砷化镓铝-IR- Lumineszenzdiode在SMT- Gehuse
GaAlAs的红外发射器的SMT封装
SFH 421
SFH 426
SFH 421
SFH 426
Wesentliche Merkmale
GaAIAs - LED MIT雅适hohem Wirkungsgrad
固特Linearitt （我
e
=
f
[
I
F
] ）北霍恩Strmen
Gleichstrom- （ MIT调制）奥得河
Impulsbetrieb mglich
霍厄Zuverlssigkeit
霍厄Impulsbelastbarkeit
Oberflchenmontage geeignet
Gegurtet lieferbar
SFH 421 Gehusegleich MIT SFH 320
SFH 426 Gehusegleich MIT SFH 325
SFH 426 ：努尔献给红外回流焊，罗东geeignet 。
Anwendungen
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb ， Lochstreifenleser
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
Automobiltechnik
SENSORIK
闹钟 - UND Sicherungssysteme
IR- Freiraumübertragung
典型值
TYPE
Bestellnummer
订购代码
特点
非常高效GaAIAs - LED
良好的线性关系（我
e
=
f
[
I
F
] ）在高电流
DC（带调制）或脉冲操作
可能
高可靠性
高脉冲处理能力
适用于表面安装（ SMT）
可在磁带和卷轴
SFH 421相同的包SFH 320
SFH 426相同的包SFH 325
SFH 426 ：仅适用于红外回流焊接。
应用
微型光断续器
工业电子产品
对于驱动器和控制电路
汽车技术
传感器技术
报警及安全设备
红外自由的空气传播
Gehuse
包
Kathodenkennzeichnung ： abgesetzte艾克
阴极标记：斜边
TOPLED
SIDELED
SFH 421
SFH 426
Q62702-P1055
Q62702-P0331
2002-03-14
1
SFH 421 ， SFH 426
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ =
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
5
100
2.5
180
450
统一性
单位
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息蓓
R
thJA
蒙太奇奥夫FR4铂金， Padgre JE 16毫米
2
热阻结 - 环境安装
在PC板（ FR4 ） ， padsize 16毫米
2
每
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle北
R
thjs
蒙太奇奥夫METALL座
热阻结 - 焊接点，
安装在金属块
≈
200
K / W
2002-03-14
2
SFH 421 ， SFH 426
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100米的
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
Ι
e
从10％到90％，从
90 ％至10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt ，
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung ，
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom ，
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsflu ，
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
λ
80
nm
±
60
0.09
0.3
×
0.3
0.5
毕业生
度。
mm
2
mm
s
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
15
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
0.01 (≤ 1)
V
V
A
Φ
e
23
mW
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
2002-03-14
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
毫伏/ K
纳米/ K
3
SFH 421 ， SFH 426
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
I
e
Werte
值
>4
统一性
单位
毫瓦/ SR
I
ê TYP
48
毫瓦/ SR
2002-03-14
4
砷化镓铝-IR- Lumineszenzdiode在SMT- Gehuse
GaAlAs的红外发射器的SMT封装
3.0
2.6
2.3
2.1
2.1
1.7
0.1 （典型值）
0.9
0.7
SFH 421
SFH 426
fpl06724
3.4
3.0
2.4
0.8
0.6
阴极/收集器标记
约。重量0.03克
1.1
0.5
0.18
0.6
0.12
0.4
阴极/收集器
GPL06724
3.7
3.3
SFH 421 TOPLED
(2.4)
2.8
2.4
4.2
3.8
0.7
阴极/
集热器
2.54
间距
1.1
0.9
阳极/
辐射源
(2.85)
GPL06880
集电极/阴极标
(2.9)
SFH 426 SIDELED
4.2
3.8
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs - LED MIT雅适hohem Wirkungsgrad
q
固特Linearitt （我
e
=
f
[
I
F
] ）北霍恩Strmen
q
Gleichstrom- （ MIT调制）奥得河
Impulsbetrieb mglich
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
霍厄Impulsbelastbarkeit
q
Oberflchenmontage geeignet
q
gegurtet lieferbar
q
SFH 421 Gehusegleich MIT SFH四百二十分之三百二十○
SFH 426 Gehusegleich MIT SFH四百二十五分之三百二十五
