固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF27N50M
SFF27N50Z
1/
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SFF27N50 ___ ___ ___
│
│
│
│
│
│
│
│
│
└
│
│
│
│
│
└
└
筛选
2/
__ =不屏蔽
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
27 AMP , 500伏, 175毫欧
雪崩额定N通道
MOSFET
产品特点:
坚固的多晶硅栅
最低导通电阻在业内
额定雪崩
密封,隔离包装
低总栅极电荷
快速开关
TX , TXV ,S级屏蔽可用
改善(R
DS ( ON)
Q
G
品质因数)图
LEAD选项
3/
包
3/ 4/
M = TO- 254
Z = TO- 254Z
__ =直导线
DB =向下弯曲
UB =向上弯曲
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
马克斯。连续漏电流(包
有限)
马克斯。瞬时漏电流( TJ有限)
马克斯。雪崩电流
单次和重复雪崩能量
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
(结点到外壳)
注意事项:
*脉冲测试:脉冲宽度= 300μsec ,占空比= 2 % 。
1 /有关订购信息,价格和可用性 - 请联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选提供流动
根据要求提供。
3 /对于包概述/引线弯曲选项/引出线
配置 - 联系工厂。
4由包配置/最大电流限制
o
5 /除非另有规定,所有的电特性@ 25 ℃。
连续
短暂
符号
V
DSS
V
GS
I
D1
I
D2
I
D3
I
AR
E
AS
E
AR
P
D
T
OP
&放大器;牛逼
英镑
R
θJC
TO-254
价值
100
±20
±30
27
27
18
35
1500
50
100
-55到+150
1.0
(typ.0.75)
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
° C / W
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 125C
@ L = 0.1 mH的
@ L = 0.1 mH的
@ T
C
= 25C
TO-254Z
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : F00165G
DOC
固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF27N50M
SFF27N50Z
符号
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
o
V
GS
= 10V ,我
D
= 18A , TJ = 25℃
o
V
GS
= 10V ,我
D
= 18A , TJ = 125℃
o
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安, TJ = 25℃
o
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安, TJ = 125℃
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安, TJ = -55
o
C
o
V
GS
= ± 20V , TJ = 25℃
V
GS
= ± 20V , TJ = 125
o
C
电气特性
5/
漏源击穿电压
漏源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
门源漏
零栅极电压漏极电流
正向跨导
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
民
500
––
––
––
3.0
2.0
––
––
––
––
––
15
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
典型值
510
170
400
4.0
3.0
5.0
10
30
0.01
5.0
35
95
30
35
25
30
75
25
0.95
180
8.0
0.85
5500
510
40
最大
––
175
––
5.0
––
6
±100
––
25
500
––
150
––
––
45
50
150
50
1.5
250
––
––
––
––
––
单位
V
m
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
nA
μA
μA
姆欧
nC
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V ,T
j
= 25 C
o
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V ,T
j
= 125 C
V
DS
= 20V ,我
D
= 18A ,T
j
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
DS
= 250V
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
V
DS
= 250V
I
D
= 35A
R
G
= 3.0Ω , PW = 3微秒
I
F
= 35A ,V
GS
= 0V
I
F
= 25A ,的di / dt = 100A /微秒
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
o
纳秒
V
纳秒
A
μC
pF
可用型号:
向厂家咨询
TO254 (M)的
引脚配置(标准)
包
漏
来源
门
的TO- 254 (M)的
销1
销2
3脚
TO- 254Z ( Z)
销1
销2
3脚
TO254Z ( Z)
3脚
销2
销1
3脚
销2
销1
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : F00165G
DOC