SFH 313
SFH 313 FA
.
欧盟： NPN - Silizium - Fototransistor
N
新：硅NPN光电晶体管
SFH 313
SFH 313 FA
面积不平坦
0.6
0.4
2.54 mm
间距
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
5.1
4.8
5.9
5.5
1.8
1.2
29
27
阴极（二极管）
收集器（晶体管）
约。重量0.5克
5.7
5.1
芯片位置
0.6
0.4
GEX06260
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
特点
q
特别适合于从应用程序
Bereich冯460纳米双1080纳米（ SFH 313 ）
UND北880海里（ SFH 313 FA ）
q
霍厄Linearitt
q
5毫米- Plastikbauform
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
460纳米到1080纳米（ SFH 313 ）和
880纳米（ SFH 313 FA ）
q
高线性度
q
5毫米塑料包装
应用
q
q
q
q
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
电脑控制的闪烁
光中断
工业电子产品
控制和驱动电路
半导体集团
1
1997-11-27
fexf6626
fex06626
SFH 313
SFH 313 FA
典型值
TYPE
SFH 313
SFH 313-2
SFH 313-3
SFH 313 FA
SFH 313 FA- 2
SFH 313 FA- 3
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P1667
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1674
Q62702-P1753
Q62702-P1754
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从外壳底部
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Kollektorspannung
发射极 - 集电极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
合计
R
thJA
70
50
100
7
200
375
V
mA
mA
V
mW
K / W
半导体集团
2
1997-11-27
SFH 313
SFH 313 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Fotostrom
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CE
= 5 V
符号
符号
SFH 313
λ
s最大
λ
850
邂逅相遇，
价值
SFH 313 FA
870
nm
统一性
单位
460 ... 1080 740 ... 1080纳米
A
L
×
B
L
×
W
H
0.55
1
×
1
5.1 ... 5.7
0.55
1
×
1
5.1 ... 5.7
mm
2
mm
×
mm
mm
±
10
15
10 (≤ 200)
±
10
15
10 (≤ 200)
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
I
PCE
I
PCE
≥
2.5
30
≥
2.5
–
mA
mA
半导体集团
3
1997-11-27
SFH 313
SFH 313 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
符号
-1
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
t
r
,
t
f
2.5 ... 5
8
4 ... 8
10
6.3 ... 12.5
≥
10
12
14
mA
s
V
CESAT
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF02330
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1997-11-27
SFH 313
SFH 313 FA
T
A
=
25
°C, λ =
950纳米
Rel.spectral灵敏度SFH 313 ，
S
REL
=
f
(λ)
100
OHF02332
Rel.spectr.sensitivity SFH 313FA ，
S
REL
=
f(λ)
暗电流，
I
首席执行官
=
f
(V
CE
),
E
= 0
100
OHF02331
S
REL
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900nm的1100
λ
S
REL
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Ι
首席执行官
10
2
nA
OHF02341
10
1
10
0
10
-1
10
-2
400 500 600 700 800 900nm的1100
λ
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
光
I
PCE
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5伏，归一化到25
o
C
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
光
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
OHF01524
集电极 - 发射极电容
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1兆赫
OHF02337
Ι
PCE
1.6
Ι
PCE
10
2
mA
50
OHF02344
C
CE
pF
40
10
1
30
10
0
20
10
-1
10
0
25
50
75 C 100
T
A
10
-2 -3
10
10
-2
毫瓦/平方厘米
2
E
e
10
0
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
光
I
PCE
=
f
(V
CE
)
E
=参数
Ι
PCE
10
2
mA
mW
cm
2
0.5
10
1
mW
cm
2
mW
0.25
2
cm
0.1
mW
cm
2
OHF02336
暗电流
I
首席执行官
=
f
(T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Ι
首席执行官
10
2
nA
OHF02342
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
250
mW
200
OHF02340
P
合计
1
10
1
150
10
0
100
10
-1
50
10
0
10
-2
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
0
20
40
60
80 C 100
T
A