q
SFH 426 ：努尔献给红外回流焊，罗东geeignet 。
贝Schwalltung文登诚刚自在BITTE的UNS 。
特点
q
非常高效GaAIAs - LED
q
良好的线性关系（我
e
=
f
[
I
F
] ）在高电流
q
DC （带调制）或脉冲操作
有可能
q
高可靠性
q
高脉冲处理能力
q
适于表面安装（ SMT）的
q
可在磁带和卷轴
q
SFH 421相同的包SFH四百二分之三百二
SFH 426相同的包SFH四百二十五分之三百二十五
q
SFH 426 ：仅适合IR回流焊
焊接。如果浸焊的，请
第一时间联系我们。
1997-11-01
半导体集团
1
fpl06867
(R1)
3.8
3.4
SFH 421
SFH 426
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb ， Lochstreifenlaser
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
应用
q
微型光断续器
q
工业电子产品
q
对于驱动器和控制电路
典型值
TYPE
Bestellnummer
订购代码
Gehuse
包
Kathodenkennzeichnung ： abgesetzte艾克
阴极标记：斜边
TOPLED
SIDELED
SFH 421
SFH 426
Q62702-P1055
Q62703-P0331
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ =
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
180
450
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息蓓
2
蒙太奇奥夫FR4铂金， Padgre JE 16毫米
热阻结 - 环境安装
PC板（ FR4 ） ， padsize 16毫米
2
每
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle北
R
thjs
蒙太奇奥夫METALL座
热阻结 - 焊接点，
安装在金属块
≈
200
K / W
半导体集团
2
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
光谱带宽在50％的
I
最大
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90 ％到10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
, I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
, I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
λ
80
nm
±
60
0.16
0.4
×
0.4
0.5
毕业生
度。
mm
2
mm
s
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.5
(≤
1.8)
3.0
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
A
Φ
e
23
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
毫伏/ K
纳米/ K
半导体集团
3
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Gruppierung德Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
在分组辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
Ι
REL
%
80
OHR00877
符号
I
e
Werte
值
>4
统一性
单位
毫瓦/ SR
I
典型。
48
毫瓦/ SR
辐射强度
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
百毫安
OHR00878
单脉冲，
t
p
= 20
s
10
2
Ι
e
Ι
E（ 100毫安）
10
1
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
80
60
10
0
R
thJA
= 450 K / W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
750
10
-3
800
850
900
950纳米千
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 C 120
T
A
正向电流
I
F
=
f
(V
F
），单脉冲
t
p
= 20
s
10
1
OHR00881
辐射特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
OHL01660
Ι
F
A
50
1.0
10
0
0.8
0.6
60
10
-1
70
0.4
0.2
10
-2
80
90
100
0
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Lthinweise
焊接条件
Bauform
类型
Tauch- ， Schwall- UND Schleppltung
DIP， Wave和拖焊
Ltbad-
。温度
最大
Zulssige
Ltzeit
马克斯。烫发。
焊接
时间
8s
–
Abstand
Ltstelle -
Gehuse
距离
间
焊点
与案例
–
–
Reflowltung
再溢流焊接
Ltzonen-
。温度
Maximale
Durchlaufzeit
温度
的
焊接
浴
TOPLED
SIDELED
260
°C
–
温度
焊接
区
245
°C
≥
225
°C
马克斯。过境
时间
10 s
10 s
Zustzliche Informationen尤伯杯汇报Ltbedingungen芬登诚刚IM Datenbuch S. 103ff 。
有关generel焊接条件的更多信息，请参考我们的数据手册上
页169ff 。
可允许脉冲处理能力
I
F
=
f
(t
p
)
占空比
D
=参数，
T
A
= 25
°C
10
4
mA
OHR00886
Ι
F
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
0.5
10
2
DC
t
p
D
=
T
t
p
Ι
F
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
半导体集团
5
1997-11-01
QQ：2880707522 复制
