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SFH 216
Silizium - PIN- Fotodiode MIT雅适kurzer Schaltzeit
硅PIN光电二极管在非常短的开关时间
SFH 216
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich ·冯· 350双波长1100纳米
q
Kurze Schaltzeit （典型值5纳秒）
q
Hermetisch dichte Metallbauform （TO- 18）的
Anwendungen
q
schneller optischer Empfnger MIT groβer
Modulationsbandbreite献给Lichtgriffel
特点
q
特别适合于从应用程序
350纳米至1100纳米
q
切换时间短（通常为5纳秒）
q
密封金属封装（ TO- 18 ）
应用
q
高调制带宽的光学传感器
光笔
典型值
TYPE
SFH 216
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P936
半导体集团
410
10.95
feo06314
SFH 216
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 125
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
50
250
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ，
V
R
= 5 V
光谱灵敏度
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 20 V
暗电流
符号
符号
邂逅相遇，
价值
50 (≥ 35)
850
350 ... 1150
统一性
单位
NA /九
nm
nm
S
λ
s最大
λ
A
L
×
B
L
×
W
H
1
1
×
1
mm
2
mm
4.2 ... 5.0
mm
±
12
1 (≤ 5)
毕业生
度。
nA
I
R
半导体集团
411
SFH 216
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ，
E
v
= 1000九
开路电压
Kurzschluβstrom ，
E
v
= 1000九
短路电流
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.55
0.80
410 (≥ 350)
50
5
统一性
单位
/ W
电子
光子
mV
A
ns
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
Anstiegs UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 20 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 100毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm的
检出限
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
11
– 2.6
0.2
3.3
×
10
–14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
3.1
×
10
12
半导体集团
412
SFH 216
相对光谱灵敏度
S
REL
=
f
(λ)
光
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(E
v
)
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
暗电流
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
电容
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz时，
E
= 0
暗电流
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 1 V,
E
= 0
方向特性
S
REL
=
f
()
半导体集团
413
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STRS6301
供货商
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厂家
批号
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封装
单价/备注
操作
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