SFH 221章第
Silizium - 微分Fotodiode
硅光电二极管差
SFH 221章第
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
q
霍厄Fotoempfindlichkeit
q
Hermetisch dichte Metallbauform （ hnlich
TO-5 ） ， geeignet双125
o
C
1)
q
Doppeldiode冯极值达赫
Gleichmβigkeit
Anwendungen
q
q
q
q
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米
q
高感光
q
密封金属封装（类似
为TO -5），合适的高达125
o
C
1)
q
双二极管具有极高
均匀性
应用
q
后续控制
q
边驱动器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
Nachlaufsteuerungen
Kantenführung
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值（ * AB 4/95 ）
Bestellnummer
类型（ *为4/95 ）订购代码
SFH 221章第
（ * SFH 221 ）
1)
1)
Gehuse
包
Ltspieβe IM 5.08 mm的光栅
(
2
/
10
”)
焊片5.08毫米
(
2
/
10
“ ）引线间距
Q62702-P270
EINE Abstimmung德Einsatzbedingungen MIT数字高程模型Hersteller wird empfohlen贝
T
A
> 85
o
C
供的操作条件
T
A
> 85
o
请与我们联系。
半导体集团
399
SFH 221章第
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（T
≤
3s)
Sperrspannung
反向电压
Isolationsspannung葛根Gehuse
绝缘电压和封装
Verlustleistung ，
T
A
= 25
o
C
总功耗
符号
符号
T
op
;
T
英镑
T
S
邂逅相遇，
价值
–40 ... +80
230
统一性
单位
o
C
o
C
V
R
V
IS
P
合计
10
100
50
V
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C， Normlicht A，
T
= 2856 K） f黵jede Einzeldiode
特征
(T
A
= 25
o
C，标准光源A，
T
= 2856 K）每个单独的二极管
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ，
V
R
= 5 V
光谱灵敏度
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
符号
符号
S
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
24 (≥ 15)
900
400 ... 1100
统一性
单位
NA /九
nm
nm
A
L
x
B
L
x
W
H
1.54
0.7 x 2.2
mm
2
mm
1.1 ... 1.6
mm
±
55
毕业生
度。
半导体集团
400
SFH 221章第
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C， Normlicht A，
T
= 2856 K） f黵jede Einzeldiode
特征
(T
A
= 25
o
C，标准光源A，
T
= 2856 K）每个单独的二极管
bezeichnung
描述
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Maximale Abweichung德
Fotoempfindlichkeit VOM Mittelwert
马克斯。该系统的光谱偏差
从平均灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ，
E
v
= 1000九
开路电压
Kurzschluβstrom ，
E
v
= 1000九
短路电流
Isolationsstrom ，
V
IS
= 100 V
绝缘电流
Anstiegs UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 1 k;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 25
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 40毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient献给
V
L
温度COEF网络cient
V
L
Temperaturkoeffizient献给
I
K
温度COEF网络cient
I
K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
I
R
S
λ
S
邂逅相遇，
价值
10 (≤ 100)
0.55
±
5
统一性
单位
nA
/ W
%
η
V
L
I
K
I
IS
t
r
,
t
f
0.80
330 (≥ 280)
24
0.1 (≤ 1)
500
电子
光子
mV
A
nA
ns
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.0
25
–2.6
0.18
1.0 x 10
–13
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
1.2 x 10
12
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401
QQ：2881677436 复制
