初步
固态器件， INC 。
14830谷景观大道。 *拉米拉达，钙90670
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
SFF50N20M
SFF50N20Z
50安培
200伏
0.055
S
N沟道
功率MOSFET
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
设计师的数据表
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅
低RDS （ on）和高跨导
优良的高温稳定性
非常快的开关速度
快速恢复和卓越的dv / dt性能
增加反向能量的能力
低输入和传输电容的并联方便
密封包装
TX ， TXV和空间层次屏蔽可用
??替换： IXTH50N20类型
最大额定值
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗
案例外形： TO- 254 （ Sufix M）
@ T = 25
o
C
@ TC = 55
o
C
符号
V
DS
V
GS
I
D
T
op
＆放大器;牛逼
英镑
R
2JC
P
D
价值
200
±20
50
-55到+150
0.83
150
114
o
单位
伏
伏
安培
o
C
C / W
瓦
案例外形： TO- 254Z （ Sufix Z）
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
的SCD这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00129E
SFF50N20M
SFF50N20Z
等级
漏源击穿电压
（ VGS = 0 V ， ID = 250 ： A）
漏极至源极导通电阻
（VGS = 10V ，额定的ID的60％）
在国家漏极电流
（ VDS >号（上）× RDS （ ON）最大值， VGS = 10V）
栅极阈值电压
（ VDS = VGS ， ID = 4mA）时
正向跨导
（ VDS >号（上）× RDS （ ON）最大值， IDS = 50 ％额定ID ）
零栅极电压漏极电流
V
DS
=最大额定电压，T
A
= 25
o
C
(V
GS
= 0V)
V
DS
= 80 ％额定V
DS
, T
A
= 125
o
C
门源漏FORWARD
门源漏反向
初步
固态器件， INC 。
14830谷景观大道。 *拉米拉达，钙90670
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
电气特性@ T
J
=25
o
C
（除非另有规定编）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
g
fs
民
200
-
50
2.0
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
25
-
-
-
-
190
35
95
28
33
110
30
-
-
1.5
4400
800
285
最大
-
0.055
-
4.0
-
250
1000
+100
-100
220
50
120
35
40
130
35
1.50
225
-
-
-
-
单位
V
S
A
V
S()
I
DSS
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
V
SD
:A
nA
nC
额定VGS
VGS = 10 V
50 ％的额定VDS
50 ％的额定ID
VDD = 50 ％
额定VDS
50 ％的额定ID
RG = 6.2
S
VGS = 10V
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管Forvard电压
(I
S
=额定我
D
, V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C)
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
纳秒
V
纳秒
:C
pF
T
J
=25
o
C
IF = 10A
的di / dt = 100A / ：秒
VGS = 0伏特
VDS = 25伏
F = 1 MHz的
t
rr
Q
RR
西塞
科斯
CRSS
QQ：2880707522 复制
