固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF25P20S2I
系列
25安培/ 200伏特
125 m
P沟道MOSFET
产品特点：
多晶硅栅极单元结构
低导通电阻
UIS （非钳位感应开关）额定
密封，隔离包装
低封装电感
通过灵活的线索提供缓解压力 -
提供几个选项
改善（R
DS （ ON）
Q
G
品质因数）图
TX TXV个级别可供筛选
设计师的数据表
SMD 2隔离
注：请参阅DASH ＃定义表的可用
LEAD成型形状
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
马克斯。连续漏电流
马克斯。瞬时漏电流（ TJ有限）
马克斯。雪崩电流
重复性雪崩能量
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 25C
符号
V
DSS
V
GS
I
D1
I
D3
I
AR
E
AR
P
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
价值
-200
±20
25
95
25
30
250
-55到+150
0.5
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
摄氏度/ W
电气特性（
@25
o
C，除非另有规定）
漏源击穿电压
漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
门源漏
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A ， TJ = 25
o
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A ， TJ = 25
o
C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ±20V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
j
= 25
o
C
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
j
= 125
o
C
民
200
––
––
3.0
––
––
––
TYP MAX
––
110
125
––
––
––
––
––
120
––
5.0
±100
25
1
单位
V
m
V
nA
A
mA
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： FT0009A
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
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SFF25P20S2I
系列
符号
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
电气特性（
@25
o
C，除非另有规定）
正向跨导
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％ 。
0.50 MIN
.920
民
5
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
TYP MAX
12
150
35
70
35
30
70
30
2.0
250
4200
1200
350
––
––
––
––
––
––
––
3.0
––
––
––
––
单位
姆欧
nC
V
DS
= 10V ，我
D
= 24A ，T
j
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
DS
= 100V
I
D
= 12A
V
GS
= 10V
V
DS
= 100V
I
D
= 12A
R
G
= 4.7
I
F
= 25A ，V
GS
= 0V
I
F
= 24A ，的di / dt = 100A /微秒
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
纳秒
V
纳秒
pF
0.50 MIN
1
.610
2
.290
3
.190
.160
.014
.006
A
.160
最大
3x .11±.02
2x .050
.220
.570
.510
.610
公差：
（除非另有规定编）
.XX ± .02
.XXX ± .010
880
引线成型结构
SMD2I破折号＃
-01
-02
-03
0.062”
0.000”
0.097”
A
包
SMD2I
引脚配置（标准）
漏
来源
销1
销2
门
3脚
QQ：2881677436 复制
