2.54 mm
间距
5.9
5.5
0.6
0.4
0.8
0.4
面积不平坦
芯片位置
GEX06971
面积不平坦
0.6
0.4
6.9
6.1
5.7
5.5
2.54 mm
间距
0.8
0.4
5.9
5.5
1.8
1.2
29.5
27.5
阴极（二极管）
收集器（晶体管）
5.1
4.8
4.0
3.4
芯片位置
0.6
0.4
GEX06630
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Stimulierter发射MIT雅适hohem
Wirkungsgrad
q
Laserdiode在diffusem Gehuse
q
Besonders geeignet献给Impulsbetrieb贝
霍恩Strmen
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Datenübertragung
q
Fernsteuerungen
q
“梅森， Steuern ， Regeln ”
特点
q
受激发射器以高效率
q
弥漫封装激光二极管
q
合适的ESP 。对于在高脉冲操作
当前
q
高可靠性
q
可在磁带和卷轴
应用
q
数据传输
q
遥控器
q
对于驱动器和控制电路
半导体集团
1
1998-09-18
feo06652
fex06971
1.8
1.2
3.85
3.35
5.1
4.8
0.6
0.4
SFH 495 P
SFH 4552
典型值
TYPE
SFH 495 P
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q7891
Gehuse
包
5毫米-LED- Gehuse （T1
3
/
4
） ，计划，施瓦茨eingefrbt ，
2.54-mm-Raster,
Kathodenkennzeichnung ： kürzerer并吞
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，地势平坦，黑色，
间隔2.54毫米，阴极标记：短脚。
5毫米-LED- Gehuse （T1
3
/
4
） ，规划，魏斯弥漫性eingefrbt ，
2.54-mm-Raster,
Kathodenkennzeichnung ： kürzerer并吞
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，平坦的，白色的扩散着色，
间隔2.54毫米，阴极标记：短脚。
SFH 4552
Q62702-P5054
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Stostrom ，
t
p
= 200
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 200毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 200毫安
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
940
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 85
0 ... + 85
1
1
160
450
统一性
单位
°C
V
A
mW
K / W
T
英镑
T
op
V
R
I
FSM
P
合计
R
thJA
λ
4
nm
半导体集团
2
1998-09-18
SFH 495 P
SFH 4552
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Abstrahlwinkel
半角
SFH 495 P
SFH 4552
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 200毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90％到10 ％ ，
I
F
= 200毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Schwellenstrom
1)
阈值电流
1)
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 1 A,
t
p
= 10
s
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 10
s
SFH 495 P
SFH 4552
1)
符号
符号
邂逅相遇，
价值
统一性
单位
毕业生
度。
±
30
±
50
t
r
,
t
f
7
ns
C
o
90
pF
V
F
I
th
Φ
e
2.1
＆ LT ; 150
700
V
mA
mW
I
e
毫瓦/ SR
400
200
备注：
这IRED有效运作的正向电流高于
I
th
.
警告：
本数据表是指高功率红外发射半导体。
根据操作条件（驱动电流，脉冲持续时间，光学等），他们可能会发出
亮度/四射的水平被认为有害于人的眼睛， ACC 。符合IEC 825.1 。
当操作强大的发射器，应注意符合IEC 825.1 ，以迷你
迈兹任何可能对眼睛的危害：
- 用尽可能低的驱动电平
- 使用光学扩散尽可能
- 避免凝视着强大的发射器或连接的纤维
半导体集团
3
1998-09-18
QQ：2881677436 复制