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
半导体集团
5
1997-11-27
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
SFH 313
SFH 313 FA
SFH 313
SFH 313 FA
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯460纳米双1080纳米（ SFH 313 ） UND贝
880纳米（ SFH 313 FA ）
霍厄Linearitt
5个毫米Plastikbauform
Anwendungen
电脑Blitzlichtgerte
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
SFH 313
SFH 313-2 / 3
SFH 313 FA
SFH 313 FA -2/3
SFH 313 FA -3/4
Bestellnummer
订购代码
Q62702P1667
Q62702P3598
Q62702P1674
Q62702P3597
Q62702P5196
特点
特别适用于从应用程序
460纳米到1080纳米（ SFH 313 ）和880 nm的
（ SFH 313 FA ）
- 高线性度
5个毫米的塑料封装
应用
电脑控制的闪烁
光中断
工业电子产品
控制和驱动电路
2007-03-30
1
SFH 313 ， SFH 313 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
μs
集电极电流浪涌
发射器 - Kollektorspannung
发射极 - 集电极电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 100
70
50
100
7
200
375
统一性
单位
°C
V
mA
mA
V
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
合计
R
thJA
2007-03-30
2
SFH 313 ， SFH 313 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessungen德Chipflche
芯片区域的尺寸
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 5 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 20 V,
E
= 0
符号
符号
SFH 313
λ
s最大
λ
850
460
…
1080
邂逅相遇，
价值
SFH 313 FA
870
740
…
1080
nm
nm
统一性
单位
A
L
×
B
L
×
W
0.55
1
×
1
±
10
10
3 (≤ 200)
0.55
1
×
1
±
10
10
3 (≤ 200)
mm
2
mm
×
mm
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
2007-03-30
3
SFH 313 ， SFH 313 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen Ziffern
gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨由分组
阿拉伯的数字。
bezeichnung
参数
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
符号
符号
-1
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
t
r
,
t
f
2.5
…
5
8
4
…
8
10
6.3
…
12.5
12
≥
10
14
mA
μs
V
CESAT
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe 。
I
PCEmin
是分钟。光电流在指定组的。
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF02330
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2007-03-30
4
SFH 313 ， SFH 313 FA
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm的
相对光谱灵敏度，
SFH 313
S
REL
=
f
(λ)
100
S
REL
%
80
70
60
50
40
30
10
-1
OHF02332
相对光谱灵敏度，
SFH 313 FA
S
REL
=
f
(λ)
100
S
REL
%
80
OHF02331
暗电流
I
首席执行官
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
首席执行官
10
2
nA
OHF02341
10
1
60
10
0
40
20
10
0
400 500 600 700 800 900nm的1100
λ
20
0
400
600
800
1000纳米1200
10
-2
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
λ
光
I
PCE
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5伏，归一化到25
°C
Ι
PCE 25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
光
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE
10
2
mA
OHF02337
集电极 - 发射极电容
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1兆赫
C
CE
18
pF
16
14
12
OHF00349
Ι
PCE
1.6
OHF01524
10
1
10
0
10
8
6
0.4
0.2
0
-25
10
-1
4
2
0
25
50
75 C 100
T
A
10
-2 -3
10
10
-2
毫瓦/平方厘米
2
E
e
10
0
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
光
I
PCE
=
f
(
V
CE
)
, E
=参数
Ι
PCE
10
2
mA
mW
cm
2
0.5
10
1
0.25
mW
cm
2
mW
cm
2
0.1
mW
cm
2
OHF02336
暗电流
I
首席执行官
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Ι
首席执行官
10
3
nA
OHF02342
总功耗
P
t
ot
=
f
(
T
A
)
P
合计
250
mW
200
OHF02340
1
10
2
150
10
1
100
10
0
50
10
0
0
10
20
30
40
50
V 70
V
CE
10
-1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
0
20
40
60
80 C 100
T
A
2007-03-30
5
QQ：2881677436 复制
