固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF9140J
-18 AMPS
-100伏
0.20
P沟道
功率MOSFET
TO-257
设计师的数据表
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅
低RDS（on ）和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容容易
并联
密封式
替代对象： IRF9140类型
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用。
向厂家咨询。
最大额定值
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
包装外形：
TO- 257 （J ）
引脚说明：
引脚1 ：漏
引脚2 ：源
引脚3 ：门
符号
V
DS
V
GS
T
C =
25
o
C
T
C =
100
o
C
I
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
T
C =
25
o
C
T
C =
55
o
C
P
D
E
AS
E
AR
价值
-100
±20
-18
-11
-55到+150
2.0
63
48
500
12.5
单位
伏
伏
安培
o
o
C
C / W
瓦
mJ
mJ
后缀加多宝
后缀JUB
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： FP0015G
DOC
SFF9140J
固态器件， INC 。
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电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
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电气特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 1 mA）的
击穿电压的温度系数
漏极至源极导通电阻
(V
GS
= -10 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A)
正向跨导
(V
DS
> 10V ，我
DS
= 11A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 80 ％额定V
DS
, V
GS
= 0 V)
o
(V
DS
= 80 ％额定V
DS
, V
GS
= 0 V ，T
A
= 125 C)
门源漏FORWARD
门源漏反向
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
（ IS =额定ID ， VGS = 0 V ，T
J
= 25°C)
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
T
J
= 25 C
I
F
=额定我
D
的di / dt = 100 A /微秒
V
GS
= 0伏
V
DS
= -25伏特
F = 1 MHz的
o
符号
ΔBV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
D
= 11A
I
D
= 18A
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（ ON ）R
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
RR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
-100
––
––
––
-2.0
6.1
––
––
––
––
31
––
7
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
典型值
––
0.087
0.15
––
––
8.0
––
––
––
––
50
3
25
15
8
35
20
––
170
––
1400
600
200
最大
––
––
0.20
0.23
-4.0
––
25
250
-100
100
70
15
45
35
85
85
65
-4.2
280
3.6
1650
740
260
单位
伏
伏
伏
S姆欧
A
nA
nC
额定V
GS
V
GS
= -10伏特
50 ％额定V
DS
I
D
= -18 A)
(V
DD
作者= 50％
为V
DS
额定我
D
R
G
= 9.1
)
ns
伏
ns
C
ns
QQ：2880707522 复制
