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NPN - Silizium - Fototransistor在SMT TOPLED
RG- Gehuse
硅NPN光电晶体管的SMT TOPLED
RG-包
SFH 3211
SFH 3211 FA
SFH 3211
SFH 3211 FA
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯· 380双波长1150nm处（ SFH 3211 ） UND贝
880纳米（ SFH 3211 FA ）
霍厄Linearitt
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Miniaturlichtschranken
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
SFH 3211
SFH 3211-3 / -4
SFH 3211 FA
SFH 3211 FA - 3 / -4
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P5127
Q62702-P5481
Q62702-P5443
Q62702-P5482
特点
特别适用于从应用程序
380纳米至1150纳米（ SFH 3211 ）和880纳米
（ SFH 3211 FA ）
- 高线性度
可在组
应用
微型光断续器
工业电子
对于控制与驱动电路
2002-01-25
1
SFH 3211 ， SFH 3211 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand献给蒙太奇奥夫PC板
用于安装在PCB的热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
35
15
75
165
450
统一性
单位
°C
V
mA
mA
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
CE
I
C
I
CS
P
合计
R
thJA
2002-01-25
2
SFH 3211 ， SFH 3211 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche （ 240
m)
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
符号
符号
SFH 3211
λ
s最大
λ
860
380
…
1150
邂逅相遇，
价值
SFH 3211 FA
900
730
…
1120
nm
nm
统一性
单位
A
L
×
B
L
×
W
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
±
60
5.0
1 (≤ 200)
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
±
60
5.0
1 (≤ 200)
mm
2
mm
×
mm
mm
毕业生
度。
pF
nA
Abstand Chipoberflche祖Gehuseoberflche
H
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
C
CE
I
首席执行官
2002-01-25
3
SFH 3211 ， SFH 3211 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen Ziffern
gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨由分组
阿拉伯的数字。
bezeichnung
参数
符号
符号
SFH
3211/FA
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 3211 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /
标准光源A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
≥
16
16
…
32
420
25
…
50
650
7
40
…
80
1000
8
A
A
7
6
s
Kollektor - 发射极
V
CESAT
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.1毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe 。
I
PCEmin
是分钟。光电流在指定组的。
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2002-01-25
4
SFH 3211 ， SFH 3211 FA
相对光谱灵敏度，
SFH 3211
S
REL
=
f
(λ)
100
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900
纳米1100
OHF00207
相对光谱灵敏度，
SFH 3211 FA
S
REL
=
f
(λ)
100
S
REL
%
80
OHF00468
光
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE
10
3
A
OHF01924
S
REL
10
2
60
10
40
1
4
3
2
10
0
20
λ
0
400 500 600 700 800 900
λ
纳米1100
10
-1 -3
10
10
-2
毫瓦/平方厘米
2
E
e
10
0
总功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
200
mW
P
合计
160
OHF00871
光
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
=参数
Ι
PCE
10
0
mA
OHF01529
暗电流
I
首席执行官
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
首席执行官
10
1
nA
OHF01527
mW
1
2
cm
0.5
mW
cm
2
mW
cm
2
10
0
120
0.25
10
-1
10
-1
0.1
mW
cm
2
80
10
-2
40
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
10
-2
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
10
-3
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
暗电流
I
首席执行官
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V,
E
= 0
Ι
首席执行官
10
3
nA
OHF01530
电容
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz时，
E
= 0
5.0
C
CE
pF
4.0
OHF01528
光
I
PCE
/
I
PCE25°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE 25
1.4
1.2
Ι
PCE
1.6
OHF01524
10
2
3.5
3.0
1.0
0.8
0.6
0.4
10
1
2.5
2.0
1.5
10
0
1.0
0.5
0.2
10
-1
-25
0
25
50
75 C 100
T
A
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
0
-25
0
25
50
75 C 100
T
A
2002-01-25
5
查看更多SFH3211FAPDF信息
推荐型号
SMBG7.0
ST173C10CCP3P
SPC-1005P-270
SI533JB00100DG
Si5449DC
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SN75ALS176D
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SK221M050ST
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S70WS512N00BAWA23
SST89V554-40-C-TQI
SW-162-PIN
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STTH2003CFP
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