固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFF140J
SFF140JBW
28 AMP / 100伏
0.077
N沟道
功率MOSFET
产品特点：
坚固的结构与多晶硅栅电池
低R
DS （ ON）
和高跨导
优良的高温稳定性
开关速度快
快速恢复和卓越的dV / dt性能
增加反向能源能力
低输入和传输电容可以轻易地并联
陶瓷密封件，以提高密封性
密封的表面贴装功率封装
TX ， TXV ，空间层次屏蔽可用
替代IRF140 / 540型
可提供增强的灵活性铜针： SFF140JBW
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SFF140 _J_ __ __
+
筛选
2/
__
=不是屏幕
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
+
LEAD选项
3/
__
=库珀芯合金信息
BW =焊接铜信息
+
封装形式：TO -257
最大额定值
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续集电极电流
功耗
工作&储存温度
最大热阻
结到外壳
T
C
= 25C
T
C
= 55C
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
热门& TSTG
R
θJC
价值
100
±20
28
62.5
47.5
-55到+150
2
单位
伏
伏
安培
W
C
摄氏度/ W
TO-257
引脚输出：
PIN1 ：排水
PIN2 ：源
PIN3 ： GATE
3脚
销2
销1
后缀：J-
说明： JD
后缀： JU
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00029C
DOC
固态器件， INC 。
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SFF140J
SFF140JBW
电气特性@ T
J
= 25C
（除非另有规定编）
漏源击穿电压
（VGS = 0V ，ID = 250
A)
漏极至源极导通电阻
（ VGS = 10V ， ID = 50 ％额定ID ）
在国家漏极电流
（ VDS>ID （上）× RDS （ ON）最大值， VGS = 10V ， ID =额定ID ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250μA ）
正向跨导
（ VDS>ID （上）× RDS （ ON）最大值， IDS = 60 ％额定ID ）
零栅极电压漏极电流
（VDS =最大额定电压，V GS = 0V）
（ VDS = 80 ％额定VDS ， VGS = 0 V ， TA = 150°C ）
门源漏FORWARD
门源漏反向
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开延迟时间
上升时间
打开延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
（ IS =额定ID ， VGS = 0V ， TJ = 25°C ）
二极管的反向恢复时间
反向恢复电荷
输入电容
输入电容
反向传输电容
T
J
=25C
IF=10A
Di/dt=100A/sec
VGS = 0伏特
VDS = 25伏
F = 1 MHz的
额定VGS
VGS = 10伏
60 ％的额定VDS
60 ％额定ID
VDD = 50 ％额定VDS
60 ％额定ID
RG = 6.2Ω
VGS = 10伏
符号
BV
DSS
R
DS(on)1
R
AS(on)2
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
民
100
––
典型值
––
0.067
––
最大
––
0.077
0.125
4.0
––
25
250
+100
-100
75
12
35
23
110
60
75
2.5
400
1.9
––
––
––
单位
伏
A
V
S（姆欧）
A
2.0
8.7
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
0.44
––
––
––
2.4
13
––
––
––
––
40
8
19
15
72
40
50
1.3
150
0.91
1750
575
125
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
TD （上）
nA
nC
tr
TD （关闭）
tf
纳秒
V
SD
t
rr
Q
RR
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
纳秒
nC
pF
热降额曲线等特点，请联系SSDI市场部。
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： F00029C
DOC
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