SFH 309
SFH 309 FA
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
SFH 309
SFH 309 FA
集体中毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有说明
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
特点
q
特别适合于从应用程序
Bereich冯380纳米双1180纳米
（ SFH 309 ） UND北880海里（ SFH 309 FA ）
q
霍厄Linearitt
q
3毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
380纳米至1180纳米（ SFH 309）和
880纳米（ SFH 309 FA ）
q
高线性度
q
3毫米LED封装胶
q
可在组
应用
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
01.97
feof6653
feo06653
SFH 309
SFH 309 FA
典型值
TYPE
SFH 309
SFH 309-3
SFH 309-4
SFH 309-5
SFH 309-6
1)
1)
1)
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P859
Q62702-P997
Q62702-P998
Q62702-P999
Q62702-P1000
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 309 FA
（ * SFH 309 F）
SFH 309 FA- 2
（ * SFH 309 F- 2 ）
SFH 309 FA- 3
（ * SFH 309 F- 3 ）
SFH 309 FA- 4
（ * SFH 309架F- 4 ）
SFH 309 FA- 5
（ * SFH 309架F- 5
1)
)
Bestellnummer
订货代号
Q62702-P941
Q62702-P174
Q62702-P176
Q62702-P178
Q62702-P180
EINE Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。在这种情况下，我们
会预留我们提供的替代组的右侧。
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
35
15
75
V
mA
mA
半导体集团
2
SFH 309
SFH 309 FA
Grenzwerte
最大额定值
（续）
bezeichnung
描述
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
符号
符号
SFH 309
λ
s最大
λ
860
邂逅相遇，
价值
SFH 309 FA
900
nm
统一性
单位
符号
符号
邂逅相遇，
价值
165
450
统一性
单位
mW
K / W
P
合计
R
thJA
380 ... 1150 730 ... 1120纳米
Bestrahlungsempfindliche Flche （ 240
m)
A
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt ，
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.2
0.45
×
0.45
2.4 ... 2.8
0.2
0.45
×
0.45
2.4 ... 2.8
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
±
12
5.0
1 (≤ 200)
±
12
5.0
1 (≤ 200)
毕业生
度。
pF
nA
C
CE
I
首席执行官
半导体集团
3
SFH 309
SFH 309 FA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 309 ：
E
v
= 1000九， Normlicht /
标准光源A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
符号
符号
-2
-3
邂逅相遇，
价值
-4
-5
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1 ... 1.0 2.0 1.6 ... 3.2毫安
25
1.5
4.5
7.2
mA
2.8
5
6
7
8
s
V
CESAT
200
200
200
200
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
4
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