IR- Lumineszenzdiode （ 850纳米），麻省理工学院达赫Ausgangsleistung
高功率红外发射器（ 850纳米）
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
SFH 4235
Wesentliche Merkmale
IR- Lichtquelle MIT hohem Wirkungsgrad
Chipgre （ emittierende Flche ） 1 ×1毫米
2
最大。 Gleichstrom 1
niedriger Wrmewiderstand （ 9 K / W ）
Schwerpunktswellenlnge 850纳米
ESD - sicher双2千伏NACH JESD22 - A114 -E
Erweiterte Korrosionsfestigkeit
（同上Abschnitt Mazeichnung ）
Anwendungen
Infrarotbeleuchtung献给Kameras
berwachungssysteme
Fahrer - Assistenz Systeme的
Beleuchtung献给Bilderkennungssysteme
特点
IR高效lightsource
芯片尺寸（发光面积） 1 ×1毫米
2
最大。直流电流1 A
低热阻（ 9 K / W ）
光谱发射中心 850 nm波长
防静电安全高达2千伏ACC 。到JESD22 - A114 -E
优越的抗腐蚀性鲁棒性
（见包装纲要）
应用
红外照明的相机
监控系统
驾驶员辅助系统
机器视觉系统
Sicherheitshinweise
济NACH Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte ，非职权sichtbare Infrarot-
Strahlung ，死gefhrlich献给DAS menschliche
奥热盛卡恩。 PRODUKTE ，死diese Bauteile
enthalten ，米森gem书房Sicherheits-
richtlinien DER IEC- 60825-1诺门UND 62471
behandelt werden 。
安全的几点建议
取决于操作模式，这些
设备发出高度集中的不可见
红外光可以是危险的
人的眼睛。它把这些产品
设备必须遵循的安全注意事项
在IEC 60825-1和IEC 62471给出。
典型值
TYPE
SFH 4235
1)
Bestellnummer
订购代码
Q65110A8900
Gesamtstrahlungsfluss
1)
(
I
F
= 1A,
t
p
= 10毫秒）
总辐射通量
1)
Φ
e
（ mW）的
≥
630 （典型值950 ）
gemessen MIT Ulbrichtkugel /测量积分球
2011-03-30
1
SFH 4235
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Vorwrtsgleichstrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 200 s,
D
= 0
浪涌电流
Leistungsaufnahme
耗电量
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle
热阻结 - 焊接点
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
心， Wellenlnge德Strahlung
心波长
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
860
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 125
+ 145
1
1
5
3.4
9
统一性
单位
°C
°C
V
A
A
W
K / W
T
op
, T
英镑
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thjs
λ
形心
850
nm
Δλ
30
nm
±
60
1
1
×
1
毕业生
度。
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
2011-03-30
2
SFH 4235
Gesamtstrahlungsfluss
1)
Φ
e
总辐射通量
1)
Φ
e
bezeichnung
参数
Gesamtstrahlungsfluss
总辐射通量
I
F
= 1 A,
t
p
= 10毫秒
1)
符号
-EA
Φ
ê MIN
Φ
ê MAX
630
1000
Werte
值
-EB
800
1250
统一性
单位
mW
mW
努尔EINE的Gruppe在einer Verpackungseinheit （ Streuung克莱纳1.6 ： 1 ） /
只有一个组中的一个包装单元（变化下1.6 ： 1）
Abstrahlcharakteristik
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
OHL01660
1.0
50
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
0
2011-03-30
4
SFH 4235
相对spektrale发射
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
OHF04132
Durchlastrom
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
单脉冲，
t
p
= 100
μs
I
F
10
1
A
OHF04188
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
相对总辐射通量
Φ
e
/Φ
e
(1A) =
f
(
I
F
)
单脉冲，
t
p
= 100
μs
10
1
OHF04187
I
REL
%
80
Φ
e
Φ
e
(1 A)
10
0
10
0
5
60
5
10
-1
40
10
-1
5
5
10
-2
5
20
0
700
10
-2
750
800
850
纳米950
2
2.5
3
3.5
V
4
10
-3 -2
10
5 10
-1
5 10
0
λ
V
F
A
10
1
I
F
马克斯。 zulssiger Durchlassstrom
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thjs
= 9 K / W
1.1
A
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100 C 130
OHF04190
Zulssige Impulsbelastbarkeit
可允许脉冲处理
能力
I
F
=
f
(t
p
),
T
S
= 85
°C,
占空比
D
=参数
I
F
5.5
A
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
1
OHF04189
I
F
D
=
T
t
P
t
P
I
F
T
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.33
0.5
T
S
t
p
2011-03-30
5
QQ：2880707522 复制
