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Schnelle IR- Lumineszenzdiode ( 950 nm)的IM 3毫米径向Gehuse
高速红外发射器( 950纳米) 3 mm径向套餐
SFH 4301
Wesentliche Merkmale
霍厄Pulsleistung UND达赫Gesamt-
strahlungsflu
Φ
e
雅适kurze Schaltzeiten ( 10纳秒)
雅适霍厄Langzeitstabilitt
霍厄Zuverlssigkeit
Anwendungen
Schnelle Datenübertragung MIT
bertragungsraten双100波特
(IR Tastatur ,摇杆,多媒体)
类比UND数显的Hi-Fi音频 - UND
Videosignalübertragung
Batteriebetriebene GERTE ( geringe
Stromaufnahme )
Anwendungen MIT霍恩
Zuverlssigkeits - ansprüchen bzw.
erhhten Anforderungen
闹钟 - UND Sicherungssysteme
IR Freiraumübertragung
特点
高脉冲功率和高辐射通量
Φ
e
很短的转换时间( 10纳秒)
极高的长期稳定性
高可靠性
应用
高数据传输速率高达100兆波特
(红外键盘,摇杆,多媒体)
模拟和数字高保真音频和视频信号
传输
低功耗(电池)设备
适用于专业和高可靠性
应用
报警和安全设备
红外自由的空气传播
典型值
TYPE
SFH 4301
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P5166
Gehuse
3毫米-LED- Gehuse (T1),施瓦茨eingefrbt ,中An-
schlüsse IM 2.54 - mm的光栅(
1
/
10
’’),
Kathodenkennung : lngerer并吞
3毫米LED封装件(T1)中,黑色环氧树脂
焊片引线间距2.54毫米(
1
/
10
’’),
阴极标记:长引线
2000-01-01
1
光电半导体
SFH 4301
Grenzwerte
(
T
A
= 25 °C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom
浪涌电流
t
p
= 10
s,
D
= 0
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息,
柏林自由Beinchenlnge最大。 10毫米
热阻结 - 环境,
包底部与PCB之间的引线长度
最大。 10毫米
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 40 … + 100
3
100
1
统一性
单位
°C
V
mA
A
T
op
;
T
英镑
V
R
I
F
(DC)的
I
FSM
P
合计
R
thJA
180
375
mW
K / W
2000-01-01
2
光电半导体
SFH 4301
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值发射波长
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 %冯
I
最大
光谱带宽在50%的
I
最大
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ,
I
e
冯10 %奥夫90 % UND
冯90 %奥夫10 %
开关时间,
I
e
从10%到90%和
从90%到10 % ,
I
F
= 100毫安,
t
P
= 20毫秒,
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
I
F
= 100毫安
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇,
价值
950
统一性
单位
nm
λ
40
nm
±
10
0.09
0.3
×
0.3
10
毕业生
度。
mm
2
mm
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
35
pF
V
F
V
F
1.5
(≤
1.8)
3.2
(≤
3.6)
0.01 (≤ 10)
V
V
A
I
R
Φ
e
32
mW
TC
I
– 0.44
%/K
2000-01-01
3
光电半导体
SFH 4301
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C) (续)
特征
bezeichnung
参数
Temperaturkoeffizient冯
V
F
温度COEF网络cient
V
F
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ
温度COEF网络cient
λ
I
F
= 100毫安
符号
符号
TC
V
邂逅相遇,
价值
– 1.5
统一性
单位
毫伏/ K
TC
λ
+ 0.2
纳米/ K
Strahlstrke
Ι
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel冯
= 0.01 SR
辐射强度
Ι
e
在轴向方向上
在一个立体角测量
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
符号
I
ê MIN
I
ê TYP
I
ê TYP
邂逅相遇,
价值
16
60
400
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
Ltbedingungen
焊接条件
Tauch- , Schwall- UND Schleppltung
DIP, Wave和拖焊
Ltpad-
。温度
最大
Zulssige
Ltzeit
Abstand
Ltstelle -
Gehuse
Kolbenltung ( MIT 1,5 -MM- Kolbenspitze )
铁钎焊( 1.5毫米位)
。温度
德Kolbens
Maximale
Zulssige
Ltzeit
马克斯。 permis-
sible可焊
ING时间
3s
Abstand
Ltstelle -
Gehuse
距离
焊点
与案例
温度
焊接
260 °C
马克斯。烫发。
距离
之间的焊接时间
焊点
与案例
10 s
温度
的可焊的
ING铁
300
°
C
1.5 mm
1.5 mm
2000-01-01
4
光电半导体
SFH 4301
相对光谱发射
I
EREL
=
f
(λ)
100
OHF00777
辐射强度
Ι
e
/
Ι
E( 100 mA时)
=
f
(I
F
)
单脉冲,
t
p
= 20
s
10
2
Ι
e
OHF00809
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHF00359
Ι
EREL
80
Ι
F
mA
100
Ι
E( 100 mA时)
80
60
10
0
60
R
thJA
= 375 K / W
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
800 850
900
950 1000
纳米1100
λ
10
-3
10
0
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 C 120
T
A
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
单脉冲,
t
p
= 20
s
Ι
F
10
4
mA
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
OHF00784
辐射特性
I
EREL
=
f
()
40
30
20
10
0
OHF01016
1.0
50
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V 4.5
V
F
2000-01-01
5
光电半导体
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    联系人:杨小姐
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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DIP
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